专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201710140025.5在审
  • 陈建勋;沈武;吴俊毅;李建勋 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2017-03-09 - 2017-09-19 - H01L23/31
  • 本发明涉及一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法,其中该半导体装置包含第一,其包含信号垫区和电源垫区;重布线层RDL,其在所述第一上方;多个第一,其在所述RDL上方且在与所述第一相对的所述RDL的一侧;多个第二,其在所述RDL上方且在与所述第一相对的所述侧;第二,其包含信号垫区和电源垫区;其中所述第二与所述第一片面对面且通过所述第一和所述RDL电连接到所述第一,其中所述第二的中心相对于所述第一的中心侧向偏移,以便所述第一的所述信号垫区对应于所述第二的所述信号垫区。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体封装-CN202210628354.5在审
  • 洪钟波;陈华日;朴商植 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-06 - 2022-12-20 - H01L23/48
  • 公开了半导体封装。半导体封装包括位于第一与第二之间的连接端子。第一具有信号区域和外围区域,并且在外围区域上包括第一过孔。第二位于第一上并且在与第一过孔对应的位置上具有第二过孔。连接端子第二过孔连接到第一过孔。外围区域包括与第一的拐角相邻的第一区域和与第一的侧表面相邻的第二区域。连接端子包括位于第一区域上的第一接端子和位于第二区域上的第二接端子。在第一区域上的每单位面积的第一接端子的面积的总和大于在多个第二区域上的每单位面积的第二接端子的面积的总和。
  • 半导体封装
  • [实用新型]一种半导体封装结构-CN202221464667.3有效
  • 黃陳昱;颜宗隆;饶力 - 美光科技公司
  • 2022-06-13 - 2022-11-18 - H01L23/31
  • 根据本实用新型的一实施例,一种半导体封装结构包括底材或以及第一。所述底材或具有第一表面。第一设置在所述第一表面上并具有面对所述第一表面的第一区域和第二区域。所述第一区域包括多个第一且所述第二区域包括多个第二,所述第一和所述第二连接到所述底材或的所述第一表面。所述第一区域每单位面积上由所述第一占据的面积小于所述第二区域每单位面积上由所述第二占据的面积。所述半导体封装结构可以解决因之间的非导电膜挤出和非导电膜空隙而导致的产量损失问题。
  • 一种半导体封装结构
  • [发明专利]半导体晶片装置-CN202111324544.X在审
  • 杨昇帆;洪志强;李澂;林元鸿 - 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-11-10 - 2023-05-12 - H01L25/16
  • 一种半导体晶片装置,包含封装基板、中介板、第一及第二。第一包含一第一接接口。第二包含第二接接口。中介板的第一侧面用以供设置第一及第二。第一及第二透过第一接接口、中介板及第二接接口进行数据传输。封装基板设置于中介板的第二侧面,且包含解耦电容。解耦电容位于第一接接口及第二接接口之间,或者位于第一接接口及第二接接口于封装基板上的垂直投影区域中。据此,将可强化电源稳定性,以及提升高速传输接口中的信号完整性与电源完整性效能。
  • 半导体晶片装置
  • [发明专利]晶圆级堆叠结构和方法、堆叠封装结构和方法-CN202110350813.3有效
  • 胡顺;胡思平 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-31 - 2022-01-25 - H01L25/065
  • 本发明提供了一种晶圆级堆叠结构和方法、堆叠封装结构和方法。堆叠结构包括依次电耦合堆叠的多个晶圆组和顶部互连层,晶圆组各自独立地包括第一晶圆和第二晶圆,各第一晶圆的表面具有第一接结构以及延伸至第一晶圆内且表面裸露的第一导电结构,各第二晶圆的表面具有第二接结构以及贯穿至第二晶圆的第二导电结构,各晶圆组的第三接结构为相互独立的CMOS电路,第一晶圆的第一接结构和第二晶圆的第二接结构一一对应地通过第三接结构电耦合,第一导电结构和第二导电结构通过第三接结构电耦合,第一导电结构之间电耦合或第二导电结构之间电耦合解决了现有技术中堆叠成本高、体积大的问题。
  • 晶圆级裸片堆叠结构方法封装
  • [发明专利]接合装置-CN202080027169.X在审
  • 関口繁之;永口悠二;瀬山耕平 - 株式会社新川
  • 2020-04-07 - 2021-11-16 - H01L21/52
  • 接合装置1包括:带进给模块10,自载带13取出电子零301,搬送所取出的电子零301;供应模块20,具有半导体201顶起而自贴附于切割22a的半导体晶片200拾取半导体201的拾取机构21,搬送所拾取的半导体201;以及接合模块40,将自供应模块20提供的半导体201及自带进给模块10提供的电子零301的至少一者配置于电路基板101。
  • 接合装置
  • [发明专利]具有传感器的晶片级芯片尺寸封装-CN202110686024.7在审
  • 栾竟恩 - 意法半导体有限公司
  • 2021-06-21 - 2022-01-07 - H01L23/31
  • 本公开涉及在衬底(例如,专用集成电路(ASIC)、集成电路、或者具有有源电路的某些其他类型的)上具有传感器并且被包封在模塑料中的封装(例如,芯片尺寸封装、晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)或者包含传感器的封装)。传感器包括感测部件,感测部件与延伸穿过衬底的位于中心的开口对准。位于中心的开口在衬底的非有源部分处延伸穿过衬底。位于中心的开口传感器的感测部件暴露于封装外部的外部环境。
  • 具有传感器晶片芯片尺寸封装
  • [发明专利]半导体封装方法和半导体封装结构-CN202010670970.8在审
  • 周辉星 - 矽磐微电子(重庆)有限公司
  • 2020-07-13 - 2022-01-14 - H01L21/56
  • 本申请公开了一种半导体封装方法和半导体封装结构,方法包括:在第一待封装的背面设置被动导电柱第二待封装和固定有被动的第一待封装固定于载板,第一待封装和第二待封装的活性面靠近载板,导电柱设置于第一待封装和第二待封装的周侧;形成第一再布线层,第一再布线层连接被动和导电柱;去除载板;在靠近第一待封装和第二待封装的活性面的一侧设置第二再布线层,第二再布线层连接焊垫和导电柱的通过上述设置,使得第一待封装和被动在竖直方向层叠设置,从而实现半导体封装结构体积的减小、结构紧凑。
  • 半导体封装方法结构
  • [发明专利]组合接合对封装及相关方法-CN202180065588.7在审
  • K·K·柯比;B·K·施特雷特 - 美光科技公司
  • 2021-08-31 - 2023-06-06 - H01L21/98
  • 本发明涉及用于半导体装置的系统及方法,所述半导体装置具有:衬底,其具有接合垫;对,其在所述接合垫上方呈堆叠配置且具有具氧化物层的第一、具附接到第一氧化物层的氧化物层的第二及电耦合所述的导电接合互连延伸于所述接合垫与所述对之间,从而将对电耦合到所述衬底。所述装置可包含第二对,其:(1)运用次级互连电耦合到第一对;及(2)运用延伸穿过所述第一对的穿硅通孔电耦合到所述衬底。对的顶部可为用于对堆叠的顶部处的厚。可通过第一硅晶片的匹配到第二硅晶片的、组合接合所述晶片及切割所述对而产生对。
  • 组合接合封装相关方法

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