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- [发明专利]半导体装置-CN201610046097.9有效
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小林研也
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株式会社东芝
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2016-01-25
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2019-08-20
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H01L29/40
- 一种半导体装置，具备：具有第一面和第二面的半导体层；半导体层内的第一导电型的漂移区域；漂移区域与第一面之间的第二导电型的体区域；第一导电型的源极区域；第一栅极电极；在与第一栅极电极之间夹着体区域而设置的第二栅极电极；第一以及第二栅极绝缘膜；第二面与第一栅极电极之间的第一场板电极；第二面与第二栅极电极之间的第二场板电极；漂移区域内的第一导电型的第一区域；设置在第一区域与体区域之间且第一导电型杂质浓度比第一区域高的第二区域；以及设置在第二区域与体区域之间且第一导电型杂质浓度比第二区域低的第三区域。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610137248.1有效
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尾原亮一;野田隆夫;堀阳一
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株式会社东芝
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2016-03-10
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2019-10-25
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H01L29/78
- 实施方式的半导体装置具备：SiC层，其具有第1面及第2面；第1电极，其与第1面相接；第1导电型的第1SiC区域，其设置在SiC层内；第2导电型的第2SiC区域，其至少一部分包围第1电极与第1面相接的区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间；第2导电型的第3SiC区域，其包围第2SiC区域而设置在SiC层内，且设置在第1SiC区域与第1面之间，第2导电型杂质浓度低于第3SiC区域；及第2导电型的第4SiC区域，其设置在第2SiC区域与第3SiC区域之间的SiC层内，且第2导电型杂质浓度高于第2SiC区域。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件-CN201410413496.5在审
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杉田尚正
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株式会社东芝
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2014-08-21
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2015-09-09
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H01L29/861
- 根据一个实施方式，半导体器件具备：阴极电极；阳极电极；第一导电型的第一半导体区域，设置在阴极电极的上侧、阳极电极的下侧；第一导电型的第二半导体区域，设置在阳极电极和阴极电极之间，第一导电型的杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度高，被第一半导体区域围住；第二导电型的第三半导体区域，设置在阳极电极和第二半导体区域之间，被第二半导体区域围住阳极电极侧的表面以外的部分；以及第四半导体区域，设置在第三半导体区域和第二半导体区域之间，围住第三半导体区域的端部
- 半导体器件
- [发明专利]电介质隔离型半导体装置-CN200810212938.4有效
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秋山肇
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三菱电机株式会社
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2006-05-09
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2009-02-18
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H01L29/78
- 提供一种维持耐压并且通过绝缘强度高的导线布线从电极开始进行布线的电介质隔离型半导体装置及其制造方法。电介质隔离型半导体装置具备电介质隔离型衬底，该电介质隔离型衬底积层有支撑衬底、埋入电介质层以及低杂质浓度的第1导电型的半导体衬底，半导体衬底具备：选择性地形成的高杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域；高杂质浓度的第2导电型的第2半导体区域，以从其外周边开始隔开预定距离包围第1半导体区域的方式配置；与第1半导体区域的表面连接配置的第1主电极；与第2半导体区域的表面连接配置的第2主电极，该电介质隔离型半导体装置具备：
- 电介质隔离半导体装置
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