“下拉电流”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果639249个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硅基低漏电流双固支梁可动栅倍频器-CN201510386965.3有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET倍频器，由硅衬底，N型增强型MOSFET，以及外接的低通滤波器，压控振荡器，除法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的固支梁，下拉电压设计为MOSFET的阈值电压，由直流偏置控制。参考信号和反馈信号加载在两个固支梁可动栅上。两个固支梁可动栅均悬浮不与栅氧化层接触时，MOSFET截止，能减小栅极漏电流。两个固支梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号输入到MOSFET实现相乘，通过外接电路最终输出参考频率的倍频信号。另外，单个固支梁可动栅下拉后，可实现对单个选通信号的放大，使电路具有多功能。本发明降低漏电流，体积更小，且实现多功能。
硅基低漏电流双固支梁可动栅倍频器

[发明专利]硅基低漏电流双悬臂梁可动栅分频器-CN201510378509.4有效
发明人：廖小平;韩居正 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H03L7/18 文献下载
摘要：本发明的硅基低漏电流双悬臂梁可动栅分频器由硅衬底，N型增强型MOSFET，外接的低通滤波器、压控振荡器、乘法器、高频扼流圈构成。悬臂梁的下拉电压设计为MOSFET的阈值电压。两个悬臂梁可动栅均处于悬浮状态时，MOSFET截止，栅电容较小，能减小栅极漏电流。两个悬臂梁可动栅均下拉与栅氧化层接触时，MOSFET导通，参考信号和反馈信号经MOSFET相乘，通过低通滤波器、压控振荡器和乘法器实现参考信号的分频。下拉单个悬臂梁可动栅，可实现对单个信号的放大，电路具有多功能。本发明降低漏电流，体积更小，且实现多功能。
硅基低漏电悬臂梁可动栅分频器

[发明专利]基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器-CN201510379200.7有效
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明的基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器由直流偏置源、上拉电阻、GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT组成，在HMET栅极上方对称设计的两个悬臂梁作为信号的输入端，在悬臂梁下方各有一个下拉电极，下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当HMET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，此时HEMT的沟道被耗尽层阻断，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时HEMT的沟道处于导通状态，漏极输出为低电平最后由两个基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT实现的或非门电路构成RS触发器。
基于砷化镓基低漏电悬臂梁开关非门 rs 触发器

[发明专利]基于微机械硅基固支梁的频率检测器及检测方法-CN201210204579.4有效
发明人：廖小平;华迪 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R23/02 文献下载
摘要：检测方法包括如下步骤：当在一下拉电极（81）和第二下拉电极（82）加载直流偏置时，固支梁（7）被下拉且与栅极（5）接触时，两路微波信号同时加载到栅极（5）上，硅基金属-氧化物-半导体场效应管处在频率检测状态，源极（2）和漏极（3）之间的饱和电流输出包含了待测信号频率信息的电流分量，通过检测饱和电流的大小最终实现频率检测。
基于微机械硅基固支梁频率检测器检测方法

[发明专利]基于微机械硅基固支梁的相位检测器及检测方法-CN201210204577.5有效
发明人：廖小平;华迪 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01R25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微机械硅基固支梁的相位检测器及检测方法，该相位检测器包括硅衬底（1），生长在硅衬底（1）表面上的用于输出饱和电流的源极（2）和漏极（3），源极（2）与漏极（3）相对设置，第一固支梁锚区检测方法包括如下步骤：当在第一下拉电极（81）和第二下拉电极（82）分上加载直流偏置时，固支梁（7）被下拉且与栅极（5）接触，两个频率相同而存在一定相位差的微波信号同时加载到栅极（5）上；漏极（3）饱和电流经处理滤去高频信号，得到相位差信息的电流信号。
基于微机械硅基固支梁相位检测器检测方法

[发明专利]基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅或非门的RS触发器-CN201510379369.2有效
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明的基于硅基低漏电流双悬臂梁可动栅MOSFET或非门的RS触发器，原理和结构简单，由基于Si基低漏电流双悬臂梁可动栅MOSFET实现的或非门电路构成RS触发器，降低成本的同时减小了功耗。由于悬臂梁结构在非工作状态时的漏电流极低，有效地降低了功耗。在MOSFET沟道上方对称设计的两个悬臂梁作为可动栅极，在悬臂梁下方各有一个下拉电极，下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当MOSFET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，MOSFET处于非导通状态，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时MOSFET处于导通状态，漏极输出为低电平
基于硅基低漏电悬臂梁可动栅非门 rs 触发器

[发明专利]差分信号发生电路及电子系统-CN201610919518.4有效
发明人：郭振业;苏振江 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种差分信号发生电路及电子系统，差分信号发生电路包括：差分信号发生单元，在控制信号的作用下，生成差分正压信号和差分负压信号，还输出共模电压信号；误差放大单元，适于放大第一参考电压信号和共模电压信号幅度之差；压控电流源，适于根据误差放大单元输出的误差电压输出下拉电流，下拉电流用于调控共模电压信号幅度；高阻检测单元，接收第二参考电压信号，适于当差分信号发生单元的输出端处于高阻态时，对共模电压信号上拉或下拉，还适于比较第二参考电压信号和共模电压信号并生成使能信号
信号发生电路电子系统

[发明专利]一种电流互感器采样和状态检测电路的检测方法-CN202111395281.1在审
发明人：李亦龙;张宏达;李熊;肖涛;陆春光;王朝亮;刘炜;宋磊;蒋群;黄荣国;陈齐瑞;易成林;丁振 -专利权人：国网浙江省电力有限公司营销服务中心;浙江正泰仪器仪表有限责任公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01R35/02 文献下载
摘要：本发明为一种电流互感器采样和状态检测电路的检测方法，针对现有检测电路成本高且方式不能兼顾电流有效值获得和互感器状态判断的问题，采用技术方案如下：一种电流互感器采样和状态检测的电路，包括连接在电流互感器的输出端的采样电阻，与所述采样电阻并联的信号处理单元，连接在采样电阻的一端和外接电源之间的上拉电阻，一端连接采样电阻的另一端、另一端接地的下拉电阻，电流互感器采样和状态检测电路的检测方法，包括步骤1，获得电流数字信号；步骤仅增加上拉电阻和下拉电阻，增加的物料成本较低，且能够获得正常状态下的电流有效值，并检测互感器状态。
一种电流互感器采样状态检测电路方法

[实用新型]级联电池保护电路和系统-CN201420638500.3有效
发明人：张勇;尹航;王钊 -专利权人：无锡中星微电子有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H02H7/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种级联电池保护电路，包括级联的多个电芯保护单元，每个电芯保护单元的检测输出端通过第一电阻与相邻下级电芯保护单元的检测输入端相连接；每个电芯保护单元包括：第一电流镜电路、数字控制单元和第二电流镜电路；通过第一电流镜电路的检测输入端检测电路的电压信号，根据电压信号得到下拉电流；根据下拉电流输出第一信号；数字控制单元，用于根据第一信号得到第一状态信号，并将第一状态信号与本级电芯保护单元的放电保护输出信号进行状态判断，得到第一控制信号和第二控制信号；第二电流镜电路，根据第一控制信号和第二控制信号的控制，通过第二电流镜电路的电压检测输出端向下级电芯保护单元输出电压信号。
级联电池保护电路系统

[发明专利]用于GaN开关的时间可编程失效安全下拉电路-CN202110022024.7在审
发明人： K·K·里昂;P·纳茨金 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：这是使用耦接到GIT的栅极的失效安全下拉来实现的。失效安全下拉包括电阻调制电路，其改变GIT的有效栅极电阻，使得在GIT的导通转变之后立即在某一间隔内提供低电阻，从而有利于高电流脉冲对GIT的栅极充电。随后，提供高电阻，使得驱动低得多的电流以将GIT维持在其导通状态。失效安全下拉使得能够利用相对简单的驱动器来驱动GIT等，该相对简单的驱动器可以设置在功率开关器件的外部或者与功率开关集成在同一管芯中。
用于 gan 开关时间可编程失效安全下拉电路

[发明专利]电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法-CN202110993705.8在审
发明人：金灿景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：感测电路被配置为基于流过电阻存储器单元的读取电流生成从第一电压电平上拉到第二电压电平的上拉信号，基于读取电流生成从第三电压电平下拉到第四电压电平的下拉信号，以及基于所生成的上拉信号和所生成的下拉信号之间的差来确定存储在电阻存储器单元中的数据
电阻存储器装置以及读取数据方法

[发明专利]基于砷化镓基低漏电流双悬臂梁开关的或非门-CN201510380083.6有效
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明的基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT的或非门由直流偏置源、上拉电阻、GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT组成，减少晶体管数量的同时降低了电路的功耗。在HMET栅极上方对称设计的两个悬臂梁作为信号的输入端，在悬臂梁下方各有一个下拉电极，下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当HMET两个输入为低电平时，悬臂梁都处于悬浮状态，此时HEMT的沟道被耗尽层阻断，漏极输出为高电平；当至少一个输入端为高电平时，高电平对应的悬臂梁被下拉，此时HEMT的沟道处于导通状态，漏极输出为低电平
基于砷化镓基低漏电悬臂梁开关非门

[发明专利]具有未供电端的总线接口-CN201610812772.4有效
发明人：耿学阳;艾哈迈德·亚兹迪;赛马克·德尔沙特伯;阿比杰特·钱德拉坎特·库尔卡尼 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本公开描述了一种包括装置的系统，该装置被配置成通过包含多条电线的有线连接将电流提供能力传送到外部电源。该装置包括电源电路，该电源电路被配置成提供用于该装置的运行电力。第一下拉电路被配置成使用第一电阻元件为该有线连接的特定电线提供下拉，该第一电阻元件被使用该运行电力有源地微调。第二下拉电路包括至少一个晶体管，在不存在该运行电力的情况下，该至少一个晶体管被配置成响应于从在该特定电线上的电压生成的栅极电压，启用在该特定电线与第二电阻元件之间的电流路径。
具有供电总线接口

[发明专利]双固支梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器-CN201510379538.2有效
发明人：廖小平;闫浩 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G01R25/00 文献下载
摘要：本发明的双固支梁开关砷化镓基低漏电流HEMT微波相位检测器，由双固支梁开关HEMT管和低通滤波器构成。HEMT管为增强型，衬底为GaAs。栅极的上方，设计固支梁，两个锚区制作在N+AlGaAs层上，下拉电极制作在固支梁的正下方，下拉电极上方是一层绝缘层。固支梁的下拉偏置电压设计为与HEMT管的阈值电压相等。相比于传统的HEMT管，固支梁开关引入使得HEMT管具有更好的信号可控性，为电路实现多种模式之间切换提供了可能，同时降低了栅极漏电流。
双固支梁开关砷化镓基低漏电微波相位检测器

[发明专利]具有多输出范围的电压调节器及其控制方法-CN201410557295.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：芯视达系统公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种固态集成电路设计技术领域的具有多输出范围的电压调节器及其控制方法，该电压调节器包括：PMOS调节器、内置第一开关的电阻分压器、负电荷泵和下拉电流源，PMOS调节器与电阻分压器相连，电阻分压器的输出端作为输出电压且通过第二开关接地，电阻分压器的输出端分别通过第三和第四开关与负电荷泵和下拉电流源相连。本发明能够有效地避免漏电流的发生，与传统的单一输出范围的电荷泵或调节器相比，能够满足不同的电压范围要求，并能够解决漏电流引起的NMOS衬底的反向电压连接问题。
具有输出范围电压调节器及其控制方法