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[发明专利]半导体裸片堆叠以及相关联系统及方法-CN202180052891.3在审
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开半导体裸片堆叠以及相关联方法及系统。所述半导体裸片堆叠可包含具有存储器阵列的第一裸片及具有经配置以存取所述存储器阵列的CMOS电路系统的第二裸片。所述第一裸片可不具有用于存取所述存储器阵列的电路系统。此外，所述第一及第二裸片可经接合以用作单个存储器装置，且所述第一及第二裸片的前表面经连结以在其间形成电连接。所述第二裸片可包含未由所述第一裸片覆盖的部分，所述半导体裸片堆叠的接合垫定位于所述部分中。所述第一裸片可提供用于接合线连接到所述接合垫的空间，而不干扰附接于所述半导体裸片堆叠上方的另一裸片。多个半导体裸片堆叠可堆叠在彼此顶部上且彼此成一直线。
半导体堆叠以及相关联系方法

[发明专利]半导体装置中的单片导电柱及相关联方法-CN202310092991.X在审
发明人：周卫;K·K·柯比;B·K·施特雷特;K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及半导体装置中的单片导电柱及相关联方法。本文公开具有单片导电柱的半导体装置及相关联系统及方法。所述半导体装置能够包含半导体裸片及模制材料。所述半导体裸片能够具有半导体衬底、导电垫、开口、非导电衬垫及非导电材料的插塞。所述导电垫能够在所述半导体衬底的表面处。所述开口能够从所述导电垫延伸穿过所述半导体衬底到第二表面且界定侧壁。所述衬垫能够涂覆所述侧壁，且所述插塞能够填充所述开口。第二开口能够穿过所述半导体装置及所述开口及镀覆在其中的导电材料形成。所述模制材料能够横向邻近于所述半导体裸片。
半导体装置中的单片导电相关方法

[发明专利]半导体装置中的单片导电柱及相关联的方法-CN202310046169.X在审
发明人：周卫;K·K·柯比;B·K·施特雷特;K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请的主题涉及半导体装置中的单片导电柱及相关方法。本文公开了一种具有单片导电柱的半导体装置以及相关联的系统和方法。半导体装置可以包括半导体衬底、导电焊盘、开口、非导电衬垫和非导电材料的插塞。导电焊盘可以位于半导体衬底的表面。开口可以从导电焊盘穿过半导体衬底延伸到第二表面并且对侧壁进行界定。衬垫可以对侧壁进行涂布，且插塞可以对开口进行填充。可以穿过半导体装置和开口以及镀覆在开口中的导电材料形成第二开口。
半导体装置中的单片导电相关方法

[发明专利]用于多个模具封装的可研磨散热器-CN202310092288.9在审
发明人：周卫;B·K·施特雷特;K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种半导体封装可包括一种半导体模具堆栈，包括一个顶部模具和在顶部模具下方的一个或多个核心模具。所述半导体包还可以包括一种金属散热器，它镀在所述顶部模具的顶表面，且具有多个侧面与所述半导体模堆的多个侧壁的相应侧面共面。一种可能围绕半导体模具堆栈和金属散热器的模塑件，其中模塑件包括与所述金属散热器的外露上表面共面的上表面，模塑件的上表面和金属散热器的暴露上表面都经过机械改变。例如，金属散热器和模具可以同时用研磨盘研磨，并可以显示研磨痕迹的结果。
用于模具封装研磨散热器

[发明专利]组合接合裸片对封装及相关方法-CN202180065588.7在审
发明人： K·K·柯比;B·K·施特雷特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明涉及用于半导体装置的系统及方法，所述半导体装置具有：衬底，其具有接合垫；裸片对，其在所述接合垫上方呈堆叠配置且具有具氧化物层的第一裸片、具附接到第一氧化物层的氧化物层的第二裸片及电耦合所述裸片的导电接合。互连件延伸于所述接合垫与所述裸片对之间，从而将裸片对电耦合到所述衬底。所述装置可包含第二裸片对，其：(1)运用次级互连件电耦合到第一裸片对；及(2)运用延伸穿过所述第一裸片对的穿硅通孔电耦合到所述衬底。裸片对的顶部裸片可为用于对堆叠的顶部处的厚裸片。可通过将第一硅晶片的裸片匹配到第二硅晶片的裸片、组合接合所述晶片及切割所述裸片对而产生对。
组合接合封装相关方法

[发明专利]连接到处理单元的半导体存储器堆叠以及相关联方法-CN202180050165.8在审
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种连接到处理单元的半导体存储器堆叠以及相关联方法及系统。在一些实施例中，所述半导体存储器堆叠可包含附接到存储器控制器裸片(例如，高带宽存储器)且由所述存储器控制器裸片承载的一或多个存储器裸片。此外，处理单元(例如，处理器)可在无中介体的情况下附接到所述存储器控制器裸片，以为在所述半导体存储器堆叠与所述处理单元之间行进的信号提供最短可能路线。另外，所述半导体存储器堆叠及所述处理单元可在无中介体的情况下附接到封装衬底。
接到处理单元半导体存储器堆叠以及相关方法

[发明专利]前道工艺互连结构以及相关联的系统和方法-CN202180062799.5在审
发明人： K·K·柯比;K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：本公开提供用于具有前道工艺互连结构的半导体装置的系统和方法。所述半导体装置可包含：介电材料，其具有形成在半导体或硅衬底材料的前侧上的后侧和前侧；及传导材料，其在所述介电材料的所述前侧上。所述传导材料可具有线部分及电耦合到所述线部分并通过所述介电材料与所述衬底材料的所述前侧分开的互连结构。所述互连结构具有界定接触表面的后侧。所述半导体装置可进一步包含靠近所述介电材料的所述前侧的半导体裸片、封围所述半导体裸片的至少一部分的绝缘材料及开口，通过所述开口暴露所述互连结构的所述后侧处的所述有源接触表面以进行电连接。
工艺互连结构以及相关系统方法

[发明专利]前段工艺互连结构以及相关联系统和方法-CN202180052883.9在审
发明人： K·K·柯比;K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于半导体装置的系统和方法，所述半导体装置包括：前侧处具有沟槽的衬底材料；位于所述衬底材料的所述前侧的至少一部分上方且位于所述沟槽中的保形电介质材料；位于所述沟槽中的所述保形电介质材料之上的填充电介质材料；以及在前段工艺(FEOL)处理期间形成的导电部分。所述导电部分可包含FEOL互连通孔，其延伸穿过所述填充电介质材料和所述保形电介质材料的至少一部分，具有限定延伸超出所述半导体衬底材料的所述前侧的前侧电连接件的前侧部分和限定有源接触表面的背侧部分。所述导电部分可延伸横过所述保形电介质材料的至少一部分和所述填充电介质材料，并且具有限定有源接触表面的背侧表面。
前段工艺互连结构以及相关联系方法

[发明专利]用于半导体裸片组合件的弹性接合层和相关联系统和方法-CN202210832276.0在审
发明人：文秉勋;K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了用于半导体裸片组合件的弹性接合层以及相关联系统和方法。在实施例中，第一半导体裸片包含表面处的弹性接合层，第二半导体裸片可直接接合到所述弹性接合层以形成所述第一半导体裸片与第二半导体裸片之间的接合界面。在所述接合界面处，所述第一半导体裸片的第一导电垫可在直接接合过程期间结合到所述第二半导体裸片的第二导电垫以形成互连件。在一些情况下，在所述接合界面处可存在可能干扰所述接合过程的不规则体。所述弹性接合层可包含经配置以适应由所述不规则体产生的应力的聚合物(或有机)材料。在一些实施例中，所述弹性接合层的厚度基于所述第一(或第二)导电垫的宽度而预定。
用于半导体组合弹性接合相关联系方法

[发明专利]介电表面中用于以增加表面积、键合强度及对准来键合的齿形结构、阴影线及其它表面图案-CN202210960090.3在审
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请案涉及介电表面中用于以增加表面积、键合强度及对准进行键合的齿形结构、阴影线及其它表面图案。半导体装置包含具有第一主表面及与所述第一主表面相对的第二主表面的半导体衬底、在所述第一主表面上方的第一介电材料层及在所述第二主表面上方的第二介电材料层。所述第一层包含多个凹部，且所述第二层包含多个突起。所述多个凹部中的每一个由形状界定，且所述多个突起中的每一个与所述多个凹部中的对应一个竖直对准且由所述多个凹部中的所述对应一个的所述形状界定。
表面用于增加表面积强度对准来键合齿形结构阴影其它图案

[发明专利]具有用于无线信号及功率耦合的背侧线圈的半导体装置-CN201880028957.3有效
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其包含：衬底；多个电路元件，其位于所述衬底的前侧上；第一基本上螺旋形导体，其位于所述衬底的背侧上。所述装置进一步包含：第一贯穿衬底通孔TSV，其将所述基本上螺旋形导体的第一端电连接到所述多个电路元件中的第一者；及第二TSV，其将所述基本上螺旋形导体的第二端电连接到所述多个电路元件中的第二者。所述装置可为封装，其进一步包含具有安置有第二基本上螺旋形导体的前侧的第二裸片。所述第二裸片的所述前侧安置成面向所述衬底的所述背侧，使得所述第一基本上螺旋形导体及所述第二基本上螺旋形导体经配置以无线通信。
具有用于无线信号功率耦合侧线半导体装置

[发明专利]用于半导体裸片组合件的放热反应性接合及相关联系统及方法-CN202211018420.3在审
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开用于半导体裸片组合件的放热反应性接合，以及相关联系统及方法。在实施例中，半导体裸片包含具有导电垫的电介质层，其中所述电介质层的表面的至少一部分包含第一环氧化合物。当使包含第二环氧化合物(及另一导电垫)的另一半导体裸片与所述半导体裸片接触使得所述第一与第二环氧化合物能够发生放热反应时，从所述放热反应发出的热能能够促进所述导电垫之间的接合，以在所述两个半导体裸片之间形成互连件。在一些情况下，所述热能足以形成所述互连件。在其它情况下，所述热能协助接合后退火工艺形成所述互连件，使得退火能够在低温下执行。
用于半导体组合放热反应接合相关联系方法

[发明专利]用于半导体裸片制造中的直接接合的系统和方法-CN202211031114.3在审
发明人：徐邦宁;K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及用于在半导体裸片管芯制造中直接接合的系统和方法。公开了一种用于接合半导体裸片、所得半导体装置的方法以及相关联的系统和方法。在一些实施例中，所述方法包含在第一半导体裸片上沉积第一材料。所述第一材料具有第一外表面和所述第一外表面处的第一化学组成。所述方法还包含在第二半导体裸片上沉积第二材料。所述第二材料具有第二外表面和所述第二外表面处的与所述第一化学组成不同的第二化学组成。所述方法还包含堆叠所述裸片。所述第二半导体裸片的所述第二外表面与堆叠中的所述第一半导体裸片的所述第一外表面接触。所述方法还包含使所述第一外表面与所述第二外表面反应。所述反应使所述第一外表面接合到所述第二外表面。
用于半导体制造中的直接接合系统方法

[发明专利]多高度互连结构及相关联系统及方法-CN202180011796.9在审
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文中提供用于半导体装置的多高度互连结构的系统及方法。所述多高度互连结构通常包含具有初级导电柱(122)及次级导电柱(132)的初级层级半导体裸片(120)，其中所述初级导电柱相比于所述次级导电柱具有较大高度。所述半导体装置可进一步包含：衬底(110)，其经由所述初级导电柱电耦合到所述初级层级半导体裸片；及次级层级半导体裸片(130)，其经由所述次级导电柱电耦合到所述初级层级半导体裸片。可使用单一光致抗蚀剂掩模或多个光致抗蚀剂掩模形成所述多高度柱。在一些配置中，所述初级导电柱及所述次级导电柱可仅布置于所述裸片及/或所述衬底的正面上。
高度互连结构相关联系方法

[发明专利]用于半导体装置的电互连结构及使用电互连结构的组合件-CN202180011787.X在审
发明人： K·K·柯比 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本文中提供一种用于半导体装置的电互连结构。所述电互连结构包含电耦合到定位于半导体裸片(110)上的导电触点(112)的导电柱(114)及位于所述柱(114)的远端上的迹线收纳器(140)。所述迹线收纳器(140)具有电耦合到所述远端的主体(145)，且可包含从所述主体(145)的第一侧远离所述远端突出的第一支脚(147a)及从所述主体(145)的第二侧远离所述远端突出的第二支脚(147b)，使得所述主体(145)、所述第一支脚(147a)及所述第二支脚(147b)一起形成空腔。在所述半导体装置的组装期间，所述空腔经配置以至少部分地环绕定位于绝缘衬底(120)中的迹线(122)的一部分。为了形成电连接，可将焊料材料(142)安置于所述迹线收纳器(140)与所述迹线(122)之间。
用于半导体装置互连结构使用组合

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