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[发明专利]一种存储器阵列-CN202310674550.0在审
发明人：刘美冬;陈昱煌;陈瑞隆;黄天辉 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器阵列，其特征在于，所述存储器阵列包括至少一个主阵列和至少一个伪阵列：所述主阵列与伪阵列相邻设置；所述伪阵列的至少一个阻变存储单元与相邻的主阵列的阻变存储单元共用同一位线；所述伪阵列的至少一个阻变存储单元的尺寸大于相邻的主阵列的阻变存储单元的尺寸；由于阻变存储单元尺寸越大对应的成型电压越低，更容易从高阻态转换为低阻态，而相邻的两个阻变存储单元中，其中一个为低阻态的情况下，另一个不可能为高阻态，如此，可以使主阵列的阻变存储单元初始态为高阻态，提升存储器阵列的良率
一种存储器阵列

[发明专利]一种硅通孔结构-CN201310241943.9有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅通孔结构，包括：硅通孔；以及与所述硅通孔相连接的反熔丝层；所述反熔丝层包括高K氧化物层，在施加电压的情况下，其电阻由高阻态转换到低阻态，在不施加电压的情况下，其电阻可由低阻态转换到高阻态在本发明中通过设置所述金属层‑高K氧化物层的反熔丝层，实现了所述硅通孔的程序化，通过在电极上施加电压来控制所述硅通孔在不导通（高阻态）到导通（低阻态）之间的反复切换，消除了现有技术中一旦导通便不可逆的弊端
一种硅通孔结构

[发明专利]区别真实读串扰和伪读串扰的阻变存储器的故障检测方法-CN202111396995.4在审
发明人：鹿洪飞;杨建国;蒋海军;周睿晰 -专利权人：之江实验室
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明公开了区别真实读串扰和伪读串扰的阻变存储器的故障检测方法，包括如下步骤：S1，采样操作，包括如下步骤：S11，置位操作对阻变存储器施加置位电压，使阻变存储器处于低阻态；复位操作对阻变存储器施加复位电压，使阻变存储器处于高阻态；S12，采样操作分别对阻变存储器施加读取电压，读取置位操作后的阻变存储器处于低阻态的第一、第二阻值；读取复位操作后的阻变存储器处于高阻态的第三、第四阻值；S2，判断识别操作，包括如下步骤：S21，判断第一阻值和第二阻值是否处于低阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰；S22，判断第三阻值和第四阻值是否处于高阻态区间内，从而判断真实读串扰或伪读串扰。
区别真实读串扰伪读串扰存储器故障检测方法

[发明专利]基于电压激励的氧化物忆阻器性能改善方法-CN202211413956.5有效
发明人：马海蛟;刘绍烜;甘鑫;张越影;惠昱澎;王磊;朱江;王钥绮;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电压激励的氧化物忆阻器性能改善方法，主要解决现有技术无法动态提升已封装器件开关比的问题，方案包括：1)对制备完成的氧化物忆阻器器件进行I‑V特性测试，读取器件阻态变化过程对应的最小电压；2)在器件顶电极上施加扫描电压，读取器件的初始高阻态；3)对器件顶电极施加负激励电压，实现初始高阻态转变到低阻态过程；4)对器件顶电极施加正激励电压，实现低阻态过程转变到高阻态过程，并连续多次重复该转变过程；5)得到开关比提高后的氧化物忆阻器。本发明通过连续施加激励电压从而调节载流子数，实现器件高低阻态的调整并显著提高其开关比，达到改善器件性能的目的。
基于电压激励氧化物忆阻器性能改善方法

[发明专利]利用阻变器件进行除法计算的方法-CN201110079815.X无效
发明人：康晋锋;陈冰;高滨;张飞飞;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G06F7/535 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个正脉冲电压，使余数阻变器件转变为相应的低阻态；在商阻变器件上施加一个正脉冲电压，使商阻变器件转变为相应的低阻态，并将余数阻变器件转变为高阻态；当施加完b个脉冲后，商阻变器件的当前阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的商，当前余数阻变器件的阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的余数。
利用器件进行除法计算方法

[发明专利]随机数生成装置和方法-CN201911063067.9在审
发明人：申小龙;闫鑫;赵俊峰;薛晓勇;唐文涛 -专利权人：华为技术有限公司;复旦大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM器件和第二RRAM器件，第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于根据第一RRAM器件的低阻态以及第二RRAM器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM器件的阻态高于第一RRAM器件的低阻态。
随机数生成装置方法

[发明专利]一种阻变存储器阵列的两步写操作方法-CN202011506701.4有效
发明人：吴华强;李雨佳;唐建石;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种阻变存储器阵列的两步写操作方法，包括：令阻变存储器阵列中选通器和阻变存储器的初始状态均处于高阻态；对阻变存储器阵列施加第一写脉冲信号，使选通器处于低阻态、阻变存储器保持高阻态；对阻变存储器阵列施加第二写脉冲信号，使选通器和阻变存储器均处于低阻态；将第二写脉冲信号的幅值降为零，使选通器处于高阻态、阻变存储器处于低阻态，写操作完成；其中第二写脉冲信号幅值阻变存储器写操作电压第一写脉冲信号幅值选通器正向开启阈值电压，第一写脉冲信号脉冲长度选通器正向开启延迟，且第二写脉冲信号脉冲长度阻变存储器写入延迟。本发明可减小写操作过程对选通器性能的影响，降低写过程功耗和阻变器件串扰。
一种存储器阵列两步写操作方法

[发明专利]温控开关、其应用方法及使用该温控开关的报警系统-CN201010102134.6有效
发明人：胡春华;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：该双稳态电阻元件具有一低阻态与一高阻态两个工作状态。在低阻态，所述多个金属颗粒表面形成有金属导电丝，该多个金属颗粒通过该金属导电丝形成一导电通路。在高阻态，所述多个金属颗粒表面的金属导电丝断裂，使所述导电通路断开。所述低阻态的触发信号为一激励电场。所述高阻态的触发信号为一温差信号。
温控开关应用方法使用报警系统

[发明专利]压控开关、其应用方法及使用该压控开关的报警系统-CN201010102132.7有效
发明人：胡春华;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：该双稳态电阻元件具有一低阻态与一高阻态两个工作状态。在低阻态，所述多个金属颗粒表面形成有金属导电丝，该多个金属颗粒通过该金属导电丝形成一导电通路。在高阻态，所述多个金属颗粒表面的金属导电丝断裂，使所述导电通路断开。所述低阻态的触发信号为一激励电场。所述高阻态的触发信号为一压差信号。本发明还涉及一种该压控开关的应用方法及使用该压控开关的报警系统。
开关应用方法使用报警系统

[发明专利]一种非易失性随机存储器数据读取电路、存储器及方法-CN201910427497.8有效
发明人：张悦;王进凯;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性随机存储器数据读取电路、存储器及方法，用于读取数据存储单元的阻态，待读取数据存储单元为高阻态或低阻态，电路包括电压差生成单元和三电压放大单元；所述电压差生成单元用于形成预设电压输入高阻态和低阻态的数据存储单元时分别对应的第一参考信号和第二参考信号以及获取待读取的数据存储单元在所述预设电压输入时对应的阻态信号；所述三电压放大单元用于基于所述第一参考信号、所述第二参考信号和所述阻态信号形成与待读取数据存储单元的阻态对应的判断信号，本发明可有效的降低读干扰的同时，提高非易失性存储器的读裕度，同时减少读取时间，降低读取功耗
一种非易失性随机存储器数据读取电路方法

[发明专利]一种能区分阻态交叉的10T4R单元电路-CN202110845112.7在审
发明人：蔺智挺;李星玮;吴秀龙;朱志国;彭春雨;卢文娟;赵强;陈军宁 -专利权人：安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种能区分阻态交叉的10T4R单元电路，包括10个NMOS晶体管；以及4个阻变随机存储器RRAM，分别为RRAM1、RRAM2、RRAM3、RRAM4，RRAM1和RRAM4的摆放方向相同，顶部电极朝左；RRAM2和RRAM3的摆放方向相同，顶部电极朝右；且所述电路采用反向编码方式，具体来说：顶部电极朝左的高阻态代表“0”，低阻态代表“1”；顶部电极朝右的高阻态代表“1”，低阻态代表“0”；通过所采用的反向编码方式和4个RRAM的串并联切换，消除阻态交叉对电路产生的影响，实现“与”、“或”和“异或”的布尔逻辑运算和三态寻址操作，并有效提高计算准确性。
一种区分交叉 10 t4r 单元电路

[发明专利]一种实现多值非挥发存储的方法-CN202010502998.0有效
发明人：赖云锋;宫泽弘;林培杰;程树英;郑巧;俞金玲 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出一种实现多值非挥发存储的方法，通过提升阻变存储器的高低态阻值比，以及增加多值存储时各阻态的区分度来优化其多值非挥发存储性能；阻变存储器的电极之间设有可稳定所述阻变存储器高阻态工况导电通路的多层阻变介质；多层阻变介质包括第一介质层和第二介质层；所述第一介质层与第二介质层的界面间存在势垒；当阻变存储器处于高阻态工况时，所述势垒提升电阻值；第一介质层中分布有可稳定所述阻变存储器低阻态工况导电通路的金属纳米颗粒；当阻变存储器处于低阻态工况时，金属纳米颗粒降低电阻值；本发明通过在存储介质中嵌入纳米颗粒，实现阻变存储器各阻态的区分度的提高并保证器件的数据存储能力。
一种实现多值非挥发存储方法

[发明专利]一种基于忆阻器的满幅自恢复灵敏放大器-CN202110509734.2在审
发明人：张博霖;李蕾;潘楠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计领域，具体涉及一种基于忆阻器的满幅自恢复灵敏放大器。解决了灵敏放大器中摆幅不能自动恢复的问题，其实施方法是，通过锁存型负阻电路、忆阻器M1‑M2和差分输入电路串联，忆阻器起到分压的作用，可以影响锁存型负阻电路中MOS管的关断和开启。忆阻器控制电路K1‑K2为该串联电路的旁路，控制忆阻器M1‑M2在低阻态和高阻态之间迅速转变。忆阻器在高阻态时在本发明方案的电路中是满幅输出，忆阻器由低阻态到高阻态转变的过程可实现灵敏放大器的满幅自恢复功能。
一种基于忆阻器恢复灵敏放大器

[发明专利]基于阻变存储器的编码方法及编码器-CN201310206696.9无效
发明人：康晋峰;龙云;李秀红;高滨;陈冰 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明提供一种基于阻变存储器的编码方法及编码器，包括以下步骤：S1、将n种建立电压加到阻变存储器上，以对所述阻变存储器进行set操作，使得所述阻变存储器置于n种低阻态，其中，n≥2；S2、将m种复位电压加到所述阻变存储器上，以对所述阻变存储器进行reset操作，使得所述n种低阻态分别形成m种高阻态，并将所述n×m种高阻态输出，其中，m≥2；本发明代替了传统的CMOS，实现了复杂编码的功能，本发明还提供一种基于阻变存储器的编码器
基于存储器编码方法编码器

[发明专利]阻变存储器及其保护电路-CN202010859320.8有效
发明人：黄天辉;陈瑞隆;李淡;黄永宏 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器的保护电路，其包括：相连接的可控开关单元和比较单元，通过比较单元在相应阻变存储单元被施加Forming/Set操作的直流电压时控制可控开关单元导通，以使相应阻变存储单元由高阻态向低阻态转变，并在相应阻变存储单元完成由高阻态转变到低阻态的瞬间控制可控开关单元关断，以关断Forming/Set通路，避免了由于电压长时间作用在阻变存储器上而导致阻变存储器受损的问题，从而大大提高了阻变存储器的使用寿命本发明还公开了一种具有该保护电路的阻变存储器。
存储器及其保护电路