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[发明专利]一种CVD腔室工件的微弧氧化再生制备方法-CN202210883026.X有效
发明人：刘晓松;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C25D11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD腔室工件的微弧氧化再生制备方法，包括以下步骤：剥离原有的阳极氧化膜层；通过自动研磨机构去除工件表面的缺陷；水洗后去除工件表面上的铝粉，再水洗去除表面的化学残留液；去除反应生成物，并水洗去除表面的化学残留液；将工件放入混酸的电解液中进行膜层再生，在电解液中采用双脉冲电源作为电源输出，并水洗去除表面的化学残留液；热水封孔。本工艺使得制备的氧化膜层表面更均匀，RA能够满足CVD腔室的工作环境；再生的膜层孔隙率降低，在封孔处理时不会产生膜裂现象，提升膜层20％的耐腐蚀性，膜层阳极前后RA变化小于10％；通过自动研磨机构保证了研磨后工件的RA值和氧化膜层的RA值符合要求。
一种 cvd 工件氧化再生制备方法

[发明专利]一种硅环斜面加工工装-CN202310995271.4在审
发明人：李善维;杨伟;郭朋飞;杨佐东;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅环斜面加工工装，属于半导体零部件加工工装技术领域。包括空心安装壳体，所述空心安装壳体的一端设有封闭端面，所述封闭端面上设有十字形分布的通槽，所述通槽位于封闭端面内侧面上的均设有滑道，所述滑道的一端与封闭端面固定连接，所述滑道的另一端设有隔板，所述隔板的边缘与空心安装壳体的内侧面可拆卸式连接，所述滑道内均设有滑块，所述滑块朝向空心安装壳体中部的一端上设有中空的推动架，所述推动架的一端固定于滑块上，所述推动架的另一端延伸至通槽的上方，所述隔板的下方设有转轴上。本技术方案用以解决现有技术中使用粘蜡方式对硅环进行固定的方式对硅环斜面进行加工，导致加工效率低和合格率低的问题。
一种斜面加工工装

[发明专利]一种耐高温的耐等离子刻蚀薄膜的制备方法-CN202310711449.8在审
发明人：贺邦杰;陈立航;周岩;宗学森;杨佐东;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温的耐等离子刻蚀薄膜的制备方法，属于涂层技术领域。包括以下步骤：S1、将Y2O3、Si研磨成粉并混合得混合粉末，将混合粉末加至水中搅拌；S2、向水中加入分散剂、粘合剂，然后喷雾造粒，得造粒粉末；S3、将造粒粉末使用熔射系统熔射，得Y2SiO5‑Si混合非晶涂层。相比于传统的涂层，本发明制备的Y2SiO5‑Si混合非晶涂层在高温环境下拥有优秀的耐等离子刻蚀能力，其性能不会因为温度的升高而下降，且本申请的制备方法简单，便于大规模应用于工业环境。
一种耐高温等离子刻蚀薄膜制备方法

[发明专利]一种陶瓷振动注浆成型装置及方法-CN202210715585.X有效
发明人：余宜璠;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B28B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷振动注浆成型装置及方法，包括：工作台，所述工作台上安装有吸浆模具，所述工作台上安装有安装架，所述安装架上安装有加压机构，所述加压机构输出端能够延伸至所述吸浆模具内挤压浆料，所述工作台滑动安装在振动机构上，所述振动机构用于带动所述工作台往复运动以实现工作台的振动。将石膏块放入吸浆模具中并倒入浆料；静置待浆料表面呈现膏状或酸奶状；通过加压机构施加预设压力将浆料挤压至石膏块内；将吸浆模具整体放入干燥箱中烘干。本发明通过振动机构带动工作台和加压机构往复运动，使加压过程中浆料振动，以使浆料均匀的注入石膏块内，且形成的成型坯体密度均匀，避免成型坯体出现内部空鼓，保证了成型坯体质量。
一种陶瓷振动成型装置方法

[发明专利]一种用于金属表面化学处理的封孔方法-CN202210683618.7有效
发明人：李玉琼;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C25D11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于金属表面化学处理的封孔液及封孔方法，属于化学气相沉积和干法刻蚀设备用的零部件制备技术，包括以下原料组分：水、乙酸铵、磷酸二氢钠，本发明的有益效果：由水与乙酸铵、磷酸二氢钠按比例制备的封孔液封孔产品效果好，耐电压性能高；封孔液由化学药品组成，利用离子平衡和化学沉降作用，调控高温封孔用水；封孔液降低了水质要求，有利于大面积产品的生产，可达到理想的封孔效果。
一种用于金属表面化学处理方法

[发明专利]一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率的装置及方法-CN202310668261.X在审
发明人：陈鸿钰;陈立航;杨佐东;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C25F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率的装置，属于半导体硬脆材料超精密加工设备技术领域，包括：盛有电解液的电解液槽，以及电化学工作站，电解液槽底壁上转动安装有两个第一铜抛光头，电解液槽内设置有升温机构，第一铜抛光头顶壁通过导电胶粘接有SiC晶片，第一铜抛光头上通过第一导电滑环和导线与电化学工作站的阳极连接，电化学工作站的阴极通过导线和第二导电滑环连接有第二铜抛光头，第二铜抛光头靠近SiC晶片侧安装有抛光片，第二铜抛光头上以第二铜抛光头轴线方向为中心周向设有多个通孔。本发明通过设置升温机构对电解液升温处理，可以提高SiC晶片电化学机械抛光的电荷利用效率、阳极氧化速率和抛光速率。
一种水浴升温加快 sic 电化学机械抛光速率装置方法

[发明专利]CVD法再生过程解决SiC边缘环界面和应力的方法-CN202310390772.X在审
发明人：陈鸿钰;陈立航;杨佐东;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了CVD法再生过程解决SiC边缘环界面和应力的方法，属于CVD法沉积薄膜技术领域，S1、将SiC基底表面处理后置于化学气相沉积室内；S2、将沉积室内抽真空至压力小于5Pa，6‑20小时内升温至1000‑1400摄氏度进行加热，保温1‑5小时；S3、通入载气至气压达到500‑10000Pa，并通入混合气体进行沉积；S4、再次对沉积室内抽真空，充入载气至压力达到30‑100kPa，重复此步骤1‑3次；S5、2‑10小时内升温至1300‑1700摄氏度，再持续充入载气，载气流量为30‑60ml/min，压力为10‑55kPa；S6、保温2‑10小时后，降温至室温后取出SiC基底。本发明满足客户一次使用寿命后产品不断再生使用；解决了沉积厚度提高而产生的薄膜内应力残留；解决了蚀刻时等离子冲蚀至基材与沉积间之界面，造成的晶圆不良率的产生。
cvd 再生过程解决 sic 边缘界面应力方法

[发明专利]一种用于单晶硅的碱性蚀刻方法-CN202310521031.0在审
发明人：黄世果;陆宏刚;龙泽吉;杨佐东;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于单晶硅的碱性蚀刻方法，属于硅片蚀刻技术领域，包括以下步骤：S1、硅片表面预处理；S2、将预处理后的硅片置入混合液中浸泡，加入添加剂减缓氧化；S3、再将硅片置入20％KOH溶液中浸泡，多次加入10％的异丙醇反应，直至硅片呈方块状。本发明的蚀刻方法工艺简单，对环境友好，原料易得，填补了国内硅单片碱性蚀刻的技术的弊端，而且本刻蚀法蚀刻出的硅单片使用寿命较酸性刻蚀更长。
一种用于单晶硅碱性蚀刻方法

[发明专利]一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法-CN202310410618.4在审
发明人：屈麟峰;陈立航;杨佐东;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法，属于硅橡胶技术领域所述原料包括硅橡胶、基粉，硅橡胶、基粉的质量比为98：2，所述基粉包括氧化钇、金属粉，将混料炼制、冷却后得胶料，将胶料加热硫化得出成品。本发明在硅橡胶中混入基粉后，可以增强硅橡胶的耐冲蚀磨损性能。
一种等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法

[发明专利]一种微孔清洗装置-CN202210930574.3有效
发明人：刘晓松;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微孔清洗装置，属于精密冲洗设备技术领域，通过入水管连通高压水，气腔连通高压气，高压气经过气腔，并分别压缩气销内的密封头，使密封头移动，密封头将遮盖的气孔漏出，将气体打入流经的水流中，水流通过螺旋状的水通道依次经过若干气销，水流在螺旋状的水通道内旋转，使水流在水通道内旋转和扰动，使水流和气体混合更加均匀，螺旋状的水通道即缩短了气液混合的空间距离，也促进水流和气体的混合；此清洗装置，通过设置多段式气体填充以及旋转式气液的接触，保证气体充分混合进入高压水流中，使喷出的气液混合体更加均匀，对产品的微孔清洗更加均匀稳定，避免对产品的损坏；并且此混合结构紧密，不占用过大的设备空间。
一种微孔清洗装置

[发明专利]一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法-CN202210504745.6有效
发明人：贺邦杰;余宜璠;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法，属于半导体涂层制备技术领域，包括以下步骤：提供包含F离子或C离子或S离子的气体；将上述气体进行加热预处理，使其产生游离的F离子，在低压反应腔内与Y2O3涂层反应，所述低压反应腔的压力小于等于101kPa，所述加热预处理后的气体温度为200～1000℃。将预处理后的气体与Y2O3涂层反应生成氟氧化钇薄膜。采用本发明方法制备氧氟化钇薄膜，反应更为充分，得到的氧氟化钇薄膜的纯度较高，异相氟化钇等杂质的含量较少，可以加强耐等离子体的防腐能力。
一种稀土氧化物薄膜形成方法

[发明专利]一种降低氧化铝陶瓷板材孔隙率的成型装置-CN202310342317.2在审
发明人：杨光;陈立航;杨佐东;郑宣 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B28B1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低氧化铝陶瓷板材孔隙率的成型装置，属于陶瓷成型技术领域，包括：工作台与注浆机构，所述工作台上安装有模具，所述注浆机构能将浆料通过注浆管注入至模具中，所述注浆管上可拆卸安装有管口，所述管口上设有出料口，所述管口以管口轴线方向周向设有多个与出料口连通的滑孔，所述滑孔内通过第一弹簧滑动安装有滑块，所述滑块远离出料口端设有倾斜边，所述模具内滑动安装有浮板，所述浮板上设有与出料口对应的进料口，所述浮板上以管口轴线方向周向安装有多个与滑块一一对应的支座。本发明通过将浆料注入至模具内的预设深度后，滑块延伸至出料口内以缩小出料口的截面面积，从而降低注浆速率。
一种降低氧化铝陶瓷板材孔隙率成型装置

[发明专利]一种高性能耐等离子刻蚀薄膜及其制作方法-CN202211719102.X在审
发明人：贺邦杰;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝实业有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C4/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能耐等离子刻蚀薄膜及其制作方法，属于半导体蚀刻技术领域，所述薄膜为Y3Al5O12‑Y2SiO5混合粉末与F离子反应后形成的三相薄膜，所述三相薄膜由Y3Al5O12‑Y2SiO5混合粉末先经等离子喷涂在经预处理的基材表面，再使CF4气体低压或加热环境下产生F离子，F离子与混合涂层反应得到；本发明的蚀刻薄膜结合各原料的优良特性，拥有抗F、Cl腐蚀的同时，硬度也高，能够对等离子蚀刻设备进行涂层保护；Y氧化物与Al氧化物结合反应生成Y3Al5O12提升耐Cl腐蚀能力，Y氧化物与Si氧化物反应生成Y2SiO5提升硬度，Y3Al5O12‑Y2SiO5混合粉末与F离子部分反应生成YOF提升耐F腐蚀能力。
一种性能等离子刻蚀薄膜及其制作方法

[外观设计]酒水净化器（永磁酒水醇净器）-CN202230561490.8有效
发明人：郑宣 -专利权人：广州智享互联网科技有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： 31-00 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：酒水净化器（永磁酒水醇净器）。2.本外观设计产品的用途：用于净化酒水。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
酒水净化器永磁醇净器

[发明专利]一种用于解决带孔产品药液留痕的治具-CN202211322866.5在审
发明人：李玉琼;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝实业有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于解决带孔产品药液留痕的治具，属于喷淋机构技术领域，包括液压缸，液压缸有底部提拉带孔产品的转杆，带孔产品底部放置药液箱，液压缸中部设置有旋转结构，液压缸另一侧设置有清洗结构，转杆顶部设置有带有水泵的储水盒，提拉杆顶部底面设置有小喷嘴，所述小喷嘴和水泵之间连接有水管；带孔产品底部设置有中部开缝的集水台，开缝正对带孔产品的底部，集水台外侧通过螺栓固定连接有框架，框架靠近液压缸的一端固定连接在液压缸的外侧，解决现有治具因转运时间过长而导致化学药品在上面残留反应，以致于药液留痕无法消除，使带孔产品残次率高的问题。
一种用于解决产品药液

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