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[发明专利]半导体器件-CN201210085715.2无效
发明人：舛冈富士雄;工藤智彦 -专利权人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件具备：第1导电型第1硅柱、包围第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围第1绝缘体的栅极；在第1硅柱下部具备有第2硅柱，在第1硅柱上部具备有第3硅柱；且半导体器件由以下区域所构成：第2导电型高浓度杂质区域，形成于第3硅柱；第2导电型高浓度杂质区域，形成在除第2硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；及第1导电型杂质区域，由形成于第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；形成于第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围的第1导电型杂质区域是圆柱；形成于第2硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于第2硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的空乏层还长。
半导体器件

[发明专利]固态成像装置及其制造方法-CN201510825492.2有效
发明人：中村纪元 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所涉及的固态成像装置(100)包括：第一导电型阱(20)；第一的第二导电型扩散层(30)，其被设置于第一导电型阱(20)中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层(34)，其被设置于第一导电型阱(20)中，在第一的第二导电型扩散层(30)中所产生的载流子向第二的第二导电型扩散层(34)被传送并被蓄积在第二的第二导电型扩散层(34)中；第一的第一导电型扩散层(40)，其被设置于第二的第二导电型扩散层(34)之下，第二的第二导电型扩散层(34)的杂质浓度高于第一的第二导电型扩散层(30)的杂质浓度，第一的第一导电型扩散层(40)的杂质浓度低于第一导电型阱(20)的杂质浓度。
固态成像装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法-CN201680071206.0有效
发明人：池上由洋;稻叶智雄 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：半导体元件的制造方法，其是使用多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其特征在于，包括下述(a)~(c)的步骤，在(b)和(c)的步骤中，将两张一组的半导体基板以各自的形成有第一导电型的杂质扩散组合物膜的表面彼此相对的方式进行配置，(a)在各半导体基板的一个表面上涂布第一导电型的杂质扩散组合物从而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的步骤；(b)将形成有前述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热、使前述第一导电型的杂质向前述半导体基板扩散从而形成第一导电型的杂质扩散层的步骤；(c)在具有包含第二导电型的杂质的气体的氛围下将前述半导体基板进行加热、使第二导电型的杂质向前述半导体基板的另一个表面扩散从而形成第二导电型的杂质扩散层的步骤。
半导体元件制造方法太阳能电池

[发明专利]绝缘栅型半导体装置的制造方法及绝缘栅型半导体装置-CN201480071099.2有效
发明人：斋藤顺;藤原広和;池田知治;渡边行彦;山本敏雅 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序
绝缘半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN03120781.2无效
发明人：林正浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：该半导体装置的制造方法包括：(a)在第一导电型的半导体衬底(10)的特定区域内，形成包括第二导电型的杂质的第一势阱(12)；(b)在第一势阱的特定区域内，通过离子注入导入第一导电型的杂质形成第一杂质层；(c)在第一导电型的半导体层的特定区域内，通过离子注入导入第二导电型的杂质形成第二杂质层；(d)通过热处理，使第一杂质层及第二杂质层的杂质同时扩散，在第一势阱内形成第一导电型的第二势阱(20)，与此同时形成第二导电型的源极
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN03104706.8有效
发明人：林正浩 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-02-25 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：该半导体装置的制造方法包括(a)在具有第一导电型的半导体衬底(10)的特定区域内，注入具有第二导电型的杂质，形成第一杂质层(20a)和第二杂质层(30a)；(b)在第二杂质层区域内，再注入具有第二导电型的杂质，形成第三杂质层(30b)；(c)通过热处理，使第一杂质层(20a)和第三杂质层(30b)的杂质扩散，形成具有第二导电型的第一势阱(20)以及杂质浓度高于第一势阱(20)的具有第二导电型的第二势阱(30
半导体装置制造方法

[发明专利]将杂质离子掺杂至双栅极的方法和用其制造双栅极的方法-CN201010104006.5无效
发明人：卢俓奉;池连赫;金泰均;金宇成;李承美 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种将杂质离子掺杂至双栅极的方法，其包括：将第一导电型杂质离子掺杂至具有第一区域及第二区域的半导体衬底上方的栅极导电层，其中利用浓度梯度来实施该掺杂以使栅极导电层上部的掺杂浓度高于下部的掺杂浓度；使用用于露出第二区域中栅极导电层的一部分的掩模，将第二导电型杂质离子掺杂至第二区域的栅极导电层的部分；和通过实施热处理来扩散该第一导电型杂质离子及该第二导电型杂质离子。
杂质离子掺杂栅极方法制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380081607.0有效
发明人：川濑祐介;金田和德;凑忠玄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：具有：第1工序，在具有第1主面和第2主面的半导体衬底的该第2主面，通过加速能量不同的多次离子注入而注入第1导电型杂质，在该半导体衬底形成第1杂质区域；第2工序，在该第2主面，以比该多次离子注入低的加速能量对第2导电型杂质进行离子注入，在该半导体衬底，以与该第1杂质区域之间余留未注入杂质的无注入区域的方式形成第2杂质区域；热处理工序，对该半导体衬底实施热处理，以由该第1导电型杂质形成缓冲层，由该第2导电型杂质形成集电极层，在该缓冲层与该集电极层之间余留没有发生该第1导电型杂质和该第2导电型杂质的扩散的无扩散区域；以及形成与该集电极层接触的集电极电极的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]摄像装置-CN202180076370.1在审
发明人：津野盛和;平濑顺司 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像装置具备：光电转换部，通过光电转换而生成信号电荷；半导体基板，包括第1半导体层，该第1半导体层包含第1导电型的杂质；电荷积蓄区域，是第1半导体层内的第2导电型的杂质区域，且积蓄信号电荷；晶体管，包括第1半导体层内的第2导电型的第1杂质区域作为源极及漏极中的一方；以及截断构造，位于电荷积蓄区域与第1杂质区域之间。截断构造包括：第1半导体层内的第1导电型的第2杂质区域、以及杂质浓度与第2杂质区域不同的第1半导体层内的第1导电型的第3杂质区域。
摄像装置

[实用新型]一种高压NPN器件-CN201320527891.7有效
发明人：吴健;谭颖 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种高压NPN器件，包括：半导体衬底，具有第一导电型埋层；基极区，进一步包括第二导电型基极引出区和第二导电型阱；集电极区，进一步包括第一导电型集电极引出区和第一导电型高压阱区；发射极区，进一步包括第一导电型发射极引出区；第二导电型杂质区，设置在所述第一导电型集电极引出区和所述第二导电型基极引出区之间，并延伸至所述第一导电型高压阱区外侧，进一步与所述半导体衬底连接。本实用新型所述高压NPN器件通过设置第二导电型杂质区，且所述第二导电型杂质区延伸至所述第一导电型高压阱区外侧，并进一步与所述半导体衬底连接，故可通过调整所述第二导电型杂质区的宽度，以实现安全工作区的提高
一种高压 npn 器件

[其他]背面电极型太阳能电池及使用了它的太阳能电池模块-CN201490000889.7有效
发明人：舩越康志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：提供一种具备不会对基板造成机械性的损害的方向性确认用标记的背面电极型太阳能电池及使用了它的太阳能电池模块。此外，提供一种能够不增加工序数地形成标记的背面电极型太阳能电池的制造方法。一种背面电极型太阳能电池，在第一导电型的半导体基板的一个面具有第一导电型杂质扩散层、第二导电型杂质扩散层、与所述第一导电型杂质扩散层连接的第一电极以及与所述第二导电型杂质扩散层连接的第二电极，其特征在于，所述第一导电型杂质扩散层和/或所述第二导电型杂质扩散层在所述半导体基板的1个以上的端部区域中是与其他的端部区域不同的形状。
背面电极太阳能电池使用模块

[发明专利]薄膜晶体管及显示装置-CN200910126408.2有效
发明人：大力浩二;池田隆之;宫入秀和;黑川义元;乡户宏充;河江大辅;井上卓之;小林聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]分子检测与鉴别的多接面结构的光二极管及其制造方法-CN201210022350.9有效
发明人：蔡俊珑;黄瑞峰;许明芳;陈至扬 -专利权人：体学生物科技股份有限公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：多接面结构的光二极管包括具有第一导电型杂质的基材、具有第一导电型杂质的磊晶层、具有第二导电型杂质的深井区、具有第一导电型杂质的第一井区、具有第二导电型杂质的第二井区、具有第一导电型杂质的第三井区以及具有第二导电型杂质的第一掺杂区
分子检测鉴别多接面结构二极管及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201810437042.X有效
发明人：田中英俊 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供提高了ESD保护电路的保护能力的半导体装置，其具有：基板；第一晶体管，形成于上述基板且具有第一导电型的第一杂质区域以及上述第一导电型的第二杂质区域；第二晶体管，形成于上述基板且具有与上述第二杂质区域电连接的上述第一导电型的第三杂质区域以及上述第一导电型的第四杂质区域；电源端子，与上述第一杂质区域电连接；接地端子，与上述第四杂质区域电连接；第一保护环，形成于上述基板且在俯视时包围上述第一晶体管并与上述接地端子电连接，具有与上述第一导电型不同的第二导电型；以及第二保护环，形成于上述基板且在俯视时包围上述第二晶体管并与上述接地端子电连接，具有上述第二导电型，在俯视时宽度比上述第一保护环窄。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200610002557.4有效
发明人：高桥英树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-01-09 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，其中包含：具备第一主面和第二主面的第一导电型的半导体衬底，在半导体衬底的第一主面侧形成的第二导电型的基极区，设于基极区周围，并所包含的第二导电型杂质浓度低于基极区所包含的第二导电型杂质的第二导电型的护环区，设于基极区上的第一电极，以及设于半导体衬底的第二主面上的第二电极；在基极区的周围设有包含第二导电型杂质的第二导电型的基极周边区，该基极周边区与基极区连接，并比基极区深且具有大致一定的深度，同时所包含的第二导电型杂质的浓度低于基极区所包含的第二导电型杂质
半导体装置