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[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210267693.5在审
发明人：武羽;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：在一衬底上形成掩膜材料层；在掩膜材料层的表面形成光阻层，光阻层包括多个间隔分布的开口，开口露出掩膜材料层；形成覆盖开口的侧壁的参考掩膜层，参考掩膜层包括第一掩膜层和第二掩膜层，第一掩膜层位于第二掩膜层和开口的侧壁之间；第一掩膜层和第二掩膜层的蚀刻速率不同；去除光阻层；对第一掩膜层、第二掩膜层和掩膜材料层进行选择性蚀刻，以在掩膜材料层中形成多个等间距分布且凹陷深度均相等的凹部。本公开的制备方法可降低出现关键尺寸不均匀及蚀刻深度不一致的可能性，提高产品良率。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]晶圆加工机台和晶圆方向调整方法-CN202310865863.4在审
发明人：李备;王士欣 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆加工机台和晶圆方向调整方法，应用于集成电路制造领域。晶圆加工机台包括：反应腔体、晶圆盒装载端口、大气机械臂、真空机械臂以及设置在反应腔体和晶圆盒装载端口之间的真空腔，真空腔包括：环形的第一承载台，环形内径为第一值；圆形的第二承载台，与第一承载台同轴，直径小于等于第一值，可轴向旋转且沿轴向移动；至少一个探测器，安装在第一承载台上方，用于探测晶圆表面并输出晶圆探测信号；控制器，用于根据晶圆探测信号获取晶圆定位标记的位置，根据晶圆定位标记的位置控制第二承载台轴向旋转和沿轴向移动，以使晶圆的晶圆定位标记处于预设位置，且控制晶圆被第一承载台承载。本公开实施例可以提高晶圆转运速度。
加工机台方向调整方法

[发明专利]探测装置及探测方法-CN202210212041.1在审
发明人：武羽;王士欣;王盈智 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种探测装置及探测方法，探测装置包括：连接部件；通电组件，通电组件与连接部件可相对移动地连接，以使通电组件接触待检测部件；探测组件，探测组件与连接部件可相对移动地连接，以使探测组件接触待检测部件，本发明的探测装置解决了现有技术中的探针测量片电阻时在下针过程中接触不良的问题。
探测装置方法

[发明专利]防止网络入侵的单设备电力MEC终端-CN202310432355.7在审
发明人：肖苏超;神祥明;王楠;王士欣;李彤阳;汪振宇;盛夏;潘宇婷 -专利权人：上海电力设计院有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明公开了防止网络入侵的单设备电力MEC终端，第一物理网口与5G核心网控制平面SMF设备连接；第二物理网口与5G基站连接；第三物理网口与企业内网交换机连接；第四物理网口与运营商广域网路由器连接；第一虚拟网络是加密认证应用和UPF网元之间的传输通道；第二虚拟网络是加密认证应用和规约转换应用之间的传输通道；第三虚拟网络是其它电力应用和规约转换应用、纵向加密应用之间的传输通道；第四虚拟网络为UPF网元和第四物理网口的传输通道，作为连接非电力业务的园区管理类业务虚拟网段，提高终端园区场景适应能力。本发明简化了现有技术中通用MEC设备需结合加密认证设备、网络交换机设备多设备组网才能解决的网络入侵问题。
防止网络入侵设备电力 mec 终端

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310312017.X在审
发明人：庞士磊;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：在衬底上形成的栅极沟槽；在栅极沟槽内依次形成的栅极介质层、阻隔层和导电层；导电层包括第一导电层和第二导电层，第一导电层的边缘与栅极沟槽的内壁之间具有第一间隙，第二导电层的边缘与栅极沟槽的内壁之间具有第二间隙，第二间隙大于第一间隙；介质层覆盖所述第二导电层的表面且填充所述第二间隙。本公开提供半导体结构，通过增大半导体结构中导电层与栅极沟槽内壁间的横向尺寸，并在导电层与栅极沟槽内壁之间填充介质层，以提高导电层与漏极之间的绝缘性，减小栅诱导漏极泄漏电流，降低器件的功耗，提升器件的可靠性，进而提高器件的良率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体制程的材料残余状态检测方法-CN202310245158.4在审
发明人：万亚雄;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体制程的材料残余状态检测方法，半导体制程用于制备半导体结构，半导体结构包括目标区域，材料位于目标区域且至少包括第一元素，目标区域的面积记为St。目标区域包括待测区域，待测区域的面积记为S0，其中，半导体结构包括至少一个标准半导体结构和至少一个待测半导体结构。检测方法包括：对标准半导体结构执行第一处理操作，以确定半导体结构的修正系数k，对待测半导体结构执行第二处理操作，以确定目标区域是否存在材料残留。
一种半导体材料残余状态检测方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202111304289.2在审
发明人：武羽;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。其中，半导体结构的制作方法包括：提供基底；于基底上形成间隔设置的第一图形化掩膜层以及第二图形化掩膜层，第一图形化掩膜层与第二图形化掩膜层在相同的刻蚀条件下具有不同的刻蚀速率；基于第一图形化掩膜层以及第二图形化掩膜层，刻蚀基底。本申请可以有效提高基底内形成的沟槽的关键尺寸的均匀性。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构-CN202310215738.9在审
发明人：武羽;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体制造技术领域，提供半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供基底层；在基底层上形成相互间隔的多个掩膜结构，掩膜结构包括两个第一侧墙结构和两个第二侧墙结构，两个第二侧墙结构分别位于两个第一侧墙结构中相对的两个侧壁上，第二侧墙结构包括沿远离基底层的厚度方向依次层叠的第一侧墙层和第二侧墙层；测量相邻掩膜结构的间距和两个第二侧墙结构的间距以进行对比；刻蚀基底层形成第一开口和第二开口，第二开口位于相邻掩膜结构之间，第一开口位于掩膜结构内的两个第二侧墙结构之间；其中，根据对比的结果，控制刻蚀工艺中第一侧墙结构相对于第二侧墙结构的刻蚀选择比，以保证半导体结构特征尺寸的一致性。
半导体结构制造方法

[发明专利]5G网络切片在智慧能源领域的配电自动化系统通信方法-CN202111667767.6有效
发明人：肖苏超;神祥明;王楠;王士欣 -专利权人：上海电力设计院有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H04W4/06 文献下载
摘要：本发明公开了5G网络切片在智慧能源领域的配电自动化系统通信方法；配电DTU通过5G通信模组与相应的基站无线连接，通过5G通信模组将与所述配电DTU对应，且将进行空口数据打包后的5G应用报文发送给基站，进行二层报文组播。本发明在现有配电DTU中新添加5G通信模组后通信报文的组织形式，针对现用配电DTU结合5G CPE进行改造以实现和新型配电DTU相同功能进行改造，通过UPF网元和企业交换机之间的互联后报文的转换，而且能够实现同一UPF下各配电DTU之间的二层报文组播，以及不同UPF下各配电DTU之间的二层报文组播。
网络切片智慧能源领域配电自动化系统通信方法

[发明专利]一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置-CN202110824913.5在审
发明人：黄鑫;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置，包括：提供衬底，所述衬底内具有多个隔离区，所述隔离区于所述衬底隔离出若干个有源区；同时对所述有源区和隔离区进行第一次蚀刻，以形成第一接触通孔，所述第一接触通孔底部于有源区位置处形成凸起有源区；沉积第一介质层，覆盖所述第一接触通孔的侧壁和底部；对第一接触通孔底部进行第二次蚀刻，形成具有目标深度的接触结构。通过往第一接触通孔底部回填第一介质层，再次蚀刻达到目标深度，降低第一接触通孔底部在不同介质层面的高低差，避免后续需要填入接触结构的导电材料无法完全填满的问题，提高后续形成的半导体结构的电性能，进而提高良率。
一种接触结构形成方法半导体装置

[发明专利]一种基于卷积神经网络的固体火箭发动机内弹道参数预测方法-CN202210397712.6在审
发明人：孙瑞阳;姜毅;牛钰森;强新伟;王士欣;闫晴霄;隋九龄 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于卷积神经网络的固体火箭发动机内弹道参数预测方法，针对现有的技术中，对于燃速系数和压强指数的辨识的技术仅仅停留在依靠三维软件计算求得的结果成本高且可信度差、适用范围小，可通过固体火箭发动机内弹道理论公式生成的压强‑时间曲线图片与实验所获得的压强‑时间曲线图片对比，由神经网络筛选出最优解，可减小人为分析判断的误差，同时不需要大量的实验数据，可减小实验所需要的成本。
一种基于卷积神经网络固体火箭发动机弹道参数预测方法

[发明专利]基于5G多锚点的光伏监控系统、方法、设备及介质-CN202210387867.1在审
发明人： 王士欣;神祥明;王楠;肖素超 -专利权人：上海电力设计院有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H04L67/125 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于5G多锚点的光伏监控系统、方法、电子设备以及介质。该系统包括：中心监控模块和至少一个边缘监控模块；所述边缘监控模块用于通过5G接入网接收各所述光伏系统的数据获取设备发送的运行数据，对接收的所述运行数据进行实时数据处理，生成各所述光伏系统的数据处理结果，并将所述数据处理结果发送至所述中心监控模块；所述中心监控模块与各所述边缘监控模块通信连接，用于对接收到的各所述数据处理结果进行数据分析，并将数据分析结果反馈至对应的边缘监控模块。通过本发明实施例公开技术方案，实现了降低监控系统的处理时延，缓解数据回传压力，从而提升处理效率。
基于多锚点监控系统方法设备介质

[发明专利]模拟晶圆芯片的电性的方法及半导体工艺方法-CN202110119730.3在审
发明人：李弘祥;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种模拟晶圆芯片的电性的方法，其特征在于，包括：构建数据库，所述数据库包括晶圆芯片经过目标关键工艺后所获得的半导体结构的光谱数据、所述晶圆芯片的实际电性数据以及所述光谱数据与所述实际电性数据之间的对应关系；对目标晶圆芯片执行所述目标关键工艺，获取所述目标晶圆芯片经过所述目标关键工艺后所得的半导体结构的光谱数据，该光谱数据为目标光谱数据；基于获取的所述目标光谱数据及所述数据库模拟出所述目标晶圆芯片的电性数据，该电性数据为目标电性数据。上述模拟晶圆芯片的电性的方法，可以在目标关键工艺后及时评估晶圆芯片的电性参数，便于及时发现晶圆芯片在制备过程中出现的电性异常，减少人力、物力和财力的浪费。
模拟芯片方法半导体工艺

[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其制备方法-CN202011349123.8在审
发明人：陈卓;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器电容器及其制备方法。其中，DRAM电容器包括介电层，所述介电层包括：高介电材料层；和低介电损耗材料层，设置在所述高介电材料层两侧表面。本发明的DRAM电容器的介电层包括高介电材料层和设置在高介电材料层两侧表面的低介电损耗材料层，高介电材料层可以提高介电层的介电常数，使其具有更好的介电性能；两侧表面设置的低介电损耗材料层可以有效解决高介电材料层的介电损耗，从而实现介电层的高介电常数和低介电损耗的目的。本发明的DRAM电容器制程简单，便于工业化生产。
动态随机存取存储器电容器及其制备方法

[发明专利]半导体结构的测量方法、系统、介质和电子设备-CN202110227148.9有效
发明人：黄鑫;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构的测量方法、系统、介质和电子设备，待测半导体结构设置在有源区，对照半导体结构设置在切割道区；待测半导体结构包括第一凹槽，所述第一凹槽顶部具有第一开口宽度；对照半导体结构包括第二凹槽，所述第二凹槽顶部具有第二开口宽度；测量方法包括：对所述待测半导体结构和所述对照半导体结构分别建模，对应得到第一模型和第二模型；基于严格耦合波理论分别对第一模型和第二模型进行同步寻值；将同步寻值结果中同时满足限定条件的解作为第一模型和第二模型的解，并根据第一模型的解获取所述待测半导体结构的光学关键尺寸。本发明的技术方案可以较为精确地测量半导体结构的光学关键尺寸。
半导体结构测量方法系统介质电子设备

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