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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]沉积掩模台、显示器制造设备以及显示器制造方法-CN202310297028.5在审
发明人：金義圭;李尚玟;高晙赫;金宗范;文在晳;安洪均;郑京勳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：公开了沉积掩模台、显示器制造设备以及显示器制造方法，所述沉积掩模台包括台框架、与所述台框架组合的多个卡盘以及在所述台框架的后侧上的多个支撑块。所述多个卡盘在第一方向和第二方向上彼此间隔开，所述第一方向和所述第二方向被限定为所述台框架的延伸方向。所述第一方向和所述第二方向彼此相交。所述多个支撑块在所述台框架的所述后侧上在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开。
沉积掩模台显示器制造设备以及方法

[发明专利]掩模组件、沉积装置及使用沉积装置制造显示设备的方法-CN201910514391.1有效
发明人：张原荣;金珉奭;金宗范;李锺大 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：公开了掩模组件、具有掩模组件的沉积装置及使用沉积装置制造显示设备的方法。该掩模组件可包括框架、第一杆和掩模。第一杆可在第一方向上延伸并且可布置在第二方向上。多个掩模可设置在框架和第一杆上。该多个掩模可在第二方向上延伸并且可布置在第一方向上。第一杆中的每个可具有在第二方向上彼此相对的第一边缘和第二边缘。当在由第一方向和第二方向限定的平面图中观察时，第一杆中的最外侧杆的第一边缘和第二边缘可具有不同的形状，并且最外侧杆的第一边缘的线状长度和第二边缘的线状长度可基本上彼此相等，其中，第一边缘的线状长度和第二边缘的线状长度分别是第一边缘和第二边缘在直线状态下的长度。
模组沉积装置使用制造显示设备方法

[发明专利]掩模、掩模组件及显示装置的制造装置-CN202210440671.4在审
发明人：白大源;蒋敏智;金宗范 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模、掩模组件及显示装置的制造装置。所述掩模包括：沉积图案部，配备有使沉积物质通过的多个沉积孔；虚设图案部，布置在所述沉积图案部的外侧，其中，所述虚设图案部包括具有负泊松比的拉胀结构体。
掩模模组显示装置制造装置

[发明专利]改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室-CN202110264549.1在审
发明人： 金宗范;崔珍善;周娜;李俊杰;王佳;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法及刻蚀腔室，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，腔室内壁吸附的氟离子会与溴化氢气体结合，造成对多晶硅膜质进行刻蚀的溴化氢含量的减少；在连续的刻蚀工艺中，随着刻蚀腔室刻蚀的晶圆数量的增加，刻蚀速率发生变化；因刻蚀速率的变化造成生产工艺良品率下滑和产品均一度下降的问题。本发明的改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性的方法，在刻蚀腔室内壁氟离子聚集区域设置氟离子捕获剂。实现了在连续刻蚀进程中保持刻蚀速率。
改善多晶硅膜层干法刻蚀速率稳定性方法

[发明专利]一种半导体处理系统-CN202110267663.X在审
发明人：李焕珪;金宗范;李俊杰;李琳;王佳;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体处理系统，涉及半导体加工技术领域，用于使处理前的晶圆与处理后的晶圆处在不同的空间，并清除处理前的晶圆及处理后的晶圆的表面的残留气体。该半导体处理系统包括：控制器及与控制器通信的处理腔室、真空传输腔室、设备前端模块、位于设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室。第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均与处理腔室连通。控制器用于控制设备前端模块对晶圆进行上下料，控制处理腔室对晶圆进行处理。控制器还用于在晶圆进入处理腔室之前，控制第一缓冲腔室对晶圆进行清洁，在晶圆离开处理腔室之后，控制第二缓冲腔室对晶圆进行清洁。
一种半导体处理系统

[发明专利]一种半导体器件制造方法-CN202110255117.4在审
发明人： 金宗范;李焕珪;周娜;李俊杰;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件制造方法，涉及半导体制造技术领域，用于解决压焊点中残留的氟离子造成的压焊点腐蚀的问题。所述半导体器件制造方法包括：提供一基底，基底包括衬底以及形成在衬底上的铝导电结构。形成覆盖铝导电结构以及衬底的钝化层。利用含氟的反应气体至少对钝化层进行图案化处理，得到多个压焊点。在同一处理腔室内，对多个压焊点进行原位后处理，以去除残留在多个压焊点上的氟离子。在多个压焊点上形成多个导电连接结构。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202011456891.3在审
发明人： 金宗范;李俊杰;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体集成电路技术领域，以解决钨塞中的钨被掏蚀，影响上下互联的导电效果的问题。所述半导体器件的制造方法包括：提供金属层和层间介质层，其中，所述层间介质层具有通孔。在层间介质层的通孔侧壁形成保护侧墙。沿高度方向刻蚀部分所述层间介质层，以使所述保护侧墙的顶部高于所述层间介质层的顶部。在具有所述保护侧墙的所述通孔内形成金属塞结构，其中，所述保护侧墙的顶部高于所述金属塞结构的顶部。在所述金属塞结构上形成金属线。所述半导体器件包括上述技术方案所提的半导体器件的制造方法。本发明提供的半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202011300831.2在审
发明人： 金宗范;周娜;李俊杰;王佳;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决铜互连线之间产生铜桥的问题。所述半导体器件的制造方法，包括：提供一基底，基底上具有多个第一沟槽。在多个第一沟槽中形成铜互连线。形成覆盖铜互连线以及基底的第一介质层。对第一介质层和部分基底进行图案化处理，得到多个第二沟槽，每个第二沟槽位于相邻两个第一沟槽之间。至少在第二沟槽中形成第二介质层。所述半导体器件采用上述技术方案所提的半导体器件的制造方法制造。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]掩模框架组件和通过使用其制造有机发光显示设备的方法-CN202111134032.7在审
发明人：蒋敏智;李钟大;金宗范;金相勳;田相轩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：提供一种掩模框架组件和通过使用其制造有机发光显示设备的方法，该掩模框架组件包括：(i)框架，包括开口部分；(ii)开放掩模，联接到框架以覆盖开口部分，并包括主要部分、第一肋、第二肋和第一桥部分，主要部分包括位于开口部分中的多个开口，第一肋连接到主要部分并且在远离主要部分的中心的第一方向上延伸，第二肋连接到主要部分并且在与第一方向交叉且远离主要部分的中心的第二方向上延伸，第一桥部分将第一肋的在朝向第二肋的方向上的第一边缘连接到第二肋的在朝向第一肋的方向上的第二边缘；以及(iii)掩模棒，与开放掩模重叠，具有联接到框架的两端，并且包括多个孔。
框架组件通过使用制造有机发光显示设备方法

[发明专利]制造分体式掩模的方法-CN201710863820.7有效
发明人： 金宗范;李尚玟;白大源;宋珉澈;李相信;李丞赈;全志姸 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种制造分体式掩模的方法，所述方法包括：在第一方向上拉伸掩模构件的相对端部以将掩模构件固定至固定部分；在所固定的掩模构件上形成具有多个第一开口的第一图案部分，使得第一图案部分朝向第一图案部分的中部在第一方向上具有较长的长度；以及切割掩模构件的相对端部以使掩模构件从固定部分分离。
制造体式方法

[发明专利]分体式掩模-CN201710794670.9有效
发明人：白大源;金宗范 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请涉及一种分体式掩模。所述分体式掩模包括：包括至少一个开口图案的主体以及处于主体的边缘处的夹持部分，夹持部分具有随着相距主体的距离增加而增加的宽度，而且夹持部分包括从主体延伸并且包括至少一个虚拟图案的扇出部分以及具有随着相距扇出部分距离增加而减小的宽度的至少一个分支部分。
体式

[发明专利]一种半导体器件结构的制造方法-CN202010918074.9在审
发明人： 金宗范;周娜;李俊杰;杨涛;王文武;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请涉及半导体结构中字线的制造方法，包括：提供半导体衬底，并在半导体衬底上形成字线凹槽；在所述字线凹槽依次沉积栅氧化层、扩散阻挡层；在所述字线凹槽填充导电材料；平坦化所述导电材料；采用循环刻蚀工艺回刻所述导电材料，使得所述导电材料的表面低于所述半导体衬底的表面。本申请的采用循环刻蚀工艺进行导电材料回刻，以解决在回刻钨等字线导电材料过程中容易发生的对层间介质层和半导体衬底的不期望的刻蚀，进而解决有源区减少和短沟道效应等技术问题。
一种半导体器件结构制造方法

[发明专利]掩模组件-CN202110652039.1在审
发明人：金相勋;金宗范;姜延姝;朴钟圣;李相信;李丞赈;郑恩汀 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种掩模组件包括掩模和阻挡杆。所述掩模包括其中形成有开口的图案区域并且在第一方向上延伸。所述阻挡杆设置在所述掩模下面并且与所述掩模的第一侧部重叠。所述掩模进一步包括伪开口区域和开口区域。所述伪开口区域在所述第一方向上布置在所述掩模的所述第一侧部上，并且其中形成有开口。所述开口区域在所述第一方向上布置在所述掩模的与所述第一侧部相对的第二侧部上，并且分别对应于所述伪开口区域。所述伪开口区域和所述开口区域的每一个中的每单位面积的开口数量小于所述图案区域中的每单位面积的开口数量。
模组

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010275688.X在审
发明人： 金宗范;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开公开了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的介质层；嵌入于所述介质层当中的至少一个凹槽；凹槽中的金属互连线；所述凹槽的内壁具有侧墙。本公开中，在金属互连线周围形成相同序列的氮化物膜层，解决了金属离子在不同膜层界面处容易产生迁移的问题。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法-CN202010276306.5在审
发明人： 金宗范;周娜;李俊杰;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开公开了一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，包括：提供一基底，所述基底一侧表面上具有金属层；对所述金属层进行刻蚀；以及在所述金属表面形成氧化膜。本公开中，在金属刻蚀后，在金属表面形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及其内部残留的氯成分反应，防止金属刻蚀后金属腐蚀的发生。
金属刻蚀防止金属腐蚀方法

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