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[发明专利]一种电流源电路-CN202111250550.5有效
发明人： 李兆桂;易鹏;高会阁 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及电路技术领域，提供了一种电流源电路，包括：电源电压输入电路输入电源电压；电源电压防抖电路与电源电压输入电路连接；电源电压防抖电路包括：第三增强型NMOS管与第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管连接；第三增强型NMOS管的漏极与第三增强型NMOS管的源极连接；第三增强型NMOS管接入电源电压；第一本征NMOS管的源极，与第五增强型NMOS管的漏极、第四增强型NMOS管的漏极连接至第一节点；第二增强型NMOS管的源极与第三增强型NMOS管的漏极、第三增强型NMOS管的源极、第五增强型NMOS管的源极连接至第二节点；其中，当从待机模式切换为正常工作模式时，所述第五增强型NMOS管打开，第二节点电压升高以进行预充电。本发明可有效减小电路模式切换时输出电流源电压偏置的稳定时间及抖动幅度。
一种电流电路

[发明专利]灵敏放大器电路-CN202211082969.9在审
发明人：冯国友;李兆桂 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源补偿灵敏放大器，其第四PMOS管、第五PMOS管的源端及第一NMOS管、第二NMOS管的漏端同接电源电压；第二PMOS管、第三PMOS管的栅端短接；第二PMOS管源端接第一NMOS管源端，漏端接第四PMOS管漏端及第三NMOS管漏端；第三PMOS管源端接第二NMOS管漏端，漏端接第五PMOS管漏端及第四NMOS管漏端；第四PMOS管、第五PMOS管的栅端短接；第三NMOS管、第四NMOS管栅端短接；第三NMOS管N3源端接参考电流源；第四NMOS管源端用于接待放大电流；补偿电路用于产生补偿电压；第一NMOS管、第二NMOS管的栅端同接补偿电压；补偿电压高于电源电压。本发明的电源补偿灵敏放大器，能改善电压依存性特性，使之适应宽电压应用。
灵敏放大器电路

[发明专利]基准电流源电路-CN202011282561.7有效
发明人： 李兆桂;陈涛;谢飞 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电流源电路，启动电路与通常的基准电流源电路相同，基准电压电路中增加了第一NMOS管，基准电流电路中增加了第二NMOS管，第一NMOS管、第二NMOS管主要用于镜像出基准电压给后级基准电流电路，该准电流源电路将基准电压直接镜像给后级基准电流电路，通过镜像电压偏置方式产生基准电流源，无需运放电路，无需考虑环路补偿，降低了设计难度，使得电路更稳定可靠，根据实际工艺中电阻温度系数的情况，调节设计参数，即可达成低温漂的输出基准电流。
基准电流电路

[发明专利]音圈马达驱动器驱动电流分段控制电路-CN201911407990.X有效
发明人：雷冬梅;李兆桂;童红亮 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H02P7/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种音圈马达驱动器驱动电流分段控制电路，根据音圈马达驱动器的驱动对象的不同行程的电流驱动事件，按照不同行程的相应起始电流和结束电流，自动选择所对应区段采用的控制电流曲线，分段分区域控制音圈马达驱动器的驱动电流，应用于驱动对象产品的整个工作过程，可以采用多种类型的驱动电流的电流曲线，能使驱动对象的运动快速、稳定且精度高。
马达驱动器驱动电流分段控制电路

[发明专利]一种带隙基准电压源快速启动电路-CN201911274929.2有效
发明人： 李兆桂;陈涛 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种带隙基准电压源快速启动电路，其中的带隙基准启动电路，包含：PMOS管PM1和PM2，NMOS管NM1，耗尽型NMOS管NM2，电流源；管NM1和管NM2的栅极连接有Ponrst信号；Ponrst信号在高电平阶段时，管NM1和管NM2开启，电流源电流Ibias通过管PM1在与管NM1的漏极对应的节点处产生偏置电压Pbias_setup，使运算放大器的输出端所对应的Pbias信号的电压与偏置电压Pbias_setup相等。本发明通过偏置电流源启动电压基准源，可消除电压过冲现象，提升电路的稳定性。
一种基准电压快速启动电路

[发明专利]音圈马达驱动器电流曲线模式自动学习系统-CN201911408001.9有效
发明人：雷冬梅;李兆桂;童红亮 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H02P25/034 文献下载
摘要：本发明公开了一种音圈马达驱动器电流曲线模式自动学习系统，通过自动学习算法，通过不断的学习一种类型的电流曲线的不同的段号、各段选取的不同步长、各段选取的不同步距的组合所产生的不同的振荡稳定结果，计算出该类型的电流曲线的各段的步长、各段的步距的最佳组合，使得电流曲线的对焦速度更快，精度更高，便于针对执行机构的整个工作过程，快速精确的选择一种驱动电流曲线，控制音圈马达驱动器工作，快速、稳定、精确驱动摄像头等执行机构运动。
马达驱动器电流曲线模式自动学习系统

[发明专利]一种灵敏放大器电路-CN202011199570.X在审
发明人： 李兆桂;冯国友 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种灵敏放大器电路，包括放大电路和偏置电路，所述偏置电路用于保证所述放大电路不失真的放大所述放大电路上的电压，不失真放大后的电压加载至存储单元CELL的漏极，其中，加载至所述存储单元CELL的漏极的电压恒定。本发明中的灵敏放大器电路可抵消不同应用电压导致的存储单元漏极电压的差异，提升存储单元不同应用电压的输出一致性。
一种灵敏放大器电路

[发明专利]用于闪存页编程的数据锁存电路、页数据锁存器及方法-CN201810644881.9有效
发明人：冯国友;李兆桂 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于闪存页编程的数据锁存电路、页数据锁存器及方法，包含：数据输入电路，与数据输入电路连接的n组主锁存电路；数据输入电路包括：第五晶体管，第六晶体管和第七晶体管；第五晶体管的门极和第六晶体管的门极反相串接输入pb_b信号；第六晶体管的源极作为数据Din的输入端；第五晶体管的源极作为数据Din的反相数据Dinb的输入端；第七晶体管的门极输入反相的eq信号，用于平衡第五晶体管和第六晶体管的漏极电压，防止数据写入时的串扰；第五晶体管和第七晶体管的漏极与各组主锁存电路的输入端a连接；第六晶体管的漏极、第七晶体管的源极与各组所述主锁存电路的输入端b连接。本发明具有增加驱动能力，节省电路面积的优点。
用于闪存编程数据电路页数据锁存器方法

[发明专利]一种灵敏放大器电路-CN201911258945.2在审
发明人： 李兆桂;冯国友 -专利权人：普冉半导体（上海）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种灵敏放大器电路，包含主灵敏放大电路、预充电电路、列解码电路和存储电路；本发明将灵敏放大器的部分电路由需要高耐压的MOS管修改为低压的MOS管，降低了整体的面积，同时也降低了整体功耗；同时本发明的新结构也简化了差分电路结构，降低需要匹配的MOS管需求，提升了电路的响应速度，支持更高速的应用。
一种灵敏放大器电路

[发明专利]一种混合结构电荷泵电路-CN201711351502.9有效
发明人：陈涛;李兆桂;张杰 -专利权人：普冉半导体(上海)有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合结构电荷泵电路，由多级电路结构构成，第一级电路有输入电源，电容，NMOS开关管，PMOS控制管及NMOS管，时钟信号CLK；电容一端接CLK，另一端接第一级电路的输出端；NMOS控制管的源极接电源，漏极接NMOS开关管的栅极，栅极接第一级电路的输出端；PMOS控制管的源极接第二级电路的输出端，漏极接NMOS开关管的栅极，栅极接第一级电路的输出端；NMOS开关管的源级接电源，漏极接第一级电路输出端。其他级电路除了主开关使用PMOS管，其他结构类似。本发明由于第一级开关使用NMOS器件，导通能力增强，对传统的电荷泵电路进行了优化，同时还提高了电荷泵输出的驱动能力。
第一级电路输出端电荷泵电路控制管漏极混合结构电容源极电源时钟信号CLK 第二级电路多级电路结构类似能力增强驱动能力输入电源传统的第一级电荷泵主开关导通源级电路输出优化

[发明专利]一种电源反向保护电路-CN201710322418.8有效
发明人：逯建武;李兆桂 -专利权人：普冉半导体（上海）有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源反向保护电路，其包含：高压NMOS管，其源端与衬底端分别连接外部电源VDD，其漏端作为所述电压反向保护电路的输出端连接所述内部电路的输入端，该漏端电压为VDDI；电荷泵电路，其输入端连接VDDI，其地端接地GND；栅端控制电路，其输入端连接所述电荷泵电路的输出端，其输出端连接所述高压NMOS管的栅端，其第一参考端连接外部电源VDD，其第二参考端连接VDDI。其优点是：该电源反向保护电路在实现反向保护功能的同时具备较低的启动工作电压以降低反向保护管的功率损耗。
一种电源反向保护电路

[发明专利]一种电压稳定器电路-CN201710322453.X有效
发明人：逯建武;李兆桂 -专利权人：普冉半导体（上海）有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压稳定器电路，包含：电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；电阻R1，连接电源电压VDD及N2管的栅端；电阻R2连接GND端及N1管的栅端；齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。或者，本发明中以双极性NPN晶体管Q2来替换N1管，使Q2管的集电极接N2管的栅端，基极接二极管D1的阳极，发射极接Q1管的基极。本发明结构简单，可以改善输出电压的线性调节，使其随电源电压的变化更小，并可以有效改善输出电压的温度特性。
栅端电阻输出电压电压稳定器齐纳二极管阳极电源电压衬底端发射极集电极漏端源端电路阴极高压NMOS管二极管连接电源温度特性线性调节接地双极型双极性替换

[实用新型]一种电源反向保护电路-CN201720508677.5有效
发明人：逯建武;李兆桂 -专利权人：普冉半导体（上海）有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电源反向保护电路，其包含高压NMOS管，其源端与衬底端分别连接外部电源VDD，其漏端作为所述电压反向保护电路的输出端连接所述内部电路的输入端，该漏端电压为VDDI；电荷泵电路，其输入端连接VDDI，其地端接地GND；栅端控制电路，其输入端连接所述电荷泵电路的输出端，其输出端连接所述高压NMOS管的栅端，其第一参考端连接外部电源VDD，其第二参考端连接VDDI。其优点是该电源反向保护电路在实现反向保护功能的同时具备较低的启动工作电压以降低反向保护管的功率损耗。
一种电源反向保护电路

[发明专利]一种驱动电路结构-CN201410616465.X有效
发明人： 李兆桂;陈涛 -专利权人：无锡普雅半导体有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本发明涉及模拟电源技术领域，具体为一种驱动电路结构，其能够在软切换的过程中能较好地保持输出电压的线性度，其包括上拉电流Ibiasp、电压源VPP、PMOS管P1、电平转换器、第二NMOS管N2、反相器I1、第一下拉电流Ibiasn1、电容C1一端、第一NMOS管N1，反相器I1的输入端为驱动输入端IN，第一NMOS管N1的漏端连接电源VDD、源端为驱动输出端OUT，其特征在于，其还包括控制电路，控制电路包括栅端与源端相连的第五NMOS管N5，第五NMOS管N5的源端连接PMOS管P1的源端，第五NMOS管N5的漏端连接第三NMOS管N3的漏端、第四NMOS管N4的漏端，第四NMOS管N4的栅端与源端相连，第三NMOS管的栅端连接第二NMOS管的栅端、源端连接第二下拉电流Ibiasn2一端，第二下拉电流Ibiasn2另一端接地。
一种驱动电路结构

[发明专利]一种开漏输出的限流保护电路-CN201410625615.3有效
发明人： 李兆桂 -专利权人：无锡普雅半导体有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明涉及模拟电源技术领域，具体为一种开漏输出的限流保护电路，其能够预防了输出端与电源的短路导致芯片可靠性下降的风险，消除使用时的安全隐患，其包括反相器I1和第一NMOS管N1，反相器I1的输入端为驱动输入端IN，反相器I1的输出端连接第一NMOS管N1的栅端，第一NMOS管N1的源端接地，其特征在于，其还包括第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、偏置电流Ibiasp，第一NMOS管N1的漏端连接第二NMOS管N2的源端、第三NMOS管N3的栅端，第二NMOS管的N2的漏端为驱动输出端OUT，第二NMOS管N2的栅端连接第四NMOS管N4的栅端和漏端、偏置电流Ibiasp一端，偏置电流Ibiasp另一端连接电源VDD，第四NMOS管N4的源端连接第三NMOS管N3的漏端，第三NMOS管N3的源端接地。
一种输出限流保护电路

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