专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610286852.0在审
  • 邢宇鹏;丁穷;杨正春;张楷亮;赵金石 - 天津理工大学
  • 2016-05-03 - 2016-09-21 - H01L31/0376
  • 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法,该电池包括:衬底;钝化层,其制作在衬底下表面,覆盖衬底,为周期性开孔结构;第一电极,其制作在钝化层下表面,覆盖钝化层,通过钝化层的周期性开孔与衬底形成周期性接触;第一薄膜层,其制作在衬底上表面,覆盖衬底;第二薄膜层,其制作在第一薄膜层上表面,覆盖第一薄膜层;第二电极,其制作在第二薄膜层上表面,宽度小于第二薄膜层。与传统晶体电池相比,该电池可以更加有效的利用太阳光谱,该电池既可以独立使用,也可以与目前的晶体电池组成机械叠层结构,从而提高晶体电池的效率,降低成本。
  • 一种碳硅异质结太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]异质结太阳能电池片及其制备方法-CN202211309186.X在审
  • 左国军;舒欣 - 常州捷佳创精密机械有限公司
  • 2022-10-25 - 2023-01-03 - H01L31/0747
  • 本发明提供了一种异质结太阳能电池片及其制备方法,其中,异质结太阳能电池片包括:单晶衬底;在所述单晶衬底正面和背面分别制备本征薄膜层;N型掺杂层或N型微掺杂层,设置在所述单晶衬底正面的本征薄膜层顶面;P型微掺杂层,位于所述单晶衬底背面的本征薄膜层底面;透光导电层,分别设置在所述N型掺杂层或N型微掺杂层的顶面和所述P型微掺杂层的底面;电极,设置在所述透光导电层的表面上。其中,P型微掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基的混合气体沉积而成的层状结构,减少原子对Si‑H键的破坏,提高微化率,从而提高了电池转化效率。
  • 异质结太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]立方氮化烧结体及其制造方法-CN202080087411.2有效
  • 阿部真知子;久木野晓;松川伦子;东泰助 - 住友电工硬质合金株式会社
  • 2020-10-29 - 2023-08-22 - C04B35/5835
  • 一种立方氮化烧结体,其具备结合相和40体积%以上且85体积%以下的立方氮化颗粒,其中,所述结合相包含选自由一种以上的第一化合物以及源自所述第一化合物的固溶体组成的群组中的至少一种,所述第一化合物由选自由钛、、铪、钒、铌、钽、铬、钼以及钨组成的群组中的至少一种元素和选自由以及氧组成的群组中的至少一种元素组成,或者,所述结合相包含选自由一种以上的所述第一化合物以及源自所述第一化合物的固溶体组成的群组中的至少一种和铝化合物,所述立方氮化颗粒以数量基准计包含50%以上的当量圆直径超过0.5μm的立方氮化颗粒,并且,以数量基准计包含50%以下的当量圆直径超过2μm的立方氮化颗粒,在将所述立方氮化颗粒的质量设为100质量%的情况下,所述立方氮化颗粒中的锂、镁、钙、锶、铍以及钡的合计含量小于0.001质量%。
  • 立方氮化烧结及其制造方法

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