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[发明专利]一种制备MnO₂/C复合薄膜电极材料的方法-CN201110081440.0无效
发明人：黎阳;谢华清;王继芬 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种制备MnO2/C复合薄膜电极材料的方法，采用磁控溅射方法制备，通过控制溅射电源功率、溅射气氛、溅射偏压、溅射压强和溅射温度得到MnO2/C复合薄膜，具体步骤为：选直径2英寸的金属Mn靶和石墨靶为靶材；Mn靶采用射频电源，射频电源功率在50～150W之间；石墨靶采用直流电源，直流电源功率30～60W之间；溅射气氛为高纯Ar和高纯O2的混合气；溅射前的基底真空小于5×10-4Pa；在溅射过程中对基底施加0～-100V溅射偏压；并将溅射压强控制在0.5～1.0Pa之间内；溅射时对溅射室温度控制在室温～300℃之间。溅射气氛流量比Ar∶O2＝1∶1。本发明操作流程简单，制备的MnO2/C复合薄膜电极材料比电容高、循环稳定性好，可应用在需要高稳定性、高功率密度微型电源的场合。
一种制备 mno sub 复合薄膜电极材料方法

[发明专利]一种飞机窗玻璃的制作方法-CN201310718185.5无效
发明人：魏佳坤 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞机窗玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步骤：将基片清洗后放入样品托，然后送入磁控溅射设备；往磁控溅射设备中通入氩气和氧气，直流电源溅射铟锡靶，在基片上磁控溅射一ITO透明导电膜层；往磁控溅射设备中通入氩气，直流电源溅射钨靶，在ITO透明导电膜层上磁控溅射一W₂O₅层；往磁控溅射设备中通入氩气和氧气，用射频电源溅射LiAlO₂靶材，在W₂O₅层上磁控溅射LiAlO₂薄膜层；直流电源溅射Ni靶，在LiAlO₂薄膜层上磁控溅射NixO层；往磁控溅射设备中通入氩气和氧气，交流电源溅射铟锡靶，在NixO层上ITO透明导电膜层。
一种飞机窗玻璃制作方法

[发明专利]一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备-CN202210506190.9在审
发明人：张永胜;解传佳;武瑞军;莫超超;杨肸曦;彭孝龙;周振国 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明属于溅射镀膜技术领域，公开了一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备。该提高旋转靶材利用率的溅射方法中，在线获取位于真空室内的所述靶材的形貌信息；根据所述靶材的形貌信息自动生成所述靶材的外径形貌拟合图；根据所述外径形貌拟合图，自动控制所述靶材轴向各处的磁场强度，以使所述靶材均匀消耗在线获取靶材刻蚀情况并自动调整磁场强度，不需要对真空室破除真空后取出靶材调整更方便，且有利于提高调整频率，从而能够及时调整靶材轴向各处的磁场强度，有利于增大靶材利用率的调整幅度。本发明提供的溅射设备能够在线获取靶材表面刻蚀情况并调整对应位置磁场强度，不需人工操作，效率高，调整及时，能明显改善靶材的利用率。
一种提高旋转利用率溅射方法设备

[实用新型]一种磁控溅射旋转靶-CN201220208554.7有效
发明人：宋光耀;李毅;刘志斌;翟宇宁 -专利权人：深圳市创益科技发展有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射旋转靶，属于磁控溅射镀膜技术领域，解决磁控溅射镀制薄膜电池膜层的厚度一致性等技术问题，磁控溅射旋转靶包括靶筒、靶轴、靶材和磁体，靶材装在靶筒的外壁上，磁体位于靶筒内部，其特征在于所述靶筒的两端设有连接构件，该连接构件由端头、靶轴支承座和连接夹套组成，端头由连接夹套安装在靶筒的两端，靶轴支承座安装在端头内，靶轴的一端装有磁体移动机构，另一端装有靶材旋转机构。积极效果是通过调节靶电源以及旋转靶上的磁铁和靶材之间距离，调整靶材表面的磁场，保证所镀膜层厚度的均匀性和致密度的一致性。
一种磁控溅射旋转

[实用新型]移动磁极式扫描溅射源-CN200620017975.6无效
发明人：许生;徐升东;庄炳河 -专利权人：深圳豪威真空光电子股份有限公司
申请日： 2006-08-28 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种移动磁极式扫描溅射源，该溅射源包括：溅射源安装座；设置在溅射源安装座上的用于承托靶材的靶材承托板；设置在靶材承托板与靶材相对一侧并用于在靶材表面产生水平磁场的磁极装置以及设置在溅射源安装座上的传动装置，传动装置传动磁极装置在与靶材平行的平面内移动。通过采用上述结构，使基片载体(基片架)静止，通过往复平稳移动磁极使刻蚀轨迹在大幅面靶材上移动以达到扫描刻蚀的作用。最终实现对基板的均匀沉积制得优良的薄膜产品。
移动磁极扫描溅射

[发明专利]一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置-CN202310750458.8在审
发明人：王晓宇;苗龙;何梓豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置，包括真空仓，真空仓内设置有支撑底板和射频离子推力器，支撑底板的顶部可拆卸安装有溅射沉积三维收集机构，支撑底板的顶端设置有靶材，靶材设置于溅射沉积三维收集机构的内侧，射频离子推力器设置于溅射沉积三维收集机构的上方，射频离子推力器用于产生离子束，离子束用于轰击靶材。本发明通过实验收集多方位角度下的靶材溅射沉积质量，基于经离子轰击靶材后溅射粒子产生的三维球型溅射区域监测的需求，通过靶材及三维溅射沉积收集装置不同角度的摆放，实现离子不同轰击入射角的三维溅射区域监测。
一种多方位三维溅射沉积收集装置

[发明专利]一种利用率高的离子源溅射靶材装置及其使用方法-CN201710176088.6在审
发明人：刘伟基;冀鸣;陈蓓丽 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及离子源溅射技术领域，更具体地，涉及一种利用率高的离子源溅射靶材装置及其使用方法，该装置包括背板及可拆卸地设于所述背板上的第一靶材、第二靶材、第三靶材及第四靶材；所述四个靶材均为矩形结构，且四个靶材呈田字形结构拼接在一起本发明一种利用率高的离子源溅射靶材装置，通过设置四个靶材，并将四个靶材可拆卸地呈田字形结构拼接于背板上，使得离子源第一次溅射后能重新调整四个靶材拼接时的相对位置，使用离子源再次进行溅射，重复靶材位置调整及离子源溅射的工作直至每个靶材的四个角均被使用为止，该装置不但能大幅度提高靶材的利用率，降低生产成本，而且能保证靶材材料沉积速率的稳定性，保证制造的薄膜不受污染。
一种利用率离子源溅射装置及其使用方法

[实用新型]一种利用率高的离子源溅射靶材装置-CN201720287616.0有效
发明人：刘伟基;冀鸣;陈蓓丽 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及离子源溅射技术领域，更具体地，涉及一种利用率高的离子源溅射靶材装置，包括背板及可拆卸地设于所述背板上的第一靶材、第二靶材、第三靶材及第四靶材；所述四个靶材均为矩形结构，且四个靶材呈田字形结构拼接在一起本实用新型一种利用率高的离子源溅射靶材装置，通过设置四个靶材，并将四个靶材可拆卸地呈田字形结构拼接于背板上，使得离子源第一次溅射后能重新调整四个靶材拼接时的相对位置，使用离子源再次进行溅射，重复靶材位置调整及离子源溅射的工作直至每个靶材的四个角均被使用为止，该装置不但能大幅度提高靶材的利用率，降低生产成本，而且能保证靶材材料沉积速率的稳定性，保证制造的薄膜不受污染。
一种利用率离子源溅射装置

[发明专利]一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备-CN202211351999.5在审
发明人：张永胜;解传佳;周振国;武瑞军;彭孝龙;莫超超 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及真空溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备。磁控溅射阴极装置包括靶材筒组件、磁棒组件及汇聚磁铁组件，靶材筒组件位于真空腔室内，磁棒组件位于靶材筒组件的内部，汇聚磁铁组件设置在靶材筒组件靠近真空腔室侧壁的一侧，汇聚磁铁组件产生的磁力线能够朝靠近待镀膜基片的方向挤压磁棒组件产生的磁力线，避免溅射的原子沉积到真空腔室的侧壁上，使更多的原子沉积到待镀膜基片上。磁控溅射设备通过应用上述磁控溅射阴极装置，减少了靶材的损耗，降低了生产成本，提升了产品良率，延长了磁控溅射设备的维护周期，提高了设备的开机效率。
一种磁控溅射阴极装置设备

[发明专利]改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法-CN202110932079.1在审
发明人：陈东伟;周云;宋维聪 -专利权人：陛通半导体设备（苏州）有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及改善深孔填充均匀性的靶材组件、溅射设备及设计方法，包括靶材本体，所述靶材本体为溅射面是凹弧面的半球形，所述靶材本体的背面安装于靶材背板上，所述靶材背板另一侧设置有磁性部，所述靶材本体、靶材背板和磁性部同轴设置，且所述靶材背板及磁性部与所述靶材本体的溅射面的形状相匹配。设备还包括箱体和加热器，靶材组件的形状通过设计方法得出。本发明的靶材组件能够提高对基片上深孔填充的均匀性；溅射设备在保证填充均匀性的同时，减小了薄膜的内应力，提高成膜的致密度；设计方法，操作简单，得到的靶材组件填充均匀性好。
改善填充均匀组件溅射设备设计方法

[发明专利]磁控溅射组合装置及设备-CN202311114259.4在审
发明人：何锦华;王兢;梁超;秦福林;梁月 -专利权人：江苏博睿光电股份有限公司;博睿光电(马鞍山)有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种磁控溅射组合装置及设备，所述磁控溅射组合装置包括柱状靶材组件和至少一个平面靶材组件；所述柱状靶材组件包括设有中空腔室的旋转靶材以及分设于所述中空腔室内的多个第一磁体；所述平面靶材组件包括两边侧分别设有容置腔室的固定靶材以及设于所述容置腔室内的第二磁体；其中，所述平面靶材组件沿所述柱状靶材组件的周向设置，所述固定靶材的溅射面与所述旋转靶材的溅射面相对应。通过所设置的柱状靶材组件和平面靶材组件的组合利用，能够有效提高靶材利用率以及产品两面镀膜速率。
磁控溅射组合装置设备

[发明专利]一种真空溅射镀膜离子激发结构及离子激发方法-CN202211416221.8在审
发明人：张德军 -专利权人：张德军
申请日： 2022-11-12 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请涉及一种真空溅射镀膜离子激发结构及离子激发方法，一种真空溅射镀膜离子激发结构，包括空心溅射靶以及阴极过滤网，空心溅射靶具有离子溅射腔，离子溅射腔至少具有一个离子溅射口，阴极过滤网正对设置于离子溅射口空心溅射靶接收离子源轰击的过程中，等离子体轰击离子溅射腔的内壁，以使得靶电子和靶原子从空心溅射靶的表面溅射出来，通过在离子溅射口设置阴极过滤网，离子溅射腔内的靶电子被限制在离子溅射腔内，进而继续对离子溅射腔的内壁进行轰击，形成雪崩效应，进而提高金属离化率；金属离化率提高之后，正离子与靶原子一起沉积在待加工的基板上，以提高溅射涂层与基体的结合力，提高溅射涂层的适用性。
一种真空溅射镀膜离子激发结构方法

[发明专利]避免边缘长瘤的靶材结构-CN201510278546.8有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;李小萍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种避免边缘长瘤的靶材结构，包括：靶材，包括与带电粒子发生碰撞的溅射面，所述溅射面的尺寸与所述带电粒子束宽相当；背板，用于固定所述靶材。本发明通过使所述溅射面尺寸与所述带电粒子束宽相当，使所述靶材结构的溅射面位于带电粒子撞击密度较大的中心区域，从而提高所述溅射面边缘位置受到溅射的几率，使位于边缘位置的残留物能够在溅射过程中被去除，避免了残留物在溅射过程中脱落损伤基底的可能
避免边缘结构

[发明专利]延长硫化镉靶材使用寿命的镀膜方法-CN202110081610.9在审
发明人：萧吉宏;李涛;连重炎;刘林;卢海江 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了延长硫化镉靶材使用寿命的镀膜方法，采用四根硫化镉平面靶材进行直流溅射，假设四根硫化镉平面靶材的溅射总功率为p，第一根硫化镉平面靶材的溅射功率为1/4‑1/2p，第二根硫化镉平面靶材的溅射功率为1/4‑1/2p，第三根硫化镉平面靶材的溅射功率为1/6‑1/4p，第四根硫化镉平面靶材的溅射功率为1/6‑1/4p。本发明的镀膜方法没有对镀膜机软硬件进行升级，未改变硫化镉靶材的溅射总功率，也即缓冲层硫化镉膜层厚度未变化，仅仅只是对生产工艺参数比例的调整，即将关键靶材的消耗速率降低超过30％；这为单个周期的生产时间大幅延长提供了可能；一方面，单个周期的产能可能得到明显提升，另一方面，这为提高整套镀膜设备以及其他昂贵靶材的利用效率带来利好。
延长硫化镉靶材使用寿命镀膜方法

[发明专利]一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法-CN201310379478.5无效
发明人：彭寿;葛承全;张超群;井治;张仰平;李险峰 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及磁控溅射镀膜生产设备技术领域，具体来说是一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法，其特征在于靶材经过两次安装，两次溅射，具体方法为：当靶材第一次安装后，经过溅射，刻蚀区域位于靶材的一侧；然后将靶材水平旋转180°再重新安装在阴极上，进行第二次溅射，两次的刻蚀区域恰好连接成一个较大的刻蚀区域。本发明同现有技术相比，将靶材第一次安装后，经过溅射，刻蚀区域位于靶材的一侧，然后将靶材水平旋转180°再重新安装在阴极上，进行第二次溅射，使两次的刻蚀区域恰好连接成一个较大的刻蚀区域，另外，在阴极座外部两侧设有截面为L形的屏蔽罩，屏蔽了靶材上50%以上的区域，提高了靶材的利用率，降低成本。
一种提高矩形平面磁控溅射阴极利用率方法