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[发明专利]光子集成芯片-CN202180093112.4在审
发明人：蓝而来;罗德厚;卡马尔•卡德尔;许龙城 -专利权人：实光半导体私人有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：光子集成芯片被配置为发送器‑接收器芯片。光子集成芯片包括光发射器、光检测器、多模干涉耦合器和模场适配器。光发射器发射的光被引导至形成在多模干涉耦合器下方的芯层，并进一步引导至模场适配器，用于将光传输至与光子集成芯片耦合的光纤。该光子集成芯片用于实现光纤陀螺仪电路的单个发射接收模块，该模块基于在基板上通过晶圆制造实现光子元件的单片集成。该光子集成芯片制造成本低、尺寸小并且坚固。
光子集成芯片

[发明专利]芯片仿真验证系统、方法以及电子设备-CN202310808516.8在审
发明人：孟怀宇;沈亦晨;姜亚华;罗家建;陈章 -专利权人：杭州光智元科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片仿真验证系统、方法以及电子设备，所述系统包括控制模块、模拟器模块以及光子集成电路芯片封装，控制模块用于将与仿真请求相关的数据和指令加载至模拟器模块；模拟器模块通过其提供的接口将需要光子集成电路芯片参与的计算任务转发至光子集成电路芯片封装以及控制光子集成电路芯片执行光子计算操作；光子集成电路芯片封装根据接收到模拟器模块转发的数据和指令以控制光子集成电路芯片执行光子计算操作，并将光子计算操作的计算结果返回至模拟器模块以供控制模块获取，可实现在PIC芯片制造完后，未完成EIC芯片或尚未将PIC芯片及EIC芯片进行集成之前对PIC芯片进行软件开发验证，或其它功能验证。
芯片仿真验证系统方法以及电子设备

[发明专利]一种硅光子芯片高度集成多通道光收发模块和有源光缆-CN201711152841.4有效
发明人：施伟明;沈笑寒;徐虎;孙权;蔡寅舟;杨晓佳 -专利权人：苏州卓昱光子科技有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光子芯片高度集成多通道光收发模块，其包括：硅光子集成芯片、电路集成芯片、组装印刷线路板，硅光子集成芯片、电路集成芯片均集成在组装印刷线路板上，硅光子集成芯片包括硅光子发射芯片和硅光子接收芯片，电路集成芯片包括电路集成发射芯片和电路集成接收芯片，电路集成发射芯片通过导线与硅光子发射芯片连接，硅光子发射芯片通过光纤跳线连接至光纤活动连接器上，电路集成接收芯片通过导线与硅光子接收芯片连接，硅光子接收芯片通过光纤跳线连接至光纤活动连接器上本发明基于先进的硅光子芯片集成技术，提供一种集成化、低功耗、低成本的100Gbps高速硅光子收发模块和有源光缆。
一种光子芯片高度集成通道收发模块有源光缆

[发明专利]一种多层多维光子集成芯片出/入光结构及制备方法-CN202111570671.8在审
发明人：蒋卫锋;毛思强;胡金柱 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层多维光子集成芯片出/入光结构，包括置于底部的硅衬底，所述硅衬底的上方具有n层依次叠加的光子集成芯片，并通过前n‑1个堆叠的光子集成芯片用以实现n‑1维水平互联，水平互联的维度数量与光子集成芯片的侧面数量相等；各层光子集成芯片的结构均相同，从下至上依次为下包层、芯层及上包层，所述芯层集成有由输入波导及输出波导构成的出入光光波导结构，且除最顶层外的其余各层光子集成芯片的出入光光波导结构分别朝向各不相同的方向，最顶层光子集成芯片通过顶部设置的表面光栅与其出入光光波导结构连接，通过表面光栅与光纤连接后实现光的输入输出。本发明能够在多个维度实现光纤与光子集成芯片的连接，性能优异。
一种多层多维光子集成芯片结构制备方法

[实用新型]用于芯片互连的光学中介层-CN202321091951.5有效
发明人：胡顶达;吴柏逸;方介昱;林廷晏 -专利权人：上诠光纤通信股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于芯片互连的光学中介层，包括第一全反射层、波导，以及第二全反射层。光学中介层设置于第一光子集成电路芯片及第二光子集成电路芯片上，将第一光子集成电路芯片及第二光子集成电路芯片相互耦接。第一全反射层及第二全反射层的折射率低于波导，使光讯号在材料交界处不断进行全反射，在波导内以之字形前进，进而在第一光子集成电路芯片及第二光子集成电路芯片之间传输。
用于芯片互连光学中介

[发明专利]芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片-CN202310749514.6在审
发明人：王启超;刘玲玲;余辉;张强;尹坤 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片。芯片冷却结构包括基底；光子集成回路，设置于基底的一侧，光子集成回路包括若干光电器件；冷却层，设置于基底远离光子集成回路的一侧，冷却层包括微流道、微流道入口以及微流道出口；密封层，设置于冷却层远离基底的一侧本申请通过在光子集成回路的背面集成包含微流道的冷却层，通过流体带走光子集成回路的热量，可以有效的给光子集成回路进行降温。
芯片冷却结构及其制造方法光子集成

[发明专利]基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法-CN201811538968.4有效
发明人：陈光灿;赵玲娟;陆丹;赵武;王欢;齐合飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：本公开提供一种基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法，该基于光子集成芯片的多功能信号源包括：光子集成芯片、光反馈环路、光电振荡环路以及任意波形发生器；其中该光子集成芯片包括：放大反馈激光器和探测器。本公开提供的基于光子集成芯片的多功能信号源及操作方法，在光子集成芯片上，探测器在芯片上将放大反馈激光器产生的高质量光载微波信号、啁啾激光信号和宽带混沌信号直接转换成电域信号输出，将光电振荡器系统中所需的有源光子器件集成在同一芯片上
基于光子集成芯片多功能信号源操作方法

[发明专利]一种光电混合集成芯片-CN202210462381.X有效
发明人：王欣;杨国亮;郭丹丹;翟鲲鹏;吉贵军;周赤;郑耀国;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电混合集成芯片，包括：衬底；凹槽，开设于衬底的上表面；第一光子集成元件和第二光子集成元件设置于衬底上，且位于凹槽的两侧；凹槽靠近第一光子集成元件和第二光子集成元件的侧面之间的夹角大于0°且小于180°；第一光子集成元件和第二光子集成元件通过光子引线进行光学连接。本公开通过在衬底上开设凹槽，且该凹槽的两侧设置有第一光子集成元件和第二光子集成元件，使得能够通过凹槽观测到光子引线和第一光子集成元件、第二光子集成元件之间的光学连接情况，从而提高光子引线和第一光子集成元件、第二光子集成元件之间的对准精度，降低了光耦合难度和损耗，提高了光电混合集成芯片的可靠性和实用性。
一种光电混合集成芯片

[实用新型]一种硅光子芯片高度集成多通道光收发模块和有源光缆-CN201721547105.4有效
发明人：施伟明;沈笑寒;徐虎;孙权;蔡寅舟;杨晓佳 -专利权人：江苏亨通光网科技有限公司;江苏亨通光电股份有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅光子芯片高度集成多通道光收发模块，其包括：硅光子集成芯片、电路集成芯片、组装印刷线路板，硅光子集成芯片、电路集成芯片均集成在组装印刷线路板上，硅光子集成芯片包括硅光子发射芯片和硅光子接收芯片，电路集成芯片包括电路集成发射芯片和电路集成接收芯片，电路集成发射芯片通过导线与硅光子发射芯片连接，硅光子发射芯片通过光纤跳线连接至光纤活动连接器上，电路集成接收芯片通过导线与硅光子接收芯片连接，硅光子接收芯片通过光纤跳线连接至光纤活动连接器上本实用新型基于先进的硅光子芯片集成技术，提供一种集成化、低功耗、低成本的100Gbps高速硅光子收发模块和有源光缆。
电路集成芯片光子集成芯片光子发射光子接收光子芯片光纤活动连接器本实用新型光收发模块印刷线路板发射芯片高度集成光纤跳线接收芯片芯片连接多通道组装光缆集成技术收发模块低成本低功耗集成化光子

[发明专利]光子集成片上激光陀螺及其制备方法-CN202011508079.0有效
发明人：陈福胜;齐志强;程俊;张熙;张政 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01C19/66 文献下载
摘要：本发明涉及集成光学陀螺技术领域，特别涉及一种光子集成片上激光陀螺及其制备方法，光子集成片上激光陀螺包括：自上而下设置的电子集成层、光子集成层及衬底层；上层电子集成层采用SIP电学芯片；中层光子集成层采用异质集成；下层衬底层为硅片；光子集成层与电子集成层通过键合工艺完成电互连。光子集成片上激光陀螺的制备方法包括：在硅晶圆上制备楔形微环腔；制备氮化硅光波导并实现光互连；异质集成有源器件；在硅片的二氧化硅表层制备图形化金属实现电互连；集成SIP电学芯片。本发明提供的光子集成片上激光陀螺及其制备方法，解决了现有技术中存在的集成光学陀螺灵敏度较差，且集成度不高的技术问题。
子集成片激光陀螺及其制备方法

[发明专利]基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片用耦合结构-CN200910033251.9无效
发明人：孙小菡;于兵 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片用耦合结构，包括：布喇格光纤及纳米光子集成芯片，在布喇格光纤的与纳米光子集成芯片相对的一端连接有布喇格光纤拉锥结构。本发明斜切打磨的方法使布喇格光纤拉锥结构的末端成为扁平形状，融合了光纤拉锥、斜切打磨加工简便、布喇格光纤与纳米光子集成芯片耦合能够消除光纤端面菲涅尔反射的特点，提出了一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片耦合结构该结构通过拉锥结构将布喇格光纤出射的模斑尺寸缩小进而减少与纳米光子集成芯片端面的尺寸失配，提高了耦合效率；此外，为进一步提高耦合效率，本发明将布喇格光纤拉锥末端的形状限定为扁平形状。
基于布喇格光纤纳米光子集成芯片耦合结构

[实用新型]用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置-CN200920044053.8有效
发明人：孙小菡;于兵 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：一种用于纳米光子集成芯片的布喇格光纤-芯片耦合装置，包括：布喇格光纤及纳米光子集成芯片，在布喇格光纤的与纳米光子集成芯片相对的一端连接有布喇格光纤拉锥结构。本实用新型斜切打磨的方法使布喇格光纤拉锥结构的末端成为扁平形状，融合了光纤拉锥、斜切打磨加工简便、布喇格光纤与纳米光子集成芯片耦合能够消除光纤端面菲涅尔反射的特点，提出了一种基于布喇格光纤的纳米光子集成芯片耦合装置该结构通过拉锥结构将布喇格光纤出射的模斑尺寸缩小进而减少与纳米光子集成芯片端面的尺寸失配，提高了耦合效率；此外，为进一步提高耦合效率，本实用新型将布喇格光纤拉锥末端的形状限定为扁平形状。
用于纳米光子集成芯片布喇格光纤耦合装置

[发明专利]基于相变材料薄膜可重构的光子集成芯片及其加工方法-CN202210744180.9在审
发明人：李朝晖;陈鸿飞 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明属于光子集成芯片技术领域，更具体地，涉及一种基于相变材料薄膜可重构的光子集成芯片及其加工方法。通过飞秒激光、连续激光对相变材料薄膜进行加工，改变其表面相态分布；通过自定义加工的激光脉冲数量、功率等，自定义加工的图案形状，实现特定的表面相态分布，从而实现特定光子集成芯片的功能。相对于现有的硅基光子集成芯片，本发明提出的加工方式更为简单；另外，由于相变材料的不同相态可逆，并且相态稳定，在稳定的外界环境下，不易挥发、氧化，能够持续维持当前的相态，本发明提出的光子集成芯片表面结构可以重复改写
基于相变材料薄膜可重构光子集成芯片及其加工方法

[实用新型]半导体封装装置-CN202220921279.7有效
发明人：康荣瑞;李宝男;李长祺;王陈肇 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：该半导体封装装置包括：至少一个电子集成电路芯片，具有第一导电垫；至少一个光子集成电路芯片，与电子集成电路芯片并排设置并且具有第二导电垫；重布线层，位于电子集成电路芯片的主动面并且具有第三导电垫，第三导电垫与电子集成电路芯片电连接，并且第三导电垫相较于第一导电垫更靠近光子集成电路芯片；以及电连接件，将第三导电垫和第二导电垫电连接。该半导体封装装置有利于缩短电连接件中电性路径的长度，降低高速信号传输的损耗，同时保证光子集成电路芯片和光纤阵列单元之间的耦光效率。
半导体封装装置

[发明专利]光子组件及其制造方法-CN201880028846.2有效
发明人：斯特凡·梅斯特;莫里茨·格伦;斯文·奥特;塞巴斯蒂安·赫尔 -专利权人：斯科雅有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光子组件(10)，其具有光子集成芯片(1)和光纤安装件(5)，其中光纤安装件(5)具有：至少一个凹槽(52)，光纤(30)布置在该凹槽中；和至少一个反射镜面(52)，其在光子集成芯片(1)的方向上反射来自光纤(30)的辐射(S)，并且/或者在光纤(30)的方向上反射来自光子集成芯片(1)的辐射(S)。根据本发明，包括至少两个芯片的芯片堆叠(20)布置在光子集成芯片(1)与光纤安装件(5)之间，芯片堆叠(20)具有至少两个通孔(21)，并且在各情况下，引导销(40)穿过芯片堆叠(20)的所述至少两个通孔(21)，以使芯片堆叠(20)和光纤安装件(5)相对于彼此定位。
光子组件及其制造方法

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