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[发明专利]一种多PDN型电流模RM逻辑电路-CN201410458112.1有效
发明人：胡建平;韩承浩 -专利权人：宁波大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多PDN型电流模RM逻辑电路，通过电压摆幅控制电路和复合逻辑门电路组成RM逻辑电路，该RM逻辑电路实质为一种电流模电路，复合逻辑门电路中第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管组成第一下拉网络(PDN)，第九NMOS管、第十NMOS管和第十一NMOS管组成第二下拉网络(PDN)，多PDN型结构适用于实现复杂逻辑功能，由此实现多个逻辑门组成的电流模复合逻辑门电路功能；优点是在不影响电路功能的情况下，采用电流模技术能有效降低电路的功耗，本发明RM逻辑电路相对于现有电流模及传统RM逻辑电路，功耗、延时以及功耗延时积大幅度降低，经试验验证，本发明的RM逻辑电路在SMIC130nm工艺下，具有很好的低功耗效果
一种 pdn 电流 rm 逻辑电路

[实用新型]能快速响应的低压差线性稳压器-CN202020204796.3有效
发明人：张明;马学龙;焦炜杰;杨金权;石方敏 -专利权人：江苏润石科技有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能快速响应的低压差线性稳压器，其包括运算放大器AMP，运算放大器AMP的输出端与功率管MP1的栅极端连接；还包括与运算放大器AMP的输出端连接的辅助电路，辅助电路的输出端与运算放大器AMP连接；在低压差线性稳压器本体的负载电流从轻载跳变到重载或从重载跳变到轻载时，辅助电路根据负载电流的变化能向运算放大器AMP内加载下拉电流Ipdown，运算放大器AMP根据所述下拉电流Ipdown能增大加载到功率管MP1栅极端的驱动电流Isr。
快速响应低压线性稳压器

[发明专利]静态存储单元、阵列及器件-CN201810577974.4在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态存储单元、阵列及器件，所述上拉晶体管组中具有呈对角线排布的两个上拉晶体管，所述下拉晶体管组位于所述上拉晶体管组的两侧，所述传输门晶体管组位于所述下拉晶体管组的外侧，所述下拉晶体管中的多个下拉晶体管的栅极呈一列排布，所述传输门晶体管组中的多个传输门晶体管的栅极呈一列排布，可以方便的区分所述下拉晶体管及所述传输门晶体管，实现单独选中并操作所述传输门晶体管，以对所述传输门晶体管的源极、漏极或者栅极进行特殊的操作(例如离子注入)，增加其读写的电流，进而增加静态存储单元的读写速度。
传输门晶体管下拉晶体管上拉晶体管排布静态存储单元读写对角线漏极源极离子选中

[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法-CN201510380061.X有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法，用具有固支梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的固支梁开关的下拉电极接地，设计两个固支梁开关MESFET的阈值电压相等，固支梁开关MESFET的阈值电压和它的固支梁下拉电压相等，当固支梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以固支梁开关被下拉到栅极上当MESFET的固支梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压，固支梁开关是悬浮在栅极上方，处于截止。降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。
氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器制备方法

[发明专利]移位寄存器单元、移位寄存器电路及其显示面板-CN201810002740.7有效
发明人：高雪岭;商广良;王志冲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：该移位寄存器单元包括：输入模块，用于在输入信号的控制下将所述输入信号传输至上拉节点以及将第一电源信号传输至下拉节点；上拉模块，用于在所述上拉节点的电压信号的控制下将时钟信号传输至信号输出端以及将所述第一电源信号传输至所述下拉节点；控制模块，用于在所述输入信号和所述信号输出端的电压信号的控制下将所述第一电源信号和/或第二电源信号传输至下拉节点；下拉模块，用于在所述下拉节点的电压信号的控制下将所述第一电源信号传输至所述上拉节点和所述信号输出端本公开可避免漏电流过大而导致的显示不良。
移位寄存器单元电路及其显示面板

[发明专利]一种基于SR技术的芯片控制电路及实现方法-CN201910739511.8有效
发明人：卞坚坚;阮晨杰 -专利权人：上海南芯半导体科技有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SR技术的芯片控制电路及实现方法，包括比较器OP1、OP2、OP3，Gate开关控制电路，驱动器，开关S，电流控制电路，通过比较器OP1、OP2使Vds与阈值电压比较，使Gate开关控制电路输出控制信号至驱动器，用于控制MOS管栅极的开关；在变压器副边续流的过程中，副边电流逐渐减小，Vds越来越小，在Vds小于一定值时，比较器OP3控制开关S闭合，降低MOS管栅极电压，同时，电流控制电路通过MOS管的栅极电压、Ron以及副边电流大小控制MOS管的下拉电流，使下拉电流适当减小，调控方便，避免了比较器OP3控制栅极电压时出现过度调整的问题，减小了整个电路的功率消耗，提高电路的工作效率，且比较器具有快速响应的特性
一种基于 sr 技术芯片控制电路实现方法

[发明专利]用于诊断电故障的系统和方法-CN201880064069.7有效
发明人： B.德拉戈伊;S.班蒂尔斯 -专利权人：康诺特电子有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：ECU为负载设备提供电力，并且具有耦合到输出的同轴电缆供电(PoC)滤波器、通过HSS输出线耦合到电源和PoC滤波器的高侧开关(HSS)、消除从输出朝向HSS的电流流动同时允许电流从HSS流向负载设备的设置在HSS输出线中的二极管、当发生电池短路情况时允许电流流过二极管朝向HSS的与二极管并联设置的二极管电阻器、配置为当发生开路负载情况时将HSS输出处的电压下拉至零伏的设置在HSS的输出线和二极管之前的地之间的下拉电阻器
用于诊断故障系统方法

[发明专利]锁相环电路及终端-CN202010744106.8有效
发明人：金玮;郭义龙;罗大猷 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：一种锁相环电路及终端，锁相环电路包括鉴相器、电荷泵、滤波器、压控振荡器和分频器，所述锁相环电路还包括：充电电流源，用于对所述滤波器中的电容进行充电；检测电路，其输入端耦接所述鉴相器的输出端，其输出端耦接所述充电电流源的控制端，用于检测所述鉴相器输出的上拉信号和下拉信号的差异，并根据所述差异控制所述充电电流源对所述滤波器中的电容进行充电/放电，所述上拉信号用于控制所述电荷泵进行充电，所述下拉信号用于控制所述电荷泵进行放电。
锁相环电路终端

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器-CN201510377658.9有效
发明人：廖小平;陈子龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器由两个固支梁栅NMOS管和一个恒流源构成，两个NMOS管的源极连接在一起，共同与下方恒流源相连，恒流源接地，两个NMOS管的栅极共同作为交流信号的输入端，两个NMOS管的漏极分别与电阻相接，该差分放大器制作在P型硅衬底上，两个NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层之上，用Al制作而成；下拉电极在固支梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极通过高频扼流圈接地；只有当固支梁栅上所加的电压大于NMOS管的阈值电压，该固支梁栅才能下拉并接触二氧化硅层从而使固支梁栅NMOS管反型导通，当所加电压小于NMOS管的阈值电压时固支梁栅就不能下拉，使差分放大器具有较小的直流漏电流
硅基低漏电流固支梁栅场效应晶体管差分放大器

[发明专利]硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器-CN201510379674.1有效
发明人：廖小平;陈子龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOSFET或非门的RS触发器包括由第一固支梁栅NMOS管(1)和第二固支梁栅NMOS管(2)组成的第一或非门(G1)，由第三固支梁栅NMOS管(3)和第四固支梁栅NMOS管(4)组成的第二或非门(G2)和两个阻值较大的电阻构成，该RS触发器制作在P型硅衬底上，四个NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层之上，用Al制作而成；下拉电极在固支梁栅下的部分被在二氧化硅层覆盖，下拉电极接地；NMOS管的固支梁栅的下拉电压设计得与NMOS管的阈值电压相等，只有当固支梁栅上所加的电压大于NMOS管的阈值电压，该固支梁栅才能下拉并接触二氧化硅层从而使固支梁栅NMOS管反型导通，正因为如此，就使本发明中的RS触发器具有较小的直流漏电流。
硅基低漏电流固支梁栅 mosfet 非门 rs 触发器

[发明专利]集成电路、双端口静态随机存取存储器单元及半导体架构-CN200710167961.1有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：根据本发明的两个下拉晶体管相互连接而当作单一下拉晶体管。若有需要，可连接三个或更多下拉晶体管以当作单一下拉晶体管，如此将可使电流更为均匀分散，特别是对于具有高驱动电流的金属氧化物半导体装置。
集成电路端口静态随机存取存储器单元半导体架构

[发明专利]一种基于BOOST型DCDC的宽输入电压低功耗的LDO供电系统-CN201910540424.X在审
发明人：郑志威;张喜 -专利权人：深圳市德赛微电子技术有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种基于BOOST型DCDC的宽输入电压低功耗的LDO供电系统，包括供电模块、电流镜、下拉电路、反馈电路以及第一场效应管PM0；所述反馈电路的一端连接电流镜，反馈电路的另一端连接电源VCC，所述电流镜的另一端分别连接下拉电路、第一场效应管PM0的源极和栅极，所述第一场效应管PM0的源极连接供电模块，第一场效应管PM0的漏极连接反馈电路；本发明提供的供电模块作为LDO供电系统的电源，下拉电路开启PM0管，电源VCC经过反馈电路实现稳定的芯片内部供电电压，本发明没有额外的启动电路、偏置电路和运算放大器，具有功耗低和精度高的特点，能够实现LDO系统稳定输出电压的功能。
反馈电路场效应管供电系统供电模块下拉电路电流镜功耗一端连接电源VCC 电压低放大器集成电路技术内部供电电压偏置电路启动电路输出电压系统稳定源极连接和运算漏极源极电源芯片

[发明专利]信号接收器-CN200710148501.4有效
发明人：赖荣钦 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-08-23 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明涉及一种接收电路，包括：传输门、下拉单元、升压电容、分压单元与接收单元。传输门根据控制信号决定是否导通输入信号。下拉单元根据控制信号决定是否将升压电容的一端点电压下拉。当有输入信号时，升压电容升压此输入信号，克服晶体管的临界电压太过所引起的电流不够的问题，而使接收单元可达到全振幅。
信号接收器

[发明专利]一种电机驱动器热故障检测装置-CN201911222633.6在审
发明人：李建华 -专利权人：贵阳航空电机有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H02H7/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种电机驱动器热故障检测装置，包括相电流反馈调理电路；所述相电流反馈调理电路的输出端连接有绝对值电路；所述绝对值电路的输出端连接有电平下拉电路，该电平下拉电路的输出端连接有过流时间积分器；所述过流时间积分器的输出端连接有故障判断电路
一种电机驱动器故障检测装置

[发明专利]一种驱动电路结构-CN201410616465.X有效
发明人：李兆桂;陈涛 -专利权人：无锡普雅半导体有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明涉及模拟电源技术领域，具体为一种驱动电路结构，其能够在软切换的过程中能较好地保持输出电压的线性度，其包括上拉电流Ibiasp、电压源VPP、PMOS管P1、电平转换器、第二NMOS管N2、反相器I1、第一下拉电流Ibiasn1、电容C1一端、第一NMOS管N1，反相器I1的输入端为驱动输入端IN，第一NMOS管N1的漏端连接电源VDD、源端为驱动输出端OUT，其特征在于，其还包括控制电路，控制电路包括栅端与源端相连的第五的源端连接PMOS管P1的源端，第五NMOS管N5的漏端连接第三NMOS管N3的漏端、第四NMOS管N4的漏端，第四NMOS管N4的栅端与源端相连，第三NMOS管的栅端连接第二NMOS管的栅端、源端连接第二下拉电流Ibiasn2一端，第二下拉电流Ibiasn2另一端接地。
一种驱动电路结构