[发明专利]半导体工艺设备有效
申请号: | 202011340051.0 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112593208B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 任晓艳;王勇飞;史小平;郑波;兰云峰;秦海丰;张文强;王昊 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/458 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括:工艺腔室内包括工艺区及传片区;进气装置设置于工艺腔室的顶部,用于向工艺区内通入工艺气体;承载装置包括有基座及导流结构,基座可升降的设置于传片区内,用于承载待加工件;导流结构设置于基座内,与一供气源连接,用于在基座位于工艺位置时,沿基座的周向吹出气体,在基座外周与工艺腔室内壁之间形成气墙,以隔绝工艺气体进入传片区;工艺腔室传片区的内壁中设有排气结构,当基座位于工艺位置时,导流结构与排气结构相对,排气结构用于排出导流结构吹出的气体。本申请实施例实现了工艺区与传片区之间完全隔离,从而大幅缩短工艺腔室吹扫时间以提高半导体工艺设备的产能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的