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- [发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN202210796709.1在审
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周坤亿;陈宏岳
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联华电子股份有限公司
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2018-09-07
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2022-09-30
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H01L27/22
- 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含一第一金属氧化物半导体(metal‑oxide semiconductor,MOS)晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管设于一基底上；一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)设于该第一金属氧化物半导体晶体管以及该第二金属氧化物半导体晶体管之间；一第一层间介电层设于该MTJ一侧并位于该第一金属氧化物半导体晶体管上；以及一第二层间介电层设于该MTJ另一侧并位于该第二金属氧化物半导体晶体管上。
- 磁阻随机存取存储器
- [发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201811044167.2有效
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周坤亿;陈宏岳
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联华电子股份有限公司
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2018-09-07
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2022-07-26
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H01L27/22
- 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含一第一金属氧化物半导体(metal‑oxide semiconductor,MOS)晶体管以及一第二金属氧化物半导体晶体管设于一基底上；一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)设于该第一金属氧化物半导体晶体管以及该第二金属氧化物半导体晶体管之间；一第一层间介电层设于该MTJ一侧并位于该第一金属氧化物半导体晶体管上；以及一第二层间介电层设于该MTJ另一侧并位于该第二金属氧化物半导体晶体管上。
- 磁阻随机存取存储器
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