专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]处理装置和处理方法-CN201310145350.2有效
  • 安藤了至;佐藤尊三 - 东京毅力科创株式会社
  • 2013-04-24 - 2013-10-30 - B05C11/10
  • 本发明提供处理装置和处理方法。通过处理对基板进行处理时能够高精度地测量处理的流量并监视处理的喷射状态。处理装置(10)包括处理供给源(31)和流路构件且在流路构件上具有超声波流量计(40)和用于将处理送出到喷嘴(50)的送机构。41)的周向上具有成对的压电元件(42),通过在两个方向上执行由一个压电元件激发超声波和由另一个压电元件检测所激发的超声波的操作,能够基于自超声波产激发到检测为止的时间来测定管内的1mL/sec以下的处理的流量另外,处理装置构成为能够基于由流量计观测到的流量的波形的变化来监视处理中的气泡、处理的喷射状态等。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]处理装置和处理方法-CN201210067192.9有效
  • 西健治;竹下和宏;绪方信博;田中晓;沟田昌吾 - 东京毅力科创株式会社
  • 2012-03-14 - 2012-09-19 - H01L21/67
  • 本发明提供处理装置和处理方法。能够利用简单的方法形成适合所进行的处理处理气氛。在用于在壳体内的处理空间(21)中向被处理基板(W)的表面供给处理而进行处理处理装置(2)中,旋转保持部(33、341)保持被处理基板并使其绕铅垂轴线旋转,处理供给喷嘴(35)向旋转的被处理基板的表面供给处理第1气体供给部(23)为了形成适合上述处理处理气氛而形成在被处理基板的整个表面流动并流入到杯状件(31)中的第1气体的下降流,第2气体供给部(22)在该第1气体的下降流的外侧区域中形成与上述第1气体不同的第且第1气体供给部和第2气体供给部设在构成上述处理空间的壳体的顶部。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]处理处理收容体-CN201780025775.6有效
  • 村山哲;清水哲也;上村哲也 - 富士胶片株式会社
  • 2017-04-26 - 2023-06-13 - H01L21/027
  • 本发明的课题在于提供一种能够抑制半导体器件的缺陷的产生且抗腐蚀性及润湿性优异的处理。本发明的处理为半导体器件用处理,其含有:选自包括醚类、酮类及内酯类的组中的至少一种有机溶剂;水;及包含选自包括Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Ti及Zn的组中的至少一种金属元素的金属成分,处理中的水的含量为100质量ppb~100质量ppm,处理中的金属成分的含量为10质量ppq~10质量ppb。
  • 处理收容
  • [发明专利]处理装置和处理装置的检测方法-CN202010921031.6在审
  • 桾本裕一朗;羽山隆史;铃木秀启 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-09-04 - 2021-03-12 - G03F7/16
  • 本发明提供处理装置和处理装置的检测方法。处理装置包括:能够载置基片的载置部;对载置于上述载置部的上述基片供给处理以进行处理的喷嘴;用于拍摄上述喷嘴以获取图像数据的拍摄部;和检测部,其基于多个上述图像数据来检测面,该多个上述图像数据是在不从上述喷嘴供给上述处理的期间内的彼此不同的时刻获得的,上述面由设置于上述喷嘴内的上述处理的流路中的该处理或者该处理以外的液体形成。本发明在对基片进行处理时,能够可靠性高地防止处理异常。
  • 处理装置检测方法

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