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[实用新型]钢制拼装式楼梯模板-CN202122515793.9有效
发明人：牛秀才;邬嘉翔;赵晓红;徐晓玲;徐刚;邓海亮;续春霖;杨卫国;郝智勇 -专利权人：山西五建集团有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： E04G13/06 文献下载
摘要：本实用新型包括墙侧定型卡模、非墙侧定型卡模和楼梯踢板，墙侧定型卡模包括第一钢板，第一钢板上设置有连接角钢及方钢销键，非墙侧定型卡模包括第二钢板，第二钢板上设置有卡槽及连接角钢，墙侧定型卡模固定在混凝土墙上，非墙侧定型卡模固定在梯段底模上，楼梯踢板安装在墙侧定型卡模和非墙侧定型卡模之间。
钢制拼装楼梯模板

[发明专利]防渗墙-心墙大变形相互作用测试装置和方法-CN202110014283.5在审
发明人：余翔;薛冰寒;王钰轲;赵小华;王淦;玉努斯江·吐拉买提 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种防渗墙‑心墙大变形相互作用测试装置和方法，模型箱的一侧箱壁通过弹簧连接有与所述一侧箱壁平行的非完全侧限板，非完全侧限板和模型箱之间还设有测量非完全侧限板的平移量的位移传感器，非完全侧限板与其余侧箱壁围成模型空腔，模型空腔内设有在中央立设的混凝土防渗墙、填筑在混凝土防渗墙下段的覆盖层填土以及填筑并埋没混凝土防渗墙上段的心墙填土，混凝土防渗墙的墙面预设有分布式光纤传感器，心墙填土和混凝土防渗墙的接头处设置有土压力盒本发明实现了对防渗墙‑心墙大变形过程中变形与应力的实时精准测量及可视化动态监测，为揭示防渗墙‑心墙大变形相互作用机理提供依据。
防渗墙心墙大变形相互作用测试装置方法

[实用新型]防渗墙-心墙大变形相互作用测试装置-CN202120024976.8有效
发明人：余翔;薛冰寒;王钰轲;赵小华;王淦;玉努斯江·吐拉买提 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防渗墙‑心墙大变形相互作用测试装置，模型箱的一侧箱壁通过弹簧连接有与所述一侧箱壁平行的非完全侧限板，非完全侧限板和模型箱之间还设有测量非完全侧限板的平移量的位移传感器，非完全侧限板与其余侧箱壁围成模型空腔，模型空腔内设有在中央立设的混凝土防渗墙、填筑在混凝土防渗墙下段的覆盖层填土以及填筑并埋没混凝土防渗墙上段的心墙填土，混凝土防渗墙的墙面预设有分布式光纤传感器，心墙填土和混凝土防渗墙的接头处设置有土压力盒本实用新型实现了对防渗墙‑心墙大变形过程中变形与应力的实时精准测量及可视化动态监测，为揭示防渗墙‑心墙大变形相互作用机理提供依据。
防渗墙心墙大变形相互作用测试装置

[发明专利]自对准双重成像技术-CN202010324843.2在审
发明人：杨然富;张弛;邓娟娟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及自对准双重成像技术，涉及半导体制造技术，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成非晶半导体条形结构，并形成第一介质层，第一介质层覆盖在非晶半导体条形结构的顶部表面、侧面以及非晶半导体条形结构之间的硬掩膜层表面；对第一介质层进行全面刻蚀并形成由仅位于非晶半导体条形结构的侧面的第一介质层组成的侧墙；形成第二介质层，第二介质层覆盖非晶半导体条形结构、侧墙和硬掩膜层的顶部表面以及侧墙的侧面；进行以侧墙为停止层的平坦化工艺；以及去除侧墙并形成由第二介质层和非晶半导体条形结构组成的图形，而由侧墙形成沟渠，沟渠之间结构组成图形，而实现小沟渠大线宽的图案，且沟渠宽度可调。
对准双重成像技术

[发明专利]一种地铁始发井非离壁侧墙锚入式施工方法-CN201910410489.2在审
发明人：薛华坤;林金华;洪族智;段岳强;石常齐;童达普;苏华君;谢智清;周源 -专利权人：中交一公局厦门工程有限公司;中交一公局集团有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： E21D9/06 文献下载
摘要：本发明属于地铁车站非离壁侧墙模板体系施工技术领域，公开了一种地铁始发井非离壁侧墙锚入式施工方法，包括如下步骤：侧墙模板、主楞、拉杆及接长器制作；主体基础结构底板及矮边墙施工，并于矮边墙上预埋下部拉杆；于地下连续墙围护上钻孔并在孔内植入钢筋；在植入的钢筋上安设上部拉杆；安装侧墙钢筋并验收，用接长器接长下部拉杆并将侧墙模板及主楞进行安装，紧固下部拉杆；用接长器接长上部拉杆并对上部侧墙模板和主楞进行紧固，完成整个非离壁侧墙的支护；对侧墙进行浇筑并验收
拉杆壁侧接长侧墙模板主楞钢筋始发井侧墙紧固预埋施工地铁施工技术领域地下连续墙混凝土浇筑传统钢管地铁车站结构底板体系平衡增强结构主体基础荷载支护矮边墙扁担梁工字钢墙模板植入的验收矮边双拼围护支撑植筋植入钻孔浇筑制作安全

[实用新型]超高隧道侧墙非固化粘接防水层结构-CN201820347802.3有效
发明人：吴纪东;光军伟;王超慧;常兴无;李晓冬;葛晓亮;赵艳辉;张立文;王小娜;葛峰鑫;李明;任宗五;赵向阳;马庆华;赵永亮;韩正好;马勇;任远;梁宪荣;张静;王巍;王哲良 -专利权人：郑州市市政工程总公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： E21D11/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高隧道侧墙非固化粘接防水层结构，包括超高隧道侧墙，超高隧道侧墙上设有若干水平固结带和若干竖向固结带；水平固结带和竖向固结带围成的若干方格状区域为网格区域；各水平固结带均由超高隧道侧墙的左端延伸至右端；各竖向固结带均由超高隧道侧墙的底端向上延伸至顶端，并继续沿隧道顶板延伸0.5米；每个网格区域内均设置有由非固化防水涂料喷涂形成的非固化层，非固化层上铺贴有自粘防水卷材；在水平方向上相邻的自粘防水卷材之间具有竖向的搭接缝，搭接缝位于竖向固结带上；本实用新型便于施工，更容易喷涂均匀，减少了整块非固化层所对应的防水卷材的重量，降低了非固化橡胶沥青防水涂料向下蠕动的机率。
隧道侧墙竖向固结带水平固结固化层固化自粘防水卷材本实用新型防水层结构网格区域搭接缝粘接隧道沥青防水涂料蠕动防水卷材防水涂料固化橡胶喷涂均匀向上延伸方格状延伸底端喷涂整块左端上铺施工

[发明专利]在指定区域形成侧墙的方法-CN201010531711.3有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种在指定区域形成侧墙的方法，该方法包括：提供前端器件层，前端器件层包含至少一个指定区域，指定区域由非功能区域包围，指定区域包含至少一个需要形成侧墙的器件，在前端器件层上依次形成第一保护层和第二保护层；在第二保护层上形成带有开口图案的光刻胶层，开口图案对应指定区域和一部分非功能区域或对应指定区域和全部非功能区域；以光刻胶层为掩膜，刻蚀第二保护层，然后刻蚀第一保护层，以露出指定区域；在露出指定区域的前端器件层上形成侧墙材料层；刻蚀侧墙材料层，以在需要形成侧墙的器件的周围形成侧墙。本发明可避免除需要形成侧墙的器件之外的其他器件被刻蚀气体损耗，且工艺简单，便于实现。
指定区域形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910918281.1在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的芯层；在所述芯层的侧壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙的顶部表面与所述芯层的顶部表面齐平；去除至少一个所述芯层的一侧壁上的所述第一侧墙；在去除所述第一侧墙后的所述芯层的侧壁上形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙采用非相同材料。本发明利用第一侧墙和第二侧墙采用非相同材料，将不需要形成鳍部位置上的侧墙去掉，继续剩余的侧墙为掩膜刻蚀衬底形成鳍部时，在不需要形成鳍部的位置就不会形成鳍部，简化了鳍部的形成工艺，提高了形成的鳍部的质量，
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202010301677.4在审
发明人：李强;张前江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，所述方法先采用第一湿法刻蚀工艺去除第一氧化层，然后对所述间隔非掺杂区II的顶部表面执行氧化处理，在间隔非掺杂区的顶部形成第二氧化层，之后将第二湿法刻蚀工艺刻蚀去除间隔非掺杂区顶部的第二氧化层，这样去除第二氧化层之后，间隔非掺杂区顶部的缺陷较少，避免在形成侧墙掩层的过程中在所述空洞内形成残余侧墙材料，因而避免在去除间隔非掺杂区时空洞内的残余侧墙材料的阻挡，容易去除间隔非掺杂区，可以提高所形成的半导体器件的性能
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010887738.X有效
发明人：黄炜;骆晓东 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：获取衬底，所述衬底上形成有栅极结构；对衬底进行第一离子注入，在栅极结构两侧形成预非晶化区；对预非晶化区进行第二离子注入，在所述预非晶化区中形成非晶化区；在栅极结构两侧形成第一侧墙；进行第二掺杂工艺，在所述非晶化区中形成第二掺杂区；在第一侧墙两侧形成第二侧墙；在所述第二掺杂区中形成重掺杂的源极区和漏极区。
半导体器件制备方法

[实用新型]一种非溢流坝段度汛缺口泄洪消能结构-CN201720150887.1有效
发明人：黄天润;杨静安;张锦堂;冀培民 -专利权人：中国电建集团西北勘测设计研究院有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： E02B8/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非溢流坝段度汛缺口泄洪消能结构，包括非溢流坝段，所述非溢流坝段上开设有导流缺口，导流缺口的下游建有与导流缺口连接的曲线形的导向槽，导向槽的两侧分别建有低导墙和高导墙，导向槽的曲线形状由高导墙向低导墙一侧弯曲该非溢流坝段度汛缺口泄洪消能结构可以使水流顺畅归入主河槽，减小上下游水头差，从而减小流速，降低风险，达到良好的消能效果，以保证下游两岸边坡稳定和施工人员设备安全。
一种溢流坝度汛缺口泄洪结构

[发明专利]一种空气内侧墙纳米片环栅晶体管及其制造方法-CN202210810607.0在审
发明人：曹磊;殷华湘;张青竹;姚佳欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有空气内侧墙的GAAFET器件及其制备方法，本发明在环栅晶体管的制造中采用非晶硅(或多晶硅)临时侧墙与非晶硅(或多晶硅)临时侧墙去除工艺，并利用纳米片沟道释放和原子层淀积(ALD)/CVD/PVD工艺形成纳米片环栅晶体管的空气内侧墙结构。空气内侧墙可有效降低侧墙材料的介电常数，从而降低器件的源漏寄生电容。具有空气内侧墙结构，且兼容主流FinFET制备工艺的纳米片环栅晶体管及其制造方法有利于进一步提升晶体管应用优势。
一种空气内侧纳米片环栅晶体管及其制造方法

[发明专利]使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法-CN201210089963.4有效
发明人：秦长亮;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法，包括提供初始结构，包括衬底，有源区，及栅极叠层；在栅极叠层两侧的有源区中进行离子注入，使得部分衬底材料预非晶化以形成非晶态材料层；形成第一侧墙；以第一侧墙为掩蔽，进行各向异性刻蚀，形成凹槽，在第一侧墙下方的非晶态材料层得以保留；利用表现出对非晶态材料层各向同性并且对其刻蚀速率大于或基本等于对衬底材料{100}、{110}面的刻蚀速率但远大于对衬底材料{111}面的刻蚀速率的腐蚀溶液进行湿法刻蚀，从而将第一侧墙下方的非晶态材料层去除，导致在非晶态材料层下方的衬底材料暴露在所述溶液中并被刻蚀，最终形成延伸到栅极叠层下方附近区域的Sigma形凹槽；在Sigma
使源漏区更接近沟道 mos 器件及其制作方法

[发明专利]基于应力分布的局部增强型刨花板及其制备方法和覆面的剪力墙-CN201810996682.4在审
发明人：岳孔;李萌禹;吴建国;刘伟庆;石建;邵亚陵;陆伟东 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B27N3/02 文献下载
摘要：本发明公开了基于应力分布的局部增强型刨花板及其制备方法和覆面的剪力墙，属于刨花板剪力墙领域。刨花板包括增强区和非增强区，增强区设置在非增强区的两侧，且增强区的密度大于非增强区的密度。刨花板的制备方法，铺装工序中，在铺装板坯的两侧增加刨花，形成增强区，未增加刨花的板坯处形成非增强区。覆面的剪力墙，包括上述工艺制备的刨花板，将刨花板和墙骨架安装组合。本发明通过在刨花板两侧进行密度增强，显著提高刨花板的强度和应力承受能力，充分发挥板材性能，解决水平荷载作用下常规覆面板材应力分布不均匀而过早屈服的问题，从而提高木基结构板材剪力墙抗侧性能，设计合理，可操作性强
刨花板增强区剪力墙应力分布制备刨花局部增强型板坯铺装木基结构板材水平荷载作用应力承受能力安装组合覆面板材工艺制备不均匀墙骨架屈服

[实用新型]地下室底板与侧墙接茬处防水处理结构-CN202320637310.9有效
发明人：刘海青;杨丙业;张玉辉;孙勇泰;王文强;王婷婷 -专利权人：中嘉建盛建工集团有限公司;中青建安建设集团有限公司;青岛中青建安建工集团有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： E02D31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及建筑防水结构技术领域，且公开了地下室底板与侧墙接茬处防水处理结构，包括地下室原土层、支撑侧墙、筏板垫层、内凹接茬槽、筏板预留钢筋、SBS防水卷材、第一非固化沥青以及第二非固化沥青，所述支撑侧墙位于地下室原土层的侧面该实用新型，通过在地下室原土层和支撑侧墙之间铺设有SBS防水卷材，第一非固化沥青浇筑于支撑侧墙上，起到较好的防水密封性，预防土地沉降造成泄漏，内凹接茬槽位于SBS防水卷材的接缝处，由聚乙烯丙纶防水卷材辅助耐磨防水，第二非固化沥青可浇筑至内凹接茬槽内，起到强效防水防渗漏效果，使结构达到防水防渗漏能力较强，施工难度相对较低，减少后期地下室渗漏隐患。
地下室底板接茬防水处理结构

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