“非晶硅硼碳氮锆”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1361603个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法-CN200610154423.4无效
发明人：杜丕一;张翼英;翁文剑;韩高荣;赵高凌;汪建勋;宋晨路;沈鸽;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-10-31 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开的Al/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的制备方法，先采用真空热蒸发法在基板上沉积Al膜，然后在同一反应室中采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法在Al膜上再沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。经过热处理，Al膜诱导非晶硅碳合金薄膜晶化。选用硅烷和甲烷作为反应气源，而无需采用昂贵的SiC晶体作为原料，且成分可以通过设定气体比例来控制；选用普通玻片、石英玻璃或Si片作为基板，可满足各种需求；采用射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜结构有序程度较高，薄膜质量较好，在Al的诱导下有利于非晶硅碳薄膜结晶性能提高。
一种制备氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜方法

[发明专利]一种含铪硅硼碳氮高温吸波陶瓷及其制备方法和应用-CN202210048349.7在审
发明人：孔杰;宋燕;刘子玉;朱润秋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种含铪硅硼碳氮吸波陶瓷的制备方法，属于吸波材料技术领域。首先制备超支化聚合物，再与四(二乙基氨基)铪进行交联，将铪元素引入超支化聚合物中形成含铪聚硼硅氮烷前驱体，最后通过热解实现前驱体到陶瓷的转化。此方法获得的含铪聚硼硅氮烷前驱体结构可控，经热解得到的含铪硅硼碳氮陶瓷在高温退火时能够生成HfC相、SiC相、HfB2相。
一种含铪硅硼碳氮高温陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]纳秒激光碳化提高锆基非晶合金表面硬度的方法-CN202110021483.3有效
发明人：黄虎;张洪洋;钱永峰;王超;张帝;刘翰林 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C23C8/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳秒激光碳化提高锆基非晶合金表面硬度的方法，属于非晶合金表面改性技术领域。对锆基非晶合金表面进行研磨、抛光、冲洗和干燥，获得镜面表面；将石墨粉和水混合，配置石墨粉水溶液；将锆基非晶合金样品放置在圆形透明容器内，调节激光焦点至样品表面，滴入配置好的石墨粉水溶液，控制液面高于样品表面1mm；调控纳秒激光工艺参数，实现不同搭接率的逐线扫描，利用碳元素与锆元素在高温条件下易反应生成碳化锆相的特性，在锆基非晶合金表面引入硬度较高的碳化锆相，实现其表面硬度的大幅提升。本发明操作简单，通过控制激光工艺参数可方便地获取不同硬化程度的锆基非晶合金表面，对于扩展其作为表面功能材料的应用具有重要意义。
激光碳化提高锆基非晶合金表面硬度方法

[发明专利]一种TOPCon电池正面选择性发射极的制作方法-CN202310733688.3在审
发明人：张文超;任常瑞;董建文;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池正面选择性发射极的制作方法，该方法采用PECVD方式先在制绒后的硅片表面沉积一层掺硼的非晶氧化硅，然后再沉积一层掺硼的非晶硅，然后通过在其上形成图形化保护膜，利用碱对掺硼非晶硅的腐蚀，将非保护膜区刻蚀掉，但由于掺硼氧化硅的耐碱性，刻蚀到掺硼氧化硅截止。本发明的方法中，轻掺和重掺的制备可以在同一管中完成，且该方法的制备温度相比于正常硼扩温度更低，同时利用原位掺杂，相比于高温扩散的方式，掺杂浓度可以更高。
一种 topcon 电池正面选择性发射极制作方法

[发明专利]一种ZrB2-CN202111409906.5有效
发明人：莫培程;陈家荣;陈超;骆颖;张延军;王文龙;张喆;潘晓毅 -专利权人：桂林特邦新材料有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZrB2增韧聚晶立方氮化硼复合片的制备方法，包括：按重量百分比计，称取17～35％的结合剂、1～5％的氮化铝和余量的立方氮化硼混合均匀后置于高温真空环境中净化，所得混合粉料和硬质合金基体置于保温传压介质中，进行高温高压合成，即得；其中，所述的结合剂由碳化硼、锆粉和硅粉按1：3.5～4.5：1～2的重量比组成。本发明以碳化硼、锆粉和硅粉为结合剂，在高温高压烧结过程中和立方氮化硼发生化学反应原位生成新物相二硼化锆、碳化锆以及碳化硅，从而牢固的粘结立方氮化硼颗粒；同时加入的少量氮化铝使烧结体快速致密化和抑制cBN
一种 zrb base sub

[发明专利]一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法-CN201310142935.9无效
发明人：贾锐;丁武昌;陈晨;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括：在p型晶体硅衬底背表面进行硼扩散形成p+p结构，形成硼的重掺背场；在p型晶体硅衬底前表面淀积本征纳米硅薄膜；在本征纳米硅薄膜上淀积n型非晶硅薄膜；在衬底背表面淀积富氢非晶碳化硅薄膜；在n型非晶硅薄膜上生长ITO；在ITO上电子束蒸镀银电极；在富氢非晶碳化硅薄膜上热蒸镀或丝印浆形成铝层；以及进行激光烧结。本发明能与现有工艺结合，不增加设备成本，相比传统的异质结电池，本发明利用非晶硅作为窗口层，提高电池的稳定性，引入的本征纳米硅层可进行良好的表面钝化，提高开路电压，相比传统铝背场更好的钝化效果和更好的长波响应
一种高效晶体硅异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种异质结型太阳能电池-CN201320392390.2有效
发明人：王强;虞铮栋;张孙;浩琛;罗阳;胡艳;张士兵 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结型太阳能电池，包括N型硅、P型硅、顶电极，P型硅表面淀积有掺硼的非晶硅，非晶硅与P型硅形成同型异质结，非晶硅开有纵向槽，非晶硅表面淀积有氮化硅，顶电极穿过氮化硅和非晶硅的槽与P型硅欧姆接触，所述顶电极与非晶硅绝缘。本实用新型电池在非晶硅上开设纵向槽，以便顶电池穿过后与P型硅连接，而顶电极与非晶硅之间由于氮化硅的存在而被绝缘，因此确保异质结的正常运行；而且电池对电极烧入深度控制要求低，只需要对准槽中央往下烧制电极，使电极烧制P型硅即可，可见本电池的制造工艺简单，能够在产业上获得推广。
一种异质结型太阳能电池

[发明专利]硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法-CN202111579473.8在审
发明人：钟观发;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法，所述硅片单面制绒方法，包括如下步骤：在硅片的非制绒面沉积P型掺杂非晶硅作为掩膜；制绒。相较于现有技术，选用P型掺杂非晶硅作为掩膜，P型掺杂非晶硅为硼掺杂，掺入硼后更耐碱液腐蚀，保护效果好；且沉积温度低，对设备要求低，成本也低；薄膜均匀性好，厚度薄，节约材料和沉积成本；另一面绕度少，无需刻意去除
硅片单面方法太阳能电池制备

[发明专利]太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜光阴极、光电极及制备-CN202210106580.7在审
发明人：朱锋 -专利权人：嘉善县登顶科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C25B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜光阴极，采用非晶硅薄膜叠层电池和非晶硅碳薄膜层的叠层复合结构，直接吸收太阳光产生光生载流子使水分子在光阴极表面分解，产生氢气，避免了光伏电池产生的电能在传输过程中的损耗本发明还提供了所述的太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜光电极及其制备，采用多腔室真空制备系统用等离子体化学气相沉积技术制备薄膜非晶硅太阳电池和非晶硅碳薄膜，溅射方法制备纳米厚度的金属铷纳米颗粒，在真空中实现一次性完成整个器件的制备该制备技术结合现有的非晶硅薄膜太阳电池生产线，可快速扩大生产，实现商业化。
太阳光电解水制氢用非晶硅碳薄膜阴极电极制备

[发明专利]硅－硼－氮陶瓷纤维先驱体的制备方法-CN200710170513.7无效
发明人：余木火;毕红艳;李书同;谢伟炜;韩克清;赵曦;曹义苗 -专利权人：东华大学
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅－硼－氮陶瓷纤维先驱体的制备方法。通过三氯化硼与氯化铵高温反应合成出三氯环硼氮烷晶体，产物与含有胺基或亚胺基的脂肪族烷基胺在低温下反应，再升至室温反应得到硼代烷基环硼氮烷(a)。用四氯化硅与六甲基硅氮烷室温下反应后再与三氯化硼反应得到Cl₃Si－N－BCl₂(TADB)，TADB再与与含有胺基或亚胺基的脂肪族烷基胺在低温下反应，再升至室温反应得到产物该先驱体具有良好的可纺性，并且裂解产物中含有极少的碳元素，可使最终的硅－硼－氮纤维具有良好的透波性。
陶瓷纤维先驱制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201410590299.0有效
发明人：夏建国 -专利权人：安徽省皖捷液压科技有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：一种氮化硅陶瓷，由下列重量份的原料制成：硅粉4-5、有机蒙脱石10-13、钛酸酯2-3、二氧化锡4-6、α-Si3N4粉70-78、聚乙烯醇1-2、碳硅硼8-12、乙炔炭黑2-3、氟锆酸钾3-4、硫酸锆3-4、正硅酸乙酯3-4、去离子水适量、氢氧化钾1-2、乙醇适量、助剂4-6；本发明的氮化硅陶瓷使用了碳硅硼、乙炔炭黑、氟锆酸钾、硫酸锆，使得陶瓷的耐磨性更加好，而且提高了润滑性，可以用于选矿，使用寿命长
一种氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛硅碳结合立方氮化硼超硬复合材料-CN201210123454.9有效
发明人：周爱国;李良;王李波;李正阳;李尚升 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明属于聚晶立方氮化硼技术领域，具体涉及一种钛硅碳结合立方氮化硼超硬复合材料。该复合材料采用以下步骤制成：将立方氮化硼微粉与钛硅碳粉配料，冷压成型，在4.5~5.5GPa的压力，1200~1400℃的温度条件下制备钛硅碳结合立方氮化硼超硬复合材料。本发明利用钛硅碳粉和立方氮化硼微粉作为原料制得的钛硅碳结合立方氮化硼超硬复合材料具有优异的性能：耐热性达到1200℃，1000℃以下结合剂和立方氮化硼均不发生氧化；具有良好的导电导热性能，导热系数为50
一种钛硅碳结合立方氮化硼超硬复合材料

[发明专利]改性非晶态铜合金催化剂使伯醇脱氢制备羧酸盐的方法-CN200710107859.2无效
发明人：周景梅;孔勇;王宝林 -专利权人：江苏扬农化工股份有限公司
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C07C227/02 文献下载
摘要：所述方法使用改性非晶态铜合金催化剂与含伯醇的碱性混合物接触。实施方案中的非晶态铜合金催化剂由快速急冷法制备，特别地添加金属元素、稀土元素和非金属元素铬、钛、铌、钽、锆、钒、钼、硅、锰、钨、钴、镍、铋、铁、镁、镓、锌、锡、锑、铅、锗、硼、碳、氮、磷、镧、铈、钐、镱中的一种或几种混合物对非晶态铜合金催化剂进行改性
改性晶态铜合金催化剂使伯醇脱氢制备羧酸方法

[发明专利]一种厚非晶软磁合金及其制备方法和用途-CN201410376564.5有效
发明人：安海路 -专利权人：天津奥纳科技有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种厚非晶软磁合金，其组成成分及重量份数如下：铁70-80份；硅5-10份；硼5-10份；碳0.5-2份。本发明非晶软磁合金为厚度在50-60um非晶带材，通过实验，当非晶带材厚度超过50um以后就可用冲压设备直接冲出各种复杂形状的非晶片，再将这些非晶片叠加起来就可制成各种复杂形状的异型铁芯且尺寸精度高、产品一致性好，因而大大地简化了异型铁芯的制造工艺和制造成本，提高了产品合格率，提高了生产效率，为非晶电机的发展起到了很大的推动作用。
一种厚非晶软磁合金及其制备方法用途

[发明专利]一种异质结电池的制备方法-CN201310125902.3无效
发明人：牛新伟;郁操;丁澜;戎俊梅;刘石勇;王明华;胡金艳;韩玮智;朱永敏;张华;冯涛;金建波;仇展炜;杨立友 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法，包括如下步骤：在n型硅片的正面沉积第一非晶硅本征层，这里的n型硅片可以是单晶或是多晶硅片；在所述第一非晶硅本征层上沉积非晶硅p层；在所述非晶硅p层上沉积第一掺硼氧化锌薄膜本发明采用掺硼氧化锌薄膜除替代ITO薄膜作为减反膜，由于掺硼氧化锌的特殊性质，特别是光陷作用，掺硼氧化锌可以起到良好的减反射作用，这样就省去了制绒的步骤，简化了制备工艺，由于多晶硅制绒更加具有挑战性，本发明对采用多晶硅硅片的异质结电池更加有意义
一种异质结电池制备方法