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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种使用二维码技术制作电子小票的方法-CN201510975125.0有效
发明人：徐永君;石明浩;彭红 -专利权人：艾体威尔电子技术（北京）有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用二维码技术制作电子小票的方法，涉及数据编码领域。该方法：消费交互终端收到用户消费完成的指令后，将所述用户的消费信息编码为二进制数据；将所述二进制数据生成二维码后，将所述二维码显示在所述消费交互终端；用户使用移动终端扫描并解析所述二维码，得到所述二维码所对应的数据；将所述数据按照录入时间分配的序列号排列形成电子消费信息列表。本发明纸质消费信息装换成二维码的电子信息，用户通过扫描二维码即可获取纸质消费信息，方便、快捷、有效地解决电子消费信息传递问题。
一种使用二维码技术制作电子方法

[发明专利]氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件-CN202010902507.1在审
发明人：何俊蕾;林科闯;刘成;郭德霄;赵杰;徐宁;汪晓媛;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化镓基晶体管器件外延结构，包括：衬底及依序形成于衬底上的缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结，第二层异质结形成有凹槽，第二层异质结背离刻蚀终止层的一侧形成有P型氮化物层，且P型氮化物层填充凹槽本发明，一方面，能够通过形成的第一层异质结和第二层异质结，使两个异质结的二维电子气沟道之间可产生强耦合，从而降低该功率器件的导通电阻；另一方面，增加非凹槽处外延层厚度，降低表面态对沟道二维电子气的影响，同时阻止P型氮化物层填充凹槽过程中受主杂质如镁扩散至二维电子气沟道，提升器件动态稳定性。
氮化晶体管器件外延结构及其制备方法

[发明专利]基于二维电子气的可调式恒流管-CN201310528341.1无效
发明人：邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维电子气的可调式恒流管，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；在所述AlGaN层上表面分别设置漏极金属层本发明可以实现变化栅极的偏置电压，达到改变电子气电流大小的可调式目的。
基于二维电子调式流管

[其他]二维电子气发射极半导体器件-CN85107336无效
发明人：朱恩均 -专利权人：南京电子器件研究所
申请日： 1985-10-03 - 公布日： 1987-05-20 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：N型半导体基片用离子注入工艺制成P型基区之后，用任何一种工艺方法例如CVD法淀积满足下列要求的发射极材料1)宽禁带、低空穴迁移率；2)电子亲和势低；3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。
二维电子发射极半导体器件

[发明专利]二维电子气发射极半导体器件-CN85107336.0在审
发明人：朱恩均 -专利权人：南京电子器件研究所
申请日： 1985-10-03 - 公布日： 1990-01-10 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：N型半导体基片用离子注入工艺制成P型基区之后，用任何一种工艺方法例如CVD法淀积满足下列要求的发射极材料1)宽禁带、低空穴迁移率；2)电子亲和势低；3)与衬底材料间的界面态密度低、同时能重掺杂。则可制成二维电子气发射极半导体器件，即在发射极结界面的衬底材料一侧形成相当于重掺杂发射极的二维电子气层的半导体器件。
二维电子发射极半导体器件

[发明专利]区分半导体光致逆自旋霍尔效应本征与非本征机制的方法-CN201710891337.X有效
发明人：赵宜升;曾晓琳;俞金玲;程树英 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：该方法通过测量半导体二维电子气在不同温度下的光致逆自旋霍尔效应电流，并通过模型拟合得到半导体二维电子气中电子受到的自旋横向力随温度的变化趋势，若其随温度的增加而增加，则属于非本征机制，若其随温度的增加而减小
区分半导体光致逆自旋霍尔效应机制方法

[发明专利]通过综合二维气相色谱法的模拟蒸馏-CN201180009752.9无效
发明人： F·C·王;B·E·哈吉 -专利权人：埃克森美孚研究工程公司
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：通过综合二维气相色谱模拟蒸馏石油料流的方法，其包括如下步骤：用二维气相色谱仪分离所述石油料流以测定作为温度的函数的极性，和纵向集成给定温度下的二维气相色谱以测定作为温度的函数的信号强度。
通过综合二维色谱模拟蒸馏

[发明专利]二维码识别方法、装置、电子设备及存储介质-CN202011590063.9有效
发明人：孙萍;李玉笛;支洪平 -专利权人：科大讯飞（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06K7/14 文献下载
摘要：本发明提供一种二维码识别方法、装置、电子设备及存储介质，其中方法包括：对待识别的二维码阵列图进行分割，得到多个二维码；基于相邻增强方式，对当前二维码进行识别，得到所述当前二维码的识别结果；其中，所述相邻增强方式是所述当前二维码在所述二维码阵列图中相邻的二维码识别成功所用的图像增强方式本发明提供的方法、装置、电子设备及存储介质，实现了对二维码阵列图中所有的二维码进行批量识别，减少了批量识别二维码过程中的识别时间，减小了识别算法复杂度，提高了二维码批量识别的效率。
二维码识别方法装置电子设备存储介质

[发明专利]二维码生成系统-CN201810559052.0在审
发明人：韩培良;周海涛 -专利权人：宁波亿诺维信息技术有限公司
申请日： 2017-07-23 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：一种彩色二维码生成打印系统，用于生成具有电子纹理的彩色二维码，包括：接收部，其接收需要打印的二维码信息；二维码生成部，其基于接收的二维码信息生成需要打印的二维码图像；存储部，其存储预设的用于匹配二维码图像的彩色图像；匹配部，其将二维码图像与存储部中的彩色图像进行匹配，确定能够在二维码图像中显示的彩色图像；打印图像生成部，其生成具有电子纹理的打印图像；彩色打印部，用于将打印图像进行彩色打印。
二维码图像二维码彩色图像二维码信息彩色打印打印图像纹理存储部匹配打印打印图像生成部打印系统生成系统接收部匹配部预设存储

[发明专利]极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管及其制备方法-CN202310870904.9在审
发明人：吴畅;王凯;周瑞 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-07-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N80/10 文献下载
摘要：本发明提供一种极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管及其制备方法，上述的极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管包括衬底、缓冲层、沟道、阳极及阴极；缓冲层设于衬底上，多个沟道依次叠加设于缓冲层背离衬底的一侧；沟道包括沟道层和势垒层，势垒层设于沟道层上，两者叠加布设；沟道层与势垒层的接触面通过自发极化和压电极化产生二维电子气(2DEG)；阳极和阴极分别设于二维电子气的两侧，且与二维电子气接触；其中，势垒层为非故意掺杂的ε‑(Al<该耿氏二极管具有高耐压、短死区、抗辐照、高输出功率和低材料结构复杂度的优点，能够有效提高器件的性能。
极性氧化镓异质结多沟道耿氏二极管及其制备方法

[实用新型]一种半导体大容值电容结构-CN202320079033.4有效
发明人：何泽涛;黎明;蒲云霄 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体大容值电容结构，包括依次连接的衬底、外延沟道层、外延势垒层、第一介质层以及第二介质层，其中，所述外延沟道层和外延势垒层的界面处形成二维电子气，所述外延沟道层上制作有与二维电子气连接的正电极的欧姆接触，所述正电极的欧姆接触沿所述外延势垒层延伸至所述第一介质层中，所述第二介质层上设有与所述正电极的欧姆接触连接的沉积金属，所述沉积金属延伸覆盖在所述第二介质层上，所述第一介质层中设有负电极，所述负电极位于所述外延势垒层上该电容结构通过半导体外延沟道层的二维电子气作电容的内部电极实现电极的横向引出，选用反型的薄层外延势垒层作为电容介质层，有极性，寄生电感小，实现大比容量片上电容。
一种半导体大容值电容结构

[发明专利]电子输运性能更优的IV-V族二维半导体模型构建方法-CN202011161540.X有效
发明人：张铮琪;宋家欣;陈俊山;曾晖 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。
电子输运性能 iv 二维半导体模型构建方法

[实用新型]可识别二维码的智能锁及客房管理系统-CN202020355829.4有效
发明人：姜晓光 -专利权人：姜晓光
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可识别二维码的智能锁及客房管理系统，将门锁钥匙的介质形式实现电子化支持，通过二维码识别模块能够读取任何以二维码为开锁介质的电子钥匙或图片钥匙，尤其是能识别二维码和自有算法的电子门锁，住户无需领取卡片即可直接前往房间，使用手机上的二维码在所述二维码识别模块上进行电子识别开锁，同时能够通过按键板进行现场输密开锁，能够在用户忘记携带(手机)二维码的情况下实现按键开锁，实现多种开锁方式，使用方便
识别二维码智能客房管理系统

[发明专利]一种二维码验证方法及系统-CN200710100368.5无效
发明人：黄晖 -专利权人：黄晖
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维码验证方法及系统，用以解决现有技术中存在二维码的使用安全性差、效率低的问题。本发明提供的一种二维码验证方法，预先存储用户的二维码信息和电子通信地址信息的对应关系，该方法包括：根据所述对应关系，得到与二维码信息相对应的电子通信地址信息，并根据该电子通信地址信息，向用户终端发送身份确认请求信息；当接收到所述用户终端返回的确认信息时，所述二维码通过验证。本发明用于对二维码进行验证，以及通过二维码凭证实现业务，提高了用户使用二维码凭证的安全性，方便性，提高了交易效率。
一种二维码验证方法系统

[发明专利]基于手机二维码凭证支付平台的充值方法-CN200710121166.9无效
发明人：王旻;袁同舟;芦宏志;赵靖华;常杰 -专利权人：北京方维银通科技有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H04Q7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于手机二维码凭证支付平台的充值方法，包括：申请二维码形式的电子充值凭证；手机二维码凭证支付平台根据信息验证的结果生成充值所需金额的二维码形式的电子充值凭证，并将所述电子充值凭证发送到手机；将所述电子充值凭证发送到手机二维码凭证支付平台，或者自助充值设备终端识读手机上所述电子充值凭证，并将识读的电子充值凭证信息发送到手机二维码凭证支付平台；所述电子充值凭证信息通过验证后，手机二维码凭证支付平台向自助充值设备终端发送充值指令
基于手机二维码凭证支付平台方法

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