专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]终端以及终端间的充电方法-CN201810816804.7有效
  • 范杰 - 北京小米移动软件有限公司
  • 2018-07-24 - 2020-10-30 - H02J7/00
  • 该方法包括:充电芯片在物理充电接口的充电引脚上监测到下拉电平,将下拉电平上报CPU且进入待充电状态;CPU根据下拉电平控制USB切换开关从第一开关状态切换到第二开关状态;协议芯片与受电终端完成充电握手协议的协商过程,并在协商成功时,向CPU发送握手成功信号;CPU根据握手成功信号向充电芯片发送放电信号;充电芯片根据放电信号输出充电电流。其中,协议芯片支持的第一充电协议允许终端使用大电流为另一终端充电,且第一充电协议为所有终端支持,实现了终端使用大电流为另一终端定向充电的方法。
  • 终端以及充电方法
  • [发明专利]开关变换器及其检测电路-CN202111013583.8有效
  • 张程龙;胡鹏;藤谋艳 - 华源智信半导体(深圳)有限公司
  • 2021-08-31 - 2023-02-14 - H02M3/335
  • 本发明提供了一种开关变换器及其检测电路,包括:目标引脚、输入电阻、温度检测电阻、运算放大器,下拉电流源与检测反馈模块;所述输入电阻的第一端用于接入输入电压,所述输入电阻的第二端、所述温度检测电阻的第一端均连接所述目标引脚,所述温度检测电阻的第二端接地,所述运算放大器的第一输入端用于输入参考电压,所述运算放大器的第二输入端连接所述目标引脚,所述目标引脚还经所述下拉电流源接地,所述运算放大器的输出端直接或间接连接至所述下拉电流源与所述检测反馈模块
  • 开关变换器及其检测电路
  • [实用新型]调光控制电路及灯具-CN202120310412.0有效
  • 周峰;杨林;杨海涛 - 深圳市豪恩智能物联股份有限公司
  • 2021-02-03 - 2021-10-29 - H05B47/10
  • 一种调光控制电路及灯具,通过旋钮调节电路根据感应到的第一操作指令输出调光电压;旋钮信号发生器根据感应到的第二操作指令输出旋钮电压;控制电路在接收旋钮电压的预设时间后输出控制电压;其中,预设时间与旋钮电压成线性关系;下拉电路根据控制电压将调光电压下拉至电源地;调光电路根据调光电压输出驱动电流以点亮发光组件;其中,驱动电流与调光电压成正比例关系;由于控制电压在控制电路接收旋钮电压的预设时间后被下拉至0V,故调光电路在控制电路接收旋钮电压的预设时间后停止输出驱动电流
  • 调光控制电路灯具
  • [发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器-CN201510379962.7有效
  • 廖小平;陈子龙 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-09-15 - H03F3/45
  • 本发明的氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器具有体积小,易于集成,开关速度快等显著优点;用具有固支梁开关的MESFET代替传统MESFET,本发明中所用到的N型MESFET的固支梁开关是悬浮在MESFET的栅极之上的,MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触,在栅极下方的衬底中形成耗尽层,把固支梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等,当在固支梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时,固支梁下拉与栅极紧贴,此时该MESFET沟道区内的耗尽区宽度减小,当固支梁开关与下拉电极之间所加载的电压小于MESFET的阈值电压时,就不能使固支梁下拉,MESFET就不能导通,从而栅极漏电流就不会存在
  • 氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器
  • [发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁的环形振荡器及制备方法-CN201510377854.6有效
  • 廖小平;褚晨蕾 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2018-02-23 - H01L27/085
  • 本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁的环形振荡器由三个倒相器首尾相连而构成,该环形振荡器基于GaN衬底,其中的N型MESFET和P型MESFET的栅极是悬浮在P型GaAs衬底上方的悬臂梁,该悬臂梁是Au材料制作,在悬臂梁下方有一个下拉电极,其中N型MESFET悬臂梁下方的下拉电极接地,而P型MESFET悬臂梁下方的下拉电极接电源,当MESFET悬臂梁与下拉电极间的电压小于阈值电压绝对值的时候,悬臂梁不会牵引下来,此时悬臂梁与栅极之间有一层空气间隙,从而导致MESFET不能够导通,这样栅极漏电流就得到了很好的抑制;当MESFET的悬臂梁与下拉电极间的电压大于阈值电压绝对值的时候,悬臂梁才会吸附至栅极上,MESFET
  • 氮化镓基低漏电悬臂梁环形振荡器制备方法
  • [发明专利]片内参考电流产生电路-CN201910981700.6在审
  • 季汝敏;应战 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-10-16 - 2021-04-16 - G05F3/26
  • 本发明提供一种片内参考电流产生电路,用以供应至少一参考电流给至少一负载,所述片内参考电流产生电路包括:晶体管;运算放大单元,其正输入端输入一参考电压,负输入端耦接所述晶体管的源极,输出端耦接所述晶体管的栅极;第一下拉电阻单元,耦接于所述晶体管的源极与接地之间,所述第一下拉电阻单元为经过ZQ校准电路校准的电阻单元;电流镜单元,耦接于所述晶体管的漏极与电源电压之间,用于将产生的电流输出供所述负载使用。本发明的优点在于,片内参考电流产生电路能够提供稳定的参考电流
  • 参考电流产生电路

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