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[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201280024037.7无效
发明人：舛冈富士雄;中村広记 -专利权人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括下述步骤：于鳍状硅层(103)的周围形成第一绝缘膜(104)，于鳍状硅层的上部形成柱状硅层(106)；向柱状硅层上部、鳍状硅层上部与柱状硅层下部注入杂质而形成扩散层；及形成栅极绝缘膜、多晶硅栅极电极(114a)、多晶硅栅极配线(114b)及多晶硅栅极焊垫(114c)。多晶硅栅极电极与多晶硅栅极焊垫的宽度宽于多晶硅栅极配线的宽度。半导体装置的制造方法随后包括下述步骤：堆积层间绝缘膜(120)，并且使多晶硅栅极电极及多晶硅栅极配线露出，对多晶硅栅极电极及多晶硅栅极配线进行蚀刻后，堆积金属层(121)，以形成金属栅极电极(121a)
半导体装置制造方法以及

[发明专利]一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法-CN201110303093.1有效
发明人：罗啸;石晶;钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值
一种判定 pmosfet 器件硼穿通方法

[发明专利]T型多晶硅栅电极的制备方法-CN200710094214.X有效
发明人：陈福成;朱骏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种T型多晶硅栅电极的制备方法，包括：先在硅衬底上的栅氧化层上淀积第一层多晶硅；利用负性光刻胶和栅极掩膜版进行对准光刻；利用负性光刻胶图案为掩膜层，对第一多晶硅层进行注入掺杂；去除负性光刻胶，接着淀积第二层多晶硅；用正性光刻胶和上述栅极掩膜版进行对准光刻，后干法刻蚀第二层多晶硅和第一层多晶硅，形成T型多晶硅栅电极；去除多晶硅栅电极两边的栅氧化层。本发明的制备方法利用未掺杂的多晶硅和掺杂后的多晶硅在刻蚀时形貌存在差异的原理，简化可T型多晶硅栅电极制备中刻蚀的复杂程度，有利于工艺的再现和控制，适合于工业化生产具有T型多晶硅栅电极的半导体器件。
多晶电极制备方法

[发明专利]高电压晶体管结构与其制作方法-CN202011094471.5在审
发明人：林孟汉;黄文铎;才永轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开是关于一种高电压晶体管结构与其制作方法，描述了一种用于形成(i)具有多晶硅栅极电极和氧化硅栅极介电质整合的输入/输出(I/O)鳍式场效应晶体管以及(ii)具有金属栅极电极和高介电常数栅极介电质的非输入此方法包括在半导体基板的第一区域上沉积氧化硅层以及在半导体基板的第二区域上沉积高介电常数介电层；在氧化硅和高介电常数介电层上沉积多晶硅层；图案化多晶硅层，以在氧化硅层上形成第一多晶硅栅极电极结构，并在高介电常数介电层上形成第二多晶硅栅极电极结构，其中第一多晶硅栅极电极结构比第二多晶硅栅极电极结构宽并且比氧化硅层窄。此方法还包括用金属栅极电极结构代替第二多晶硅栅极电极结构。
电压晶体管结构与其制作方法

[发明专利]减少栅氧化膜针孔问题的方法-CN200910201905.4有效
发明人：董颖 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少栅氧化膜针孔问题的方法，在多晶硅栅极的淀积中采用分层淀积，在各层多晶硅栅极之间通入氧气，使多晶硅栅极的表面形成氧化膜。本发明通过控制多晶硅电极的晶粒大小，能够有效抵抗栅极氧化膜针孔的形成。
减少氧化针孔问题方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201911416488.5在审
发明人：林孟汉;邱德馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本案提供一种集成电路元件，包括多个金属栅极及多个多晶硅栅极，每个金属栅极具有金属电极及高介电常数介电质，每个多晶硅栅极具有多晶硅电极及习用(非高介电常数)介电质。多晶硅栅极已经为作为高压栅极操作进行了改进，此高压栅极包括厚介电层及大于1μm2的面积。具有这些改进的多晶硅栅极可在10V或更高的栅极电压下操作，并且可用于嵌入式记忆体元件中。
集成电路及其形成方法

[发明专利]一种多晶硅栅电极的离子注入方法-CN201210139313.6有效
发明人：陈清;蒋玮玲 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅栅电极的离子注入方法，属于半导体制造技术领域。在该方法中，设置所述离子注入的能量参数以减小所述多晶硅栅电极在离子注入过程中产生的形变。因此，本发明的离子注入方法对多晶硅栅电极的形貌影响小，能提高MOS器件的制造良率并提高其可靠性。
一种多晶电极离子注入方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN201180054067.8无效
发明人：舛冈富士雄;中村广记 -专利权人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：于前述鳍状硅层的周围形成第1绝缘膜，于前述鳍状硅层的上部形成柱状硅层的步骤；前述步骤后，于前述柱状硅层上部、前述鳍状硅层上部、及前述柱状硅层下部植入杂质而形成扩散层的步骤；前述步骤后，作成栅极绝缘膜、多晶硅栅极电极、及多晶硅栅极配线的步骤；前述步骤后，于前述鳍状硅层上部的前述扩散层上部形成硅化物的步骤；前述步骤后，堆积层间绝缘膜，露出前述多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线，蚀刻前述多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线后，堆积金属，形成金属栅极电极与金属栅极配线的步骤；以及前述步骤后，形成接触部的步骤。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构-CN202011214091.0有效
发明人：汪朝敏;周建勇;韩恒利;王廷栋;江海波;何达;程顺昌;尹俊;王小东;刘昌林 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及CCD器件技术领域，具体涉及一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构，包括衬底、沟阻、多晶硅电极，输出节点，靠近输出节点的沟阻形状为弧形，远离输出节点的形状为直线形，所述沟阻左侧中间位置具有一个向外凸起；所述多晶硅电极包括多层多晶硅电极，且各层多晶硅电极依次交替排列设置，多晶硅电极层之间不留间隙，多晶硅电极具有多条多晶硅栅，每条多晶硅栅位于沟阻外侧的部分为直线，位于沟阻内侧的部分为弧形，且越接近输出节点本发明中通过弧形多晶硅电极实现CCD信号电子的逐步汇集，同时兼顾了大信号处理和高频转移的问题。
一种同时实现信号处理高频转移 ccd 结构

[发明专利]形成具有特定尺寸的闸极侧壁间隔件之半导体配置的方法-CN200580039217.2有效
发明人： M·C·克林;D·邦瑟;S·达克希那－穆尔蒂;A·野村 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在多晶硅栅电极形成具有特定尺寸的间隔件的方法系于选择性外延生长期间保护多晶硅栅电极侧壁。不论间隔件是对称或非对称，本方法均能在严格的对准规格下，用界定多晶硅栅电极图案及图案间隔件的相同特定曝光工具(例如193nm波长之步进扫描式曝光工具)及相同的图案标线片，精确地界定间隔件。
形成具有特定尺寸侧壁间隔半导体配置方法

[发明专利]具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法-CN201910513786.X有效
发明人：李华高;王小东;雷仁芳 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法。所述具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构包括衬底、外延层、沟道和沟阻，所述外延层设在衬底上，所述沟道和沟阻均设在外延层上，所述沟道的两侧均设有沟阻，所述沟道和沟阻上设有多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极，所述多晶硅栅电极和超薄铂硅虚相栅电极交替排列设置，所述多晶硅栅电极与沟道和沟阻之间设有介质层，所述多晶硅栅电极上方设有氧化层，所述介质层下方注入有多晶硅下势阱,所述超薄铂硅虚相栅电极下方注入有铂硅虚相栅下势阱以及铂硅虚相栅下势垒本发明有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构可实现对对紫外光和软X射线高灵敏探测。
具有超薄铂硅虚相栅电极 ccd 结构制作方法

[发明专利]半导体器件上的电阻及其制作方法-CN201010100526.9无效
发明人：陈菊英;张雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件上的电阻，所述半导体器件上设置有多晶硅栅极结构，所述多晶硅栅极结构包括位于下层的多晶硅层和位于上层的WSI层，所述电阻包括位于下层的电阻本体和位于上层的端部电极，所述电阻本体为与栅极结构中多晶硅层位于同一层面的多晶硅，所述端部电极为与栅极结构中WSI层位于同一层面的WSI，所述电阻的周围还设置有起隔离作用的侧墙，所述端部电极向上通过接触孔被引出。本发明还公开了上述电阻的制作方法，在多晶硅栅极结构制作的同步制作电阻。本发明将多晶硅栅极结构的制作和电阻的制作整合在一起，简化了半导体器件上电阻的制作工艺，降低了生产成本，提高了生产效率，并且还能够提高电阻的性能。
半导体器件电阻及其制作方法

[发明专利]集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法-CN202110330235.7在审
发明人：关天鹏;刘珩;杨志刚;冷江华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法，位于衬底上的氧化物多晶硅栅极；包含高K介质层和位于其上的金属栅层；高K金属栅极不完全覆盖于氧化物多晶硅栅极一侧；氧化物多晶硅栅极及高K金属栅极外侧的衬底上设有金属硅化物层；氧化物多晶硅栅极中未被覆盖的表面设有金属硅化物层；栅极侧墙；层间介质层；衬底上的金属硅化物、氧化物多晶硅栅极表面的金属硅化物以及金属电极层的上表面设有贯穿于层间介电层中的导电接触件。本发明的集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构同时具有高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极，互相兼容，在工作时互相独立，在多种栅极共存的半导体器件等特定领域得到实际应用。
集成金属栅极氧化物多晶结构制备方法

[发明专利]一种栅控Resurf高压LDMOS结构-CN202310376829.0有效
发明人：朱伟东;赵泊然;孙明光;李振道 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅控Resurf高压LDMOS结构，包括LDMOS结构，LDMOS结构中的栅控电极为双栅极结构，包括第一多晶硅栅和第二多晶硅栅，LDMOS结构的P‑top层上方设有第一栅氧化层，且第一栅氧化层上方制作有第一多晶硅栅；LDMOS结构的沟道区上方设有第二栅氧化层，且第二栅氧化层上方制作有第二多晶硅栅；第一多晶硅栅和第二多晶硅栅均包覆在场氧化层内，且第一多晶硅栅和第二多晶硅栅通过栅极金属短接。
一种 resurf 高压 ldmos 结构

[发明专利]包括开关特性控制工艺的功率半导体装置的制造方法-CN201510090747.5在审
发明人：朴镕浦;郑垠植;金禹泽;朴兑洙;杨昌宪 -专利权人：美普森半导体公司（股）
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种包括开关特性控制工艺的功率半导体装置的制造方法，根据本发明的一方面，所述方法包括N^-EPI层形成步骤、JFET层形成步骤、下部栅极绝缘膜形成步骤、栅极电极用多晶硅栅极形成步骤、体区域形成步骤、源极区域形成步骤、上部绝缘层形成步骤及金属总线形成步骤，其中：所述栅极电极用多晶硅栅极形成步骤将由所述多晶硅形成的多晶硅栅极电阻值设定为具有特定的开启/关闭开关速度特性并进行制造。
包括开关特性控制工艺功率半导体装置制造方法

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