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[发明专利]半导体的减薄处理方法-CN202010037685.2在审
发明人：郭振新 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体的减薄处理方法，首先使半导体的背部浸泡硅腐蚀液进行腐蚀，然后，对腐蚀后的半导体进行去离子水冲洗，冲洗后再放入IPA溶剂中进一步清洗，清洗后再次用去离子水冲洗，接着，将半导体置于碱性溶液中，以中和半导体上残留的硅腐蚀液，最后，用去离子水冲洗半导体，并在冲洗后进行甩干和烘干，本发明实施例通过硅腐蚀液对半导体进行腐蚀，以去除半导体上的损伤层，从而消除半导体的内应力，进而提高半导体的使用性能
半导体处理方法

[实用新型]可控硅结构-CN202120561027.3有效
发明人：孙传帮;邵长海;左建伟;杨志伟 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本申请提供的可控硅结构，涉及功率半导体技术领域。在本申请中，可控硅结构包括半导体结构、阳极结构、门极结构和阴极结构。半导体结构包括第一半导体材料层、第二半导体材料层、第三半导体材料层和第四半导体材料层。阳极结构与第一半导体材料层电连接，门极结构与第三半导体材料层电连接，阴极结构与第四半导体材料层电连接。阳极结构、门极结构和阴极结构至少分布于半导体结构相对的两侧。基于上述设置，可以提高可控硅结构的封装便利性。
可控硅结构

[发明专利]一种半导体二极管芯片-CN201510698067.1在审
发明人：金豫浙;冯亚萍;薛生杰;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本发明的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
一种半导体二极管芯片

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备-CN202310621312.3在审
发明人：许静;罗军;苏雪寅;骆堃 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以在高k材料与沟道层之间制备高质量的界面层，从而降低界面态密度，提高半导体器件的亚阈值特性。所述半导体器件包括：半导体结构；其中，半导体结构包括半导体基底以及形成在半导体基底上的沟道层。形成在沟道层上的目标界面层。形成在目标界面层上的栅介质层。形成在栅介质层上的金属栅。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提的半导体器件。
一种半导体器件及其制作方法电子设备

[实用新型]一种半导体二极管芯片-CN201520830860.8有效
发明人：金豫浙;冯亚萍;薛生杰;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 -专利权人：扬州中科半导体照明有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种半导体二极管芯片，属于半导体生产技术领域，第一导电层设置于第一半导体层上，第一导电层与第一半导体层欧姆接触；第一绝缘层覆盖由第二半导体层、半导体发光层、第一半导体层和第一导电层组成的半导体层侧壁，第一绝缘层还延伸覆盖部分透明载体，本实用新型的以上两种技术方案都是通过第一金属焊盘对半导体有源区的全覆盖，更好地改善对半导体芯片热传导，不同平台的第一和第二金属焊盘设计也利于正负电极焊接时的不同处理来提高焊接的合格率。
一种半导体二极管芯片

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210568218.8有效
发明人：韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括步骤S101提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜；步骤S102在所述硬掩膜和半导体衬底中形成浅沟槽隔离；步骤S103在所述半导体衬底中形成超浅沟槽隔离以及位于其两侧的条状图案。本发明的半导体器件的制造方法，由于采用了先形成浅沟槽隔离，再形成超浅沟槽隔离的方式制造沟道分段的晶体管，避免了现有技术中采用双重图形技术容易造成浅沟槽隔离与超浅沟槽隔离重叠的问题，提高了半导体器件的良率
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种发光半导体元件的制备方法及发光半导体元件-CN202210779536.2在审
发明人：邱长波;陈永铭 -专利权人：广州市鸿利显示电子有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产制造领域技术领域，特别涉及一种发光半导体元件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底一侧依次形成半导体层和透光层；剥除衬底，对半导体层上远离透光层一侧预设的第一区域去除部分半导体层以形成填平区；对填平区进行处理形成填平层；在半导体层远离透光层的一侧设置第一电极，在填平层远离透光层的一侧设置与第一电极间隔的第二电极，第一电极与第二电极远离透光层的一侧位于同一平面；将第一电极和第二电极分别与预设电路板电性连接形成发光半导体元件解决了现有半导体发光元件技术内部电极之间存在高度差导致发光均匀性较差的技术问题。
一种发光半导体元件制备方法

[发明专利]白光半导体激光器阵列-CN201610455185.4在审
发明人：赵振宇 -专利权人：北京为世联合科技有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器阵列技术领域，具体涉及一种白光半导体激光器阵列。其包括底座，底座上构造有至少一个环状的屋脊结构，任意两个屋脊结构的中心轴均重合；任一屋脊结构的侧面均中心对称地设有半导体激光芯片，半导体激光芯片包括红光半导体激光芯片，绿光半导体激光芯片，以及蓝光半导体激光芯片
白光半导体激光器阵列

[发明专利]半导体器件阵列-CN202210901208.5在审
发明人：王春明;伍峰;郭昕婕 -专利权人：北京知存科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件阵列。该半导体器件阵列，包括：多个支路，多个支路中的每个支路沿半导体器件阵列的行方向延伸，每个支路包括多个并联的半导体器件；多个源线，多个源线沿第一方向延伸与半导体器件的源极相连；多个字线，多个字线沿第二方向延伸与半导体器件的栅极相连
半导体器件阵列

[发明专利]一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法-CN202211670410.8在审
发明人：樊文浩;朱华日;李辉 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料点缺陷空位尺寸的检测方法，涉及半导体材料技术领域，具体为S1、半导体材料模型的构建S2、半导体材料缺陷模型的构建S3、孤立点缺陷正电子寿命的计算S4、半导体材料点缺陷空位尺寸的检测该半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法是基于第一性原理计算正电子的淹没寿命，可以及其精确的检测出半导体材料点缺陷的空位尺寸。
一种半导体材料点缺陷空位尺寸检测方法

[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202310796749.0在审
发明人：吴珊;游咏晞 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体制造技术领域。所述半导体结构至少包括：半导体层；铝金属层，形成在所述半导体层上，且所述铝金属层表面形成有多个凸部；以及反应层，设置在所述铝金属层上，所述反应层覆盖所述凸部，且在经过退火后，所述反应层与所述铝金属层反应通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，可提高半导体结构的性能。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]白光半导体激光器阵列-CN201510631372.9无效
发明人：杨亚明;韩涛;赵振宇 -专利权人：北京为世联合科技有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器阵列技术领域，具体涉及一种白光半导体激光器阵列。其包括底座，底座上构造有至少一个环状的屋脊结构，任意两个屋脊结构的中心轴均重合；任一屋脊结构的侧面均中心对称地设有半导体激光芯片，半导体激光芯片包括红光半导体激光芯片，绿光半导体激光芯片，以及蓝光半导体激光芯片
白光半导体激光器阵列

[发明专利]一种半导体器件模型的建模方法及相关设备-CN202211336724.4在审
发明人：王成成;卜建辉;高立博;闫珍珍;郭燕萍;许婷;赵发展;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件模型的建模方法及相关设备，涉及半导体技术领域，能够提高建模得到的电子半导体器件模型的适用温度范围。半导体器件模型的建模方法，包括：根据对半导体器件实际测试得到的器件高温数据，对已有半导体器件模型进行参数提取，得到半导体器件高温模型，其中，所述器件高温数据对应的测试环境温度范围超出所述已有半导体器件模型对应的环境温度范围；在所述半导体器件高温模型中嵌入亚阈值漏电温度模型，得到优化版半导体器件高温模型；根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型进行温度参数的提取，得到终版半导体器件高温模型。
一种半导体器件模型建模方法相关设备

[发明专利]一种半导体制冷制热片-CN201510693479.6在审
发明人：唐玉敏;虞红伟 -专利权人：唐玉敏;虞红伟
申请日： 2015-10-24 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制冷制热技术领域，尤其涉及一种半导体制冷制热片。包括用于吸热的冷端、用于散热的热端、设置在所述冷端和热端之间的N型半导体和P型半导体、连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体、电源；所述金属导体设置用于电连接所述电源的正负电极；其特征在于：所述N型半导体设置石墨烯层，或者所述P型半导体设置石墨烯层，或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。即使所述热端并未设置散热装置所述半导体制冷制热片也能保护其不会烧毁，保证其正常工作。
一种半导体制冷制热

[实用新型]一种半导体制冷制热片-CN201520825073.4有效
发明人：唐玉敏;虞红伟;张明亮;孙莹莹;马旦 -专利权人：唐玉敏;虞红伟
申请日： 2015-10-24 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制冷制热技术领域，尤其涉及一种半导体制冷制热片。包括用于吸热的冷端、用于散热的热端、设置在所述冷端和热端之间的N型半导体和P型半导体、连接所述N型半导体和所述P型半导体的金属导体、电源；所述金属导体设置用于电连接所述电源的正负电极；其特征在于：所述N型半导体设置石墨烯层，或者所述P型半导体设置石墨烯层，或者所述N型半导体和所述P型半导体均设置石墨烯层。即使所述热端并未设置散热装置所述半导体制冷制热片也能保护其不会烧毁，保证其正常工作。
一种半导体制冷制热