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[发明专利]一种集成光耦合器件及其制造方法-CN201610274007.1有效
发明人：陈龙 -专利权人：上海芯晨科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L31/173 文献下载
摘要：本发明提供一种集成光耦合器件及其制作方法，所述集成光耦合器件包括：背衬底；形成于所述背衬底上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的顶层硅；所述顶层硅包括分立设置的第一硅岛及第二硅岛；形成于所述第一硅岛上的光发射器；形成于所述第二硅岛中的光接收器。本发明的集成光耦合器件及其制造方法可以实现光发射器与光接收器集成于同一绝缘衬底上，减少了器件在封装中的接合线，降低了噪声信号。同时，集成光耦合器件器件尺寸极小，甚至可用于芯片内电学隔离，也免去了封装的光学对准，提高了生产效率，降低了成本。
一种集成耦合器件及其制造方法

[发明专利]一种光模块、光纤通讯链路、光纤通讯方法和通讯设备-CN202211696937.8在审
发明人：罗勇 -专利权人：昂纳科技（深圳）集团股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种光模块、光纤通讯链路、光纤通讯方法和通讯设备。光模块包括：至少两组接收组件，每组接收组件包括：输入端口，用于接收输入的光信号；第三集成器件，连接输入端口，用于获取光信号的功率；泵浦激光器，用于生成泵浦光；第一集成器件，每组接收组件中的泵浦激光器和第三集成器件连接第一集成器件；至少两组发射组件，与至少两组接收组件一一对应，每组发射组件包括：掺铒光纤，用于对合并后的光信号进行放大；第二集成器件，连接掺铒光纤，用于对合并后的光信号进行隔离、探测、分光中的至少一种操作；输出端口，与第二集成器件连接，用于输出经过第二集成器件处理后的光信号。
一种模块光纤通讯方法通讯设备

[发明专利]原位监测控制光波导器件温度和光功率的系统和方法-CN202110908898.2有效
发明人：胡小龙;张子彧;王昭;邹锴 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位监测控制光波导器件温度和光功率的系统和方法，系统包括：CLIPP通过测量光波导在不同频率的导纳变化量，联立不同测试频率下的函数关系同时原位监测集成光波导器件的光功率、温度；反馈控制电路根据信号读出电路得到的导纳变化量反馈控制集成光波导器件温度和光功率方法包括：选取多个驱动频率，分别拟合温度、光功率与导纳变化量的二元函数关系；读取驱动频率下的CLIPP的导纳变化量，反推出集成光波导器件的温度和光功率；利用信号读出电路得到的集成光波导器件温度和光功率，PID调节器反馈调节温度控制器提供给TEC的电流以及激光器的输出光功率，调整集成光波导器件的温度和光功率至设定值。
原位监测控制波导器件温度功率系统方法

[发明专利]一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法-CN200510053829.9无效
发明人：曾宇昕;杨富华;徐萍;刘伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法，其特点在于：1.不同于其他光－电集成器件的横向耦合结构，本器件的结构，是将化合物半导体光探测器和金属－半导体场效应晶体管纵向集成生长在同一衬底材料上2.在器件制备过程中，将栅极下方的砷化铟量子点有源区台面与源、漏电极区隔断开，使量子点层下方的调制掺杂导电沟道与源、漏电极连通，构成场效应器件的导电回路。本发明提出了一种纵向结构上将光探测器和金属－半导体场效应晶体管集成在一起的器件结构及制备方法，实现了光器件和电学器件的有效集成，结构简单，制备工艺简便有效，是光－电集成器件光探测器组件部分的一种更好的实现方法
一种包含量子探测场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种发射芯片和接收芯片集成型单管光器件及其封装工艺-CN202310598340.8在审
发明人：李永强;吴建华;谭卫东 -专利权人：四川光恒通信技术有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射芯片和接收芯片集成型单管光器件及其封装工艺，集成型单管光器件包括共用一个收发集成TO‑CAN的Vcsel TOSA有源光器件组件和Vcsel ROSA有源光器件。与现有技术相比，本发明的积极效果是：本发明集成了Vcsel发射激光器和Vcsel接收探测器为一体，同时集成Vcsel TOSA器件和Vcsel ROSA器件的功能为一体；本发明利用单管座将发射芯片和接收探测器芯片集成到一个芯片中
一种发射芯片接收集成型单管光器件及其封装工艺

[发明专利]用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法-CN200910207134.X无效
发明人：黄永清;段晓峰;王琦;任晓敏;黄辉;杨一粟;李轶群 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列的制备方法，特别涉及此器件中阶梯型谐振腔结构，以及基于该结构的单片集成光探测器阵列的制备方法，和基于该阵列器件的多波长处理功能的实现方法。本发明用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法，包括如下工艺步骤：经多次刻蚀工艺和二次外延生长工艺制备多台阶F-P谐振腔；通过GaAs/InP大失配异质外延生长工艺实现InP系有源器件与GaAs系无源滤波器件的单片集成本发明解决了可重构光分插复用器件对具有多波长处理功能的单片集成光探测器件的需求问题，并广泛用于光通信及光信号处理等领域，对今后光电子器件的集成化产生重要的影响。
用于波长处理单片集成探测器阵列制备方法

[发明专利]基于多模干涉原理的光功率分离和光交叉互连集成开关器件-CN200410015098.4无效
发明人：李宝军 -专利权人：中山大学
申请日： 2004-01-13 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多模干涉原理的、结构单元为3×2的光功率分离和光交叉互连集成光波导器件。该光器件由三个单模输入波导、一个多模波导、和两个单模输出波导共三部分组成，其中多模波导位于器件的中间，是一个多模干涉区，同时也是一个折射率可改变的区域。这种光功率分离和光交叉互连集成器件具有功率分离、光交叉互连、光合波、双波长光开关等多种功能，此外，本发明可在一个芯片上利用同一种微制作工艺技术实现单片集成和智能化集成，是一种单片化和智能化集成的光电子器件本发明是一种设计巧妙，方便实用的基于多模干涉原理的光功率分离和光交叉互连集成开关器件。
基于干涉原理功率分离交叉互连集成开关器件

[发明专利]一种采用石墨烯光电器件的单片光电集成电路-CN201610290587.3有效
发明人：邹望辉;曾云 -专利权人：湖南大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用石墨烯光电器件的单片光电集成电路，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的电路层；所述电路层上设置有包含石墨烯光电器件的光器件层；所述光器件层与所述电路层之间电性互联，并能将光器件层中传输的光信号转换成电信号传输至电路层，同时接收电路层传输过来的电信号，转换成光信号后继续在光器件层中进行传输。本发明采用石墨烯光电器件与现有的常规集成电路工艺基本兼容，只需在现有的常规集成电路工艺的基础上进行简单的扩展，就可以实现比较完整的、低成本、兼容性好的单片光电集成。
一种采用石墨光电器件单片集成电路

[实用新型]一种采用石墨烯光电器件的单片光电集成电路-CN201620400226.5有效
发明人：邹望辉;曾云 -专利权人：湖南大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用石墨烯光电器件的单片光电集成电路，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的电路层；所述电路层上设置有包含石墨烯光电器件的光器件层；所述光器件层与所述电路层之间电性互联，并能将光器件层中传输的光信号转换成电信号传输至电路层，同时接收电路层传输过来的电信号，转换成光信号后继续在光器件层中进行传输。本实用新型采用石墨烯光电器件与现有的常规集成电路工艺基本兼容，只需在现有的常规集成电路工艺的基础上进行简单的扩展，就可以实现比较完整的、低成本、兼容性好的单片光电集成。
一种采用石墨光电器件单片集成电路

[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法-CN01143332.9无效
发明人：宫崎浩;森和孝;长谷川升雄;寺泽恒男;田中稔彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2001-09-30 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种半导体集成电路器件的制造方法,其中包括依据半导体集成电路器件的制造步骤,在曝光处理时,适当采用具有由金属制成的光阻挡图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜制成的光阻挡图形的另一光掩模。根据本发明,可以提高半导体集成电路器件的生产率。
半导体集成电路器件制造方法

[实用新型]一种水听器集成光器件-CN201820183929.6有效
发明人：肖海波;高茂华 -专利权人：武汉中科锐择光电科技有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水听器集成光器件，主要涉及光纤通信技术领域的水听器集成光器件；该器件由两部分组成，能够实现高效的光路数据传输。
集成光器件水听器光纤通信技术本实用新型路数传输

[发明专利]一种多通道集成光耦器件及其制备方法-CN201310456024.3有效
发明人：董桂芳;段炼;李东;邱勇 -专利权人：清华大学;北京维信诺科技有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明所述的一种多通道集成光耦器件，光耦单元设置在基板同侧，无需增大光耦单元面积就可实现有机电致发光部件和有机光敏部件的一一对应，且各独立光耦无需单独封装，集成度高；各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱，相邻光耦单元之间无光信号串扰问题，抗干扰能力强；各部件为有机材料制成，使得所述多通道集成光耦器件具备柔性，轻、薄、体积小，适用范围广。本发明所述的一种多通道集成光耦器件的制备方法，采用有机薄膜器件制备工艺，将各光耦单元设置在基板同侧，集成度高，而且各光耦单元之间设置有不透光的隔离柱，相邻光耦单元之间无光信号串扰问题，抗干扰能力强且采用现有有机薄膜器件的生产工艺
一种通道集成器件及其制备方法

[发明专利]光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法-CN202211082210.0在审
发明人：伊藤达也;松本武 -专利权人：富士通光器件株式会社
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开涉及光集成器件、光集成电路晶圆以及制造光集成器件的方法。光集成器件包括基板和具有中空结构的波导。波导包括第一波导和第二波导，该第二波导光耦合至第一波导并且具有小于第一波导的相对折射率差的相对折射率差，并且所述波导根据光的行进将模式直径转换为光纤的模式直径。光集成器件包括凹陷部分，该凹陷部分形成在位于基板上的切割线附近，使得在所述基板的切割端表面在所述光波导的轴向方向上比所述第二波导的所述输出端表面突出得更远的状态下，所述输出端表面的宽度小于光耦合至所述输出端表面的所述光纤的芯宽度
集成器件集成电路以及制造方法

[实用新型]三维集成光互连芯片-CN201821124540.0有效
发明人：涂芝娟;方青;汪巍;蔡艳;曾友宏;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型提供的三维集成光互连芯片，包括：器件晶圆，所述器件晶圆包括具有器件结构的正面以及与所述正面相对的背面，且所述器件晶圆具有自所述正面向所述背面方向延伸的硅通孔；载体晶圆，与所述器件晶圆的正面键合；所述器件晶圆的背面具有球形焊点以及自所述背面向所述正面延伸的光耦合端面。本实用新型在简化三维集成光互连芯片中光耦合端面的制造工艺的同时，改善了光耦合端面的质量，降低了三维集成光互连芯片的制造成本。
晶圆三维集成光互连芯片背面本实用新型光耦合光耦合端面方向延伸器件结构球形焊点制造成本制造工艺硅通孔键合延伸

[实用新型]掺饵光纤放大器及通信系统-CN202123448145.2有效
发明人：王宇航 -专利权人：昂纳信息技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本实用新型公开一种掺饵光纤放大器及通信系统，掺饵光纤放大器包括：第一路光纤放大器、第二路光纤放大器、二合一集成器件，第一路光纤放大器包括第一输入端口、第一输入光功率监控单元、第一饵纤、第一集成器件和第一输出端口，第二路光纤放大器包括第二输入端口、第二输入光功率监控单元、第二饵纤、第二集成器件和第二输出端口。第一信号光从第一输入端口输入并依次经过一输入光功率监控单元、二合一集成器件、第一饵纤、第一集成器件至第一输出端口；第二信号光从第二输入端口输入并依次经过第二输入光功率监控单元、二合一集成器件、第二饵纤、第二集成器件至第二输出端口。两路放大器共用二合一集成器件，实现两路放大器集成在同一封装内。
光纤放大器通信系统