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[发明专利]具有小尺寸光学黑区的互补金属氧化物半导体图像传感器-CN200610136395.3有效
发明人：安正 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：CMOS图像传感器包括多个有源像素行和一光学黑像素行。该光学黑像素行根据至少两个有源像素行每一个的激活而激发产生各自的光学黑信号。这样共用光学黑像素行减小了CMOS图像传感器的光学黑区。
具有尺寸光学互补金属氧化物半导体图像传感器

[发明专利]硅基液晶面板及其制作方法-CN202110357427.7在审
发明人：黄国龙;徐荣 -专利权人：深圳晶微峰光电科技有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基液晶面板，包括：晶圆基板，晶圆基板包括硅基底、有源电路和多个导电结构，硅基底包括相对的第一表面和第二表面，有源电路的像素电路区和多个导电结构间隔设置于第一表面上；及液晶组件，设置于第一表面上，多个导电结构位于液晶组件的外围，液晶组件用于通过有源电路调制光源光并反射；其中，硅基底的第一表面包括光学区和导电区，导电区围绕光学区且与光学区拼接，液晶组件位于光学区，多个导电结构位于导电区，硅基底上设置有液晶组件和多个导电结构的表面为矩形，光学区为矩形，多个导电结构围绕光学区的至少两边。
液晶面板及其制作方法

[发明专利]一种测试有源区顶部圆滑度的方法-CN201610790820.4有效
发明人：聂钰节;许进;唐在峰;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试有源区顶部圆滑度的方法，包括：测量浅沟槽隔离刻蚀完成后的有源区上部残留硬质掩模层的顶部线宽、硬质掩模层的残留厚度及硬质掩模层的倾斜角度，并计算出硬质掩模层底部线宽；测量浅沟槽隔离刻蚀完成后的有源区底部线宽、浅沟槽深度及有源区的倾斜角度，并计算出有源区顶部延伸长度；利用光学线宽测量仪测量并计算出有源区顶部延伸长度表征有源区顶部圆滑度；根据有源区顶部延伸长度定量调节后续浅沟槽刻蚀工艺参数。
一种测试有源顶部圆滑方法

[发明专利]一种面发射可调谐半导体激光器及光学设备-CN202211211939.3在审
发明人：吴昊;张建伟;宁永强 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明实施例中提供一种面发射可调谐半导体激光器及光学设备包括边发射组件、垂直反射组件、压电组件、外腔镜以及芯片后腔镜，所述垂直反射组件具有45度反射斜面结构、进光面和出光面，压电组件具有通光孔，边发射组件包括有源区，进光面贴合在边发射组件的侧面并与有源区的一端接触，出光面与压电组件贴合，所述垂直反射组件与所述压电组件贴合的表面设有光学减反膜，45度反射斜面结构镀有高反膜，有源区的光轴与通光孔的光轴互相垂直，由芯片后腔镜、有源区、垂直反射组件、通光孔和外腔镜构成光学谐振腔，通过压电组件在外加调制电压信号的驱动下产生机械伸缩效应，改变光学谐振腔长度，实现更高的激光输出功率，有利于拓展更多应用场景。
一种发射调谐半导体激光器光学设备

[发明专利]半导体芯片与垂直腔表面发射激光器装置及其形成方法-CN201910842750.6在审
发明人：陈志彬;刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：垂直腔表面发射激光器结构包括第一反射器、光学有源区及第二反射器。第二反射器上覆在光学有源区上，第一反射器在光学有源区之下。结合环上覆在衬底上且在横向上与结合凸块隔开。结合环连续地延伸而围绕结合凸块。
半导体芯片垂直表面发射激光器装置及其形成方法

[发明专利]光电子器件和照明设备-CN200780024220.6有效
发明人：朱利叶斯·穆沙韦克 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子器件(1)，其具有光学有源区(100)，其中该光学有源区包括：至少一个半导体芯片(2)，所述半导体芯片被设计用于产生电磁辐射(4)；以及射束成形元件(3)，所述半导体芯片在工作中发射的电磁辐射的至少一部分通过该射束成形元件射出，并且该射束成形元件具有光轴(5)，并且其中该光学有源区具有关于垂直于光轴的坐标系(6，7)的象限对称性。
光电子器件照明设备

[发明专利]有机发光显示面板及有机发光显示装置-CN202310754372.2在审
发明人：蔡敏;张中杰;夏志强;马扬昭 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K59/65 文献下载
摘要：上述有机发光显示面板包括：衬底基板；显示区，显示区包括光学部件设置区；像素，像素包括第一像素，第一像素包括第一像素电路，第一像素电路包括第一晶体管，第一晶体管位于光学部件设置区；第一晶体管包括沿远离衬底基板的方向依次层叠设置的有源层和栅极层，其中，有源层包括沟道区；遮光结构，遮光结构位于光学部件设置区，且遮光结构位于有源层远离有机发光显示面板出光面的一侧；遮光结构包括第一遮光层，在垂直于衬底基板所在平面的方向上，沟道区与第一遮光层完全交叠
有机发光显示面板显示装置

[发明专利]有机发光显示面板及有机发光显示装置-CN201910939904.3有效
发明人：蔡敏;张中杰;夏志强;马扬昭 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K59/126 文献下载
摘要：上述有机发光显示面板包括：衬底基板；显示区，显示区包括光学部件设置区；像素，像素包括第一像素，第一像素包括第一像素电路，第一像素电路包括第一晶体管，第一晶体管位于光学部件设置区；第一晶体管包括沿远离衬底基板的方向依次层叠设置的有源层、栅极层和源漏极层，其中，有源层包括沟道区；遮光结构，遮光结构位于光学部件设置区，且遮光结构位于有源层远离有机发光显示面板出光面的一侧；遮光结构包括第一遮光层，在垂直于衬底基板所在平面的方向上，沟道区与第一遮光层完全交叠
有机发光显示面板显示装置

[发明专利]垂直光电二极管-CN202310211652.9在审
发明人： C·鲍多特;S·克勒梅;N·维利耶;D·佩利谢尔-塔农 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半导体材料层中。垂直光电二极管光学地耦合到在半导体材料层中形成的波导。
垂直光电二极管

[发明专利]垂直光电二极管-CN201910169544.3有效
发明人： C·鲍多特;S·克勒梅;N·维利耶;D·佩利谢尔-塔农 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：垂直光电二极管包括有源区。用于二极管端子的接触焊盘远离有源区横向移位，以便不位于有源区的上方或下方。有源区由锗区的本征的下部分和锗区的用第一导电类型掺杂的上部分而形成在半导体材料层中。垂直光电二极管光学地耦合到在半导体材料层中形成的波导。
垂直光电二极管

[发明专利]GaN基超辐射发光二极管的外延结构及其应用-CN202010909794.9在审
发明人：刘建平;熊巍;胡磊;田爱琴;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述GaN基超辐射发光二极管的外延结构包括沿所述外延结构厚度方向依次设置的第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、电子阻挡层和第二光学限制层，所述有源区包括至少一量子阱层和至少一量子垒层，所述有源区采用二维岛状生长的InGaN/GaN量子阱或者多个不同厚度的InGaN/GaN的量子阱作为有源区。本发明采用二维岛状生长的量子阱或不同宽度的量子阱作为超辐射发光二级管的有源区，使得超辐射发光二极管的量子阱具有更大发光光谱半宽，因此可以得到宽光谱的超辐射发光二级管。
gan 辐射发光二极管外延结构及其应用

[发明专利]具有光学限制控制的低成本长波长VCSEL的设计和制造-CN202111591179.9在审
发明人：尤里·伯克;弗拉迪米尔·亚科夫勒夫;塔米尔·沙克兹;埃拉德·门托维奇;马坦·加兰蒂;伊特沙克·卡利法 -专利权人：迈络思科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：这些器件包括有源区，该有源区位于GaAs晶片上的半导体DBR与在有源区上再生长的电介质DBR之间。所述有源区包括限制在有源n‑InP和p‑InAlAs层之间的多量子层（MQL）以及MQL上方的隧道结层。半导体DBR被通过晶片键合工艺融合到有源区的底部。设计通过仅使一个晶片键合然后使包括电介质DBR的其他层再生长而简化了集成反射器和有源区堆叠。在有源区的n‑InP层或半导体DBR的顶部上的气隙间隔层中制造气隙。气隙增强了VCSEL的光学限制。
具有光学限制控制低成本波长 vcsel 设计制造

[发明专利]包括接触元件的光电半导体芯片和制造光电半导体芯片的方法-CN201980098488.7在审
发明人：罗伯托·多西;马西莫·卡塔尔多·马齐洛 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：一种光电半导体芯片(10)，包括半导体本体(100)，半导体本体包括被配置为产生电磁辐射的多个有源区(110)，多个有源区(110)被设置在水平平面上。光电半导体芯片(10)还包括被配置为将至少两个相邻的有源区彼此电连接的导电件(120)，导电件(120)被设置在半导体本体(100)的第一主表面(101)之上。光电半导体芯片(10)还包括接触元件(125)和光学元件(130)，接触元件从第一主表面(101)延伸到半导体本体(100)的第二主表面(102)并且经由第一主表面(101)之上的接触材料(122)与至少一个有源区(110)电连接，光学元件被设置在半导体本体(100)的第一主表面(101)之上。
包括接触元件光电半导体芯片制造方法

[发明专利]二维/三维切换显示模块及具有其的显示装置-CN201310163088.4无效
发明人：锺朝钧;刘懿汉 -专利权人：群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G02B27/22 文献下载
摘要：本发明提出一种二维/三维切换显示模块，包括一显示面板、一光学模块及一校正电路。显示面板具有一有源区。光学模块相对设置于有源区上，用以改变一光路径以显示一三维图像。光学模块与显示面板具有一相对位置信息。
二维三维切换显示模块具有显示装置

[发明专利]光学损失减少的光电子器件-CN202180022569.6在审
发明人： J·迪昂;D·迪万;B·A·罗宾森;R·B·杰因 -专利权人：传感器电子技术股份有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：公开了一种光学损失减少的异质结构。该异质结构包括：一组n型层；有源区，所述有源区生成峰值发射波长处的辐射；以及一组p型层，所述一组p型层与所述有源区相邻地定位。反射结构可以与所述一组p型层相邻地定位。所述一组p型层的厚度可以被配置为促进在朝向所述一组n型层的方向上的反射辐射与由有源区发射的辐射的相长干涉。
光学损失减少光电子器件