“阻变材料层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4515989个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201911046450.3在审
发明人：邹荣;陈昊瑜;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻变存储器的制备方法，包括提供一衬底；在所述衬底上形成下电极；在所述下电极以及所述衬底的上表面形成第一阻变材料层；在所述第一阻变材料层的上方形成第二阻变材料层，且所述第二阻变材料层的阻态不同于所述第一阻变材料层的阻态；在所述第二阻变材料层的上方形成上电极。即本发明通过在所述第一阻变材料层和上电极之间增加第二阻变材料层，实现阻变存储器的多种阻态(>2)下的转变，从而实现多值存储，可在存储芯片面积不变的前提下，增大数据存储量。
阻变材料层衬底阻态阻变存储器下电极电极数据存储量存储芯片多值存储上表面制备

[发明专利]以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法-CN201810290070.3有效
发明人：李明逵;徐文彬 -专利权人：集美大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备一层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，形成供离子注入的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行外部金属离子注入处理，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的导电丝，所述导电丝沿着阻变材料层的厚度方向延伸，连接阻变存储器的顶电极和底电极本发明提供了一种兼具较高开关阻值比和良好稳定性的阻变存储器制备方案，力求从工艺层面上改善阻变存储器的性能。
纳米遮蔽进行离子定位注入存储器制备方法

[发明专利]低温非易失性存储器-CN202010901106.4在审
发明人：郝镇齐;高滨;吴华强;唐建石;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温非易失性存储器，该存储器包括上电极、阻变层和下电极，其中，阻变层为双层结构，阻变层的上层为导电绝热材料，与上电极连接，阻变层的下层为阻变材料，与下电极连接，当进行写入SET和重置RESET时，外电场电流产生的焦耳热将阻变层中的局部温度升高，导电绝热材料将部分热量保存在阻变层内，使阻变层保持阻变特征。该存储器利用阻变效应，针对低温应用场景进行器件结构与材料性质上的优化，实现了低温下的非易失性存储。
低温非易失性存储器

[发明专利]阻变存储器及其制备方法-CN201510271468.9有效
发明人：杜刚;王超;李涛;曾中明;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器，包括依次叠层设置于衬底上的第一电极、阻变材料层、第二电极，还包括间隔形成于第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列。该阻变存储器通过在第一电极或/和第二电极与阻变材料层的界面处制备分布均匀且可控的导电凸起阵列，使电场集中在导电凸起阵列上，增加了在导电凸起阵列处形成导电通道的概率，从而提高了该阻变存储器工作的稳定性，提高了阻变存储器的均一性本发明还公开了上述阻变存储器的制备方法，包括：A、在衬底上制备第一电极、阻变材料层、第二电极的步骤；B、在第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处制备导电凸起阵列的步骤。
存储器及其制备方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN202110553812.9在审
发明人：李祎;黄晓弟;付瑶瑶;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种忆阻器及其制备方法，由上至下包括：上电极、第一空位浓度阻变层、第二空位浓度阻变层以及下电极；第一空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第二空位浓度阻变层的空位浓度为固定浓度值或者浓度从高至低梯度变化；第一空位浓度阻变层和第二空位浓度阻变层的阻变材料相同；第一空位浓度阻变层的固定浓度值或最低空位浓度值大于第二空位浓度阻变层的固定浓度值或最高空位浓度值。本发明通过梯度调制阻变材料，多层复合阻变材料由高空位浓度层到低空位浓度层，保证外部施加电场分布局域化。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种大容量多值阻变存储器-CN201110274869.1无效
发明人：黄如;杨庚雨;谭胜虎;唐昱;张丽杰;潘越;蔡一茂;黄英龙 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大容量多值阻变存储器，属于阻变存储器制备技术领域。该阻变存储器包括上电极和下电极，在上、下电极之间插入多个阻变材料层和缺陷层组合，其中，与上、下电极接触的是阻变材料层(例如Ta2O5，TiO2，HfO2等薄膜)，阻变材料层之间是缺陷层(例如Ti，Au，本发明可增加阻变存储器存储容量。
一种容量多值阻变存储器

[发明专利]阻变存储器件的制备方法及阻变存储器件-CN201810896709.2在审
发明人：郭万国;蒋秉轩;宋海洋;王宽冒;高晓丽;刘菲菲 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器件制备方法和阻变存储器件。包括在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；将所述阻变材料层进行退火处理。通过诸如磁控溅射技术等工艺沉积得到包含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层，能够很好地保持材料的化学计量比，通过退火处理改善了所形成的阻变材料层的缺陷状态，提高了阻变存储器件的转变一致性。此外，阻变存储器件具有存储窗口宽、数据保持时间长、耐久性高的优点。
存储器件制备方法

[发明专利]以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法-CN201810288366.1有效
发明人：徐文彬;李明逵 -专利权人：集美大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备单层或多层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行表面等离子定位处理及氧空位活化处理，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的导电丝，所述导电丝沿着阻变材料层的厚度方向延伸，连接阻变存储器的顶电极和底电极。
纳米遮蔽进行定位等离子处理存储器制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN201010193197.7无效
发明人：卢敬权 -专利权人：中山大学
申请日： 2010-06-01 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息技术存储领域。所述阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的阻变材料层，所述上电极和下电极为金属电极或金属化合物电极，所述阻变材料层由经过抛光处理的导电衬底及其上的TiO2薄膜组成，所述导电衬底为本发明阻变存储器具有较为稳定的具有实用价值的中间阻态，实现了多级存储，从而提高了阻变存储器的存储能力；并且本发明克服了现有阻变材料层阻变参数随机性大的问题，提高了阻变材料层的的阻变性能。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法-CN202110599219.8有效
发明人：王琦;鲜林燕;王正;贺德衍 -专利权人：兰州大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变层材料、有机忆阻器及其制备方法，涉及电子器件领域。该阻变层材料包括：聚乙烯亚胺和氮化硼量子点。该有机忆阻器，包括所述阻变层材料形成的阻变层。本发明提供的阻变层材料包括聚乙烯亚胺(PEI)和氮化硼量子点(BNQDs)，将掺杂氮化硼量子点形成的聚乙烯亚胺有机薄膜作为阻变层，形成的有机忆阻器在220℃下测试表现出良好的性能，且在室温下测量时可循环万次以上本发明提供的阻变层材料在将来的存储器件尤其是柔性存储器件上有非常好的应用价值，使得未来存储和未来计算在极端环境下也能正常工作。
一种阻变层材料有机忆阻器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器单元及其制造方法-CN201310487881.X有效
发明人：苗君;张容;姜勇;徐晓光;徐泽东 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器单元及其制造方法。所述阻变存储器单元包括：底电极；顶电极；以及位于底电极和顶电极之间的阻变材料叠层，其中所述阻变材料叠层包括由不同阻变材料组成、并且直接接触的至少两层。该阻变存储器单元可以用于高开关电阻比和高稳定性的非易失性存储器。
存储器单元及其制造方法

[发明专利]一种抗辐照柔性阻变单元器件及其制备方法和在柔性阻变存储器中的应用-CN201910603122.2有效
发明人：钟向丽;吴祎玮;宋宏甲;倪凯凯;王金斌;段伟杰;何家怡 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗辐照柔性阻变单元器件及其制备方法和在阻变存储器中的应用，属于存储器件领域。本发明提供的抗辐照柔性阻变单元器件的结构依次为柔性衬底层、铟氧化物层、阻变材料层和金属电极层；所述阻变材料层的材质为铝镁铟氧化物。本发明提供的抗辐照柔性阻变单元器件采用抗辐射性能强、延展性好的材料作为阻变存储器中的衬底或电极，通过控制阻变材料层中材料成分，设计出的阻变单元器件不但整体柔性可弯曲，更重要的是具有优异的抗辐射性能。实施例结果表明，本发明提供的抗辐照柔性阻变单元器件在辐照剂量为300krad(Si)的情况下，器件结构没有发生变化，且器件仍然具有较好的性能。
一种辐照柔性单元器件及其制备方法存储器中的应用

[发明专利]阻变存储器件及其制造方法-CN201810751145.3在审
发明人：李相宪 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器件及其制造方法。阻变存储器件包括：第一电极层和第二电极层，其被设置为彼此间隔开；以及阻变材料层，其设置在第一电极层与第二电极层之间并且包括无定形碳结构。阻变材料层包括附着在无定形碳结构上的杂质元素，并且杂质元素具有沿着阻变材料层的厚度方向的浓度梯度。
阻变存储器件阻变材料层第二电极第一电极无定形碳杂质元素浓度梯度附着制造

[发明专利]一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法-CN201110154094.4无效
发明人：林殷茵;田晓鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属半导体存储器技术领域，涉及一种相变阻变多层结构存储器及其制备方法。本存储器中，在上电极和下电极之间设相变材料和阻变材料存储介质层。所述存储介质层为阻变材料和相变材料双层叠层或相变材料、阻变材料、相变材料三层叠层结构。本发明的相变阻变多层结构存储器为一种工艺简便、成本低廉、可有效提高器件的均匀性和稳定性，及明显降低写操作电流的存储器，所述相变材料和阻变材料叠层结构与单层阻变材料相比，电场更容易集中在相变材料的多晶低阻区域，器件的稳定性和均匀性更好，可有效提高器件可靠性，同时由于采用多层结构，阻态也较单层结构高，降低功耗。
一种相变多层结构存储器及其制备方法

[发明专利]一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器-CN202110639876.0有效
发明人：李祎;何毓辉;付瑶瑶;黄晓弟;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种双极选通忆阻器的制备方法及双极选通忆阻器，包括：制备下电极；在下电极上沉积阻变材料层；在阻变材料层上沉积上电极：采用磁控溅射方式沉积上电极，通过控制溅射功率以控制上电极金属粒子具备合适的动能，并控制上电极和阻变材料层所处区域的真空度，以使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积上电极；或选用相比阻变材料层金属元素活性高的材料作为上电极的金属材料，使得在上电极沉积的过程中上电极与阻变材料层自发发生氧化还原反应，形成内建双极选通层，并继续在内建双极选通层上沉积出上电极。
一种双极选通忆阻器制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条