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[发明专利]一种Ta-C-N薄膜的制备方法-CN201110037849.2无效
发明人：严学华;尹君;程晓农 -专利权人：江苏大学
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：先对单晶Si基片按常规工艺进行表面活化处理，把Ta靶材、石墨靶材和Si基片分别放入主溅射室和进样室，并对主溅射室和进样室抽真空，对Ta靶和石墨靶进行预溅射清洗以去除表面杂质；调节氮气和氩气流量（sccm）比为1:(10~100)；调节基材和靶材距离为5~15cm；调节Ta靶溅射功率在80~150W起辉溅射，石墨靶材溅射功率在100~200W起辉溅射，采用同时溅射或者分层溅射的工艺流程制备获得薄膜。溅射后从主溅射室取出试样，得到非晶态的Ta-C-N三元薄膜。本发明过程简单，易实现，合成时间短等特点。
一种 ta 薄膜制备方法

[发明专利]靶材组件溅射面的处理方法-CN201310643252.1在审
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;袁海军 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B23P13/02 文献下载
摘要：一种靶材组件溅射面的处理方法，包括：提供靶材组件，所述靶材组件由靶材和背板焊接而成，对所述靶材组件溅射面进行粗加工，将焊接过程中产生的氧化层去除；对所述粗加工后的靶材组件溅射面进行精加工，去除在该溅射面上进行粗加工时留下的刀纹，并且能够减薄粗加工在该溅射面上形成的应力层厚度；对所述精加工后的靶材组件溅射面进行抛光处理。采用本发明的方法处理的靶材组件，应用于溅射工艺时，能够减短预溅射时间，从而提高在基片上的镀膜效率。
组件溅射处理方法

[实用新型]一种靶材组件的改进结构-CN202120836959.4有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;冯周瑜;杨广 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种靶材组件的改进结构，所述改进结构包括焊接固定的靶材和背板，所述靶材的厚度相比改进前靶材的厚度增加30～60％，所述靶材的侧面形成倒角，靶材溅射面的尺寸小于靶材焊接面的尺寸，所述靶材溅射面的边缘区域和靠近溅射面一侧的部分侧面区域设有滚花本实用新型通过增加靶材厚度，有效提高靶材的使用寿命，提高生产效率；通过将靶材的侧面调整为倒角结构，在靶材溅射面及侧面的边缘设置滚花，增加靶材边缘的附着表面积及反溅射物质粘附力，降低反溅射层的厚度，有效防止反溅射物质剥落而影响镀膜产品的均匀性；所述靶材组件的改进结构简单，效果明显，操作成本较低，应用前景广泛。
一种组件改进结构

[发明专利]拼接式磁控溅射平面靶材及其使用方法-CN202211046105.1在审
发明人：闫晓晖 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种拼接式磁控溅射平面靶材及其使用方法。其中，拼接式磁控溅射平面靶材包括各自独立且相互过盈连接的圆形靶材和若干个环形靶材，圆形靶材位于拼接式磁控溅射平面靶材的中心，环形靶材与圆形靶材同心设置且围绕圆形靶材的外周分布，外圈靶材的环宽根据磁控溅射的磁场强度对应设置通过将磁控溅射平面靶材分为多块同心设置且可以相互分离的独立靶材区域，在磁控溅射沉积过程中，可以方便的更换消耗完毕或接近消耗完毕的靶材结构，无需整体更换整个靶材，提高各区域靶材的利用率，提高经济效益。
拼接磁控溅射平面及其使用方法

[实用新型]一种ITO靶材-CN201420024561.0有效
发明人：胡业新 -专利权人：昆山日久新能源应用材料有限公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种ITO靶材，包括靶材本体，其特征在于：所述靶材本体由分体式设置的外圈溅射区及设置于溅射区内侧的非溅射区构成，所述溅射区与非溅射区之间拼接连接。本实用新型靶材由分体式的溅射区和非溅射区构成，两者之间拼接连接，溅射完成后非溅射区可再次利用，降低了靶材的成本，提高了资源的利用率。
一种 ito 靶材

[发明专利]一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法-CN201910914853.9在审
发明人：王明;纪红;卢硕;赵秀红;孙爱斌;苏乐;张玉彪 -专利权人：国合通用测试评价认证股份公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁控溅射技术领域的一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法，包括：将溅射用金属加工成形状规格相同的金属薄片，清洗干燥；将金属靶材安装在溅射靶枪上，调整靶枪角度，采用预溅射或划刻增大表面的摩擦力；将金属薄片放置在靶材上，根据合金纳米薄膜中金属元素的比例初步计算金属薄片的数量；按照磁控溅射仪的单靶溅射步骤在硅基片上沉积合金纳米薄膜并进行成分分析测试，对比实际与理论元素成分，调节金属薄片的数量。本发明采用单个金属靶材溅射的方法避免磁控共溅射中多靶共溅射过程中互相干扰，产生靶材灭弧现象，以及单靶合金靶材溅射过程中原子间碰撞拥挤，制备的合金纳米薄膜成分均匀、稳定，并且节约成本，效率大幅提高。
合金纳米金属薄片薄膜溅射磁控溅射金属靶材靶材制备磁控溅射技术磁控共溅射成分分析单靶溅射合金靶材互相干扰金属加工金属元素清洗干燥共溅射硅基片溅射靶预溅射单靶多靶划刻灭弧沉积拥挤测试节约

[发明专利]一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法-CN202111156884.6有效
发明人：黄仕华;李林华;郝亚非 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法，TCO薄膜生长采用反应射频磁控溅射法，在室温下生长碲与钪共掺杂的氧化铟TCO薄膜；溅射用靶材为铟靶、碲靶、钪靶，溅射工作气体为氩气，反应气体为氧气；在TCO薄膜生长之前，溅射室只通入氩气，对三靶进行15‑30分钟的预溅射，去除靶材表面吸附的杂质以及表面氧化物，当TCO薄膜开始生长时，氩气和氧气经过混气室充分混合以后进入溅射室，氩气与氧气的流量之比为50:1~20:1，溅射气压为0.1~0.4 Pa；铟靶溅射功率200 W，碲靶溅射功率为20~30 W，钪靶溅射功率为1~2 W；基底沉积温度为室温，溅射时间为10~20分钟。
一种迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法

[实用新型]一种多溅射轨道的平面磁控溅射靶-CN201620124930.2有效
发明人：李志荣;李志方;罗志明 -专利权人：东莞市汇成真空科技有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种多溅射轨道的平面磁控溅射靶，包括靶板、磁体组件，所述磁体组件安装在所述靶板后方，所述磁体组件中磁体的布置结构使其在所述靶板的靶面上形成两个以上的椭圆形或圆形溅射轨道。本实用新型平面磁控溅射靶通过在靶板的靶面上形成多个密集排布的溅射轨道，使平面磁控溅射靶靶材利用率高、发射的等离子体浓度高、发热相对较为分散、镀出的膜层均匀性好。
一种溅射轨道平面磁控溅射

[实用新型]一种可调节的磁控溅射靶材-CN201320283918.2有效
发明人：张祥;魏斌;熊红斌 -专利权人：张祥
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：针对磁控溅射靶材的溅射问题，本实用新型提供一种可调节的磁控溅射靶材，包括靶材、固定座、螺丝、弹性布，其中，靶材为两个长方体，固定座为正方体，且固定座的高度小于靶材的高度，固定座和靶材通过螺丝相连接；两个靶材之间连接有弹性布本实用新型将靶材做成两个长方体，大大节约了靶材，同时，溅射的部位位于靶材上，溅射一端时间后，通过螺丝能够调节靶材之间的距离，也就调节了靶材上的溅射的位置，充分的利用靶材。
一种调节磁控溅射

[发明专利]长寿命LCD靶材组件及其形成方法-CN201810007949.2在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;赵子毅 -专利权人：合肥江丰电子材料有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种长寿命LCD靶材组件及其形成方法，其中LCD靶材组件包括：背板；固定于所述背板表面的靶材结构，所述靶材结构包括第一面，所述靶材结构的第一面平坦并与背板表面贴合，所述靶材结构包括第一溅射区和分别位于第一溅射区两侧的第二溅射区，所述第二溅射区靶材结构的厚度大于第一溅射区靶材结构的厚度。所述靶材组件的使用寿命较长。
靶材结构溅射区靶材组件背板表面长寿命使用寿命背板贴合平坦

[发明专利]一种预测靶材使用寿命的方法-CN202010300099.2在审
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;龚润泽 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种预测靶材使用寿命的方法，所述方法包括以下步骤：(1)使用三维扫描的方法，获取靶材溅射前和溅射后的形貌图，采用靶材溅射前和溅射后的形貌图结合制得表面侵蚀曲线，从所述表面侵蚀曲线中得到靶材的原始厚度和靶材的最小剩余厚度；(2)构建所述靶材的最小剩余厚度、溅射功耗和所述靶材的原始厚度的函数关系，通过所述函数关系来预测所述靶材的使用寿命。所述方法能够反映靶材的真实形貌，快速找到靶材表面的实际溅射最深处，准确地得到靶材的最小剩余厚度，使靶材的利用率达到最大；所述方法适应用于各种靶材，应用范围较广。
一种预测使用寿命方法

[发明专利]一种溅射镀膜的方法-CN200910027044.2无效
发明人：狄国庆 -专利权人：苏州大学
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射镀膜方法，采用磁场辅助溅射方式镀膜，靶材和基片平行设置于两电极之间的电场中，靶材位于阴极表面，基片位于阳极，使靶材和基片之间形成等离子区，离子轰击靶材产生溅射，溅射出的靶材成分粒子沉积在基片上形成薄膜，其特征在于：所述靶材位于由永久磁铁或电磁铁或电磁线圈产生的磁场中，磁场的方向垂直于靶材表面。本发明的方法能够大幅度提高溅射镀膜的速率，大幅度提高镀膜的结晶质量；能整体比较均匀地刻蚀靶材，靶材的利用率可以提高到85～90％；并且对磁性和非磁性靶材都能获得更高的溅射速率和同样的溅射效果。
一种溅射镀膜方法

[实用新型]多元素溅射靶材结构-CN200820124584.3有效
发明人：古宏伟;屈飞;杨坚 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公布一种多元素溅射靶材结构，属薄膜材料制备领域。金属元素薄板靶材通过焊接层焊接在圆形的金属背板上，在靶材的溅射环区域内主元靶材和次元靶材各以6～12个扇形面交替等间隔镶嵌在靶材溅射环区域内。特别适用于贵金属靶材结构。本实用新型各组元在溅射环区域呈同心扇形分布，其组元成份比例均匀、稳定、易于控制。通过调整靶材溅射环中各组元区域面积的大小，可调整靶材成份。只在溅射区域有价格昂贵的贵金属材料，降低了靶材成本，各组元未合金化，因此有利于靶材废料回收。本实用新型用于磁控溅射薄膜材料制备设备。
多元溅射结构

[发明专利]用于溅射用旋转靶的接合组合物和使用其的旋转靶接合方法-CN201180065900.9有效
发明人： W.R.辛普森;韩淳锡 -专利权人：普兰西公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及用于溅射用旋转靶的接合组合物和使用其的旋转靶的接合方法。根据本发明，该用于溅射用旋转靶的接合组合物将溅射用旋转靶的圆柱形靶接合到圆柱形背管的外周表面，其中所述旋转靶能旋转地安装在溅射用腔室中以在通过驱动马达旋转的同时施加高的电压，其中所述用于将靶接合到背管的外周表面的用于溅射的接合组合物包括另外，提供使用所述用于旋转靶的接合组合物接合溅射用旋转靶的方法。根据本发明，溅射用旋转靶的生产成本显著降低。
用于溅射旋转接合组合使用方法

[发明专利]一种原子尺度超多层结构薄膜及其制备方法与应用-CN202310338458.7在审
发明人：刘江文;刘天奇;覃甲尧;王辉;欧阳柳章;曾美琴;朱敏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子尺度超多层结构薄膜及其制备方法与应用；本发明将两种靶材分别安装在超高真空磁控溅射系统的不同溅射靶位上，将清洗后的基底安装在溅射腔室的旋转底座上；所述靶材为Mg靶材和Cr靶材；对超高真空磁控溅射系统的溅射腔抽真空后，通入工作气体；工作气压稳定后，对每个靶材进行预溅射，清除靶材表面污染层；进行基底旋转溅射：控制不同靶材的溅射功率和基底转速，使得基底在旋转过程中依次通过不同靶材的上方，旋转溅射后得到原子尺度超多层结构薄膜本发明的制备方法工艺简单，原料价格低廉，通过调控靶材溅射功率与基底转速，实现原子尺度上的结构控制，得到20nm厚度以下级别的超多层膜结构，具有优异的储氢性能。
一种原子尺度多层结构薄膜及其制备方法应用