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[发明专利]一种避免误读的阻变存储器及制备方法-CN201710777096.6有效
发明人：闫小兵;张磊;王静娟;李小燕 -专利权人：河北大学
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免误读的阻变存储器，其结构从下到上依次包括衬底、在所底上形成的阻变介质层以及在阻变介质层上形成的Ag电极层；阻变介质层从下到上依次包括第一锆铪氧膜层、石墨烯氧化物量子点中间层以及第二锆铪氧膜层；还公开了该阻变存储器的制备方法。本发明制备了特定结构的阻变存储器，尤其是将石墨烯氧化物量子点中间层嵌入到阻变材料层的第一锆铪氧膜层和第二锆铪氧膜层之间，这可精确控制导电细丝的生长和破裂来提高器件的均一性，使得最终制备的阻变存储器具有更稳定的阻值变化
阻变存储器氧膜锆铪制备阻变介质层石墨烯氧化物均一性量子点中间层阻变材料层导电细丝阻值变化衬底功耗误读嵌入破裂生长应用制造

[发明专利]一种全无机量子点基阻变存储器及其制备方法-CN202011409082.7有效
发明人：周静;王志青;陈文;沈杰;赵利军;侯大军 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法，涉及半导体领域，包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层，使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下，存储窗口提高到107量级以上；器件在持续工作1.4×106s后阻变性能退化小于0.01％，并且在104次快速读取测试中显示出良好的耐久性。所述设计大大提升了量子点阻变存储器的阻变性能，加速了量子点基阻变存储器的商业化进程。
一种无机量子点基阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法-CN201410822915.0在审
发明人：赵鸿滨;屠海令 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制作方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al₂O_3-x阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。其制作方法包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)采用磁控溅射法在衬底上形成底电极；(3)采用磁控溅射法在底电极上沉积Al₂O_3-x阻变存储层；(4)采用磁控溅射法在Al₂O_3-x阻变存储层上形成顶电极。本发明采用磁控溅射法沉积底电极、顶电极以及阻变存储功能层材料，解决了现有阻变存储器制作成本高的问题，同时该阻变存储器的制作工艺简单，与传统的CMOS工艺兼容性好。
一种存储器及其制作方法

[发明专利]一种柔性Ag/MoS2-CN201910767980.0有效
发明人：坚佳莹;冯浩;董芃凡;常洪龙;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供了一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法，该存储器包括从下往上依次设置的基片、牺牲层、底电极、阻变层和顶电极；基片为玻璃片，牺牲层为可溶性淀粉，阻变层为水热法制备的MoS2纳米球，顶底电极分别为金属银和铜。本发明的制备方法通过在玻璃片与底电极之间旋涂一层可溶性淀粉薄膜，最后将淀粉薄膜在去离子水中溶解，使Ag/MoS2/Cu阻变存储器和玻璃片分离，可将器件转移到任意衬底上本发明所选用的牺牲层材料成本低、无毒性，转移过程简单，转移后的器件表现出了非易失性双极阻变存储特性，转移过程对器件的阻变特性没有影响，为MoS2在柔性新型二维材料阻变存储器的制备提供了可能性
一种柔性 ag mos base sub

[发明专利]一种提高阻变存储器稳定性的方法及其阻变存储器-CN201811280758.X在审
发明人：李颖弢;李晓燕 -专利权人：兰州大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用新型二维材料提高阻变存储器稳定性的实现方法，是将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间。本发明中将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间，石墨烯可视作氧势垒，在氧离子扩散过程中防止其进一步移入顶部金属电极，随着阻变循环的增加，因为没有电极氧化还原反应的影响，阻变存储层界面附近的氧化还原过程变得稳定，能够使得阻变存储器性能参数变得更加稳定。
阻变存储器石墨烯薄膜导电电极阻变存储阻挡层薄膜嵌入顶部金属电极氧化还原反应阻变存储层二维材料性能参数氧化还原石墨烯氧离子电极氧势移入扩散

[发明专利]一种双极阻变存储器件及其制备方法-CN201310148694.9无效
发明人：闫小兵;殷江;夏奕东;刘治国 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了双极阻变存储器及其制备方法，其双极阻变存储器包括有绝缘底衬、上、下电极膜，上、下电极膜之间设有阻变层材料，其特征在于上电极膜为铂、铜或金薄膜中的任意一种，下电极膜为氟掺杂氧化锡薄膜，阻变层材料为本发明所述的双极阻变存储器件具有体积小、结构简单、非挥发、可快速读写、工作电压低、低能耗、无运动部件、非破坏性读出等优点。
一种双极阻变存储器件及其制备方法

[发明专利]一种阻变存储器及制备方法-CN202110712659.X有效
发明人：韩素婷;杜春雨;周晔;屈之洋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种阻变存储器及制备方法，所述阻变存储器包括顶电极、底电极和设置在所述顶电极和所述底电极之间的阻变层，所述阻变层的材料为银咪唑配合物，所述银咪唑配合物的化学式为Agx阻变存储器的阻变层的材料，银离子的迁移范围限制在银咪唑配合物晶粒中，缩短了银离子迁移的距离，从而降低了因银离子迁移所消耗的能量，降低了阻变存储器操作电压和功耗。同时，银咪唑配合物晶粒限制银离子的迁移范围可以有效降低银离子迁移随机性，从而提升阻变存储器的均一性和稳定性。
一种存储器制备方法

[实用新型]一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器-CN202121000154.2有效
发明人：孙堂友;石卉;涂杰;刘云;李海鸥;傅涛;刘兴鹏;陈永和;肖功利;李琦;张法碧 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
一种基于过渡金属化合物堆垛式忆阻器

[发明专利]一种磁场探测方法及装置-CN202011123216.9有效
发明人：范林杰;毕津顺;习凯;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种磁场探测方法及装置，该装置包括：衬底；位于衬底上的多个探测单元；探测单元包括：相对设置的霍尔电极，位于相对设置的霍尔电极之间的阻变材料层和有源层，使得霍尔电极分别与阻变材料层和有源层均接触，有源层位于阻变材料层之上，该霍尔电极位于有源层的第一对边，嵌于有源层上的相对设置的两个欧姆电极，两个欧姆电极位于有源层的第二对边，进而能够对探测出的磁场信息进行存储记录，为磁场探测提供有效帮助。
一种磁场探测方法装置

[发明专利]一种FinFET器件的自加热测量结构及测量方法、电子装置-CN201510974176.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：所述方法包括：步骤S1：断开所述FinFET器件，以使所述栅极处于断路状态，测量所述热变阻层的电阻值R₀；步骤S2：打开所述FinFET器件，以使所述栅极处于导通状态，并测量所述热变阻层的电阻值R；步骤S3：根据所述热变阻层电阻的升高以及电阻温度系数α计算所述热变阻层升高后的温度。本发明在所述测量结构中通过在所述栅极之间设置虚拟栅极并且在所述栅极阵列的上方设置若干通过导热材料与所述虚拟栅极相连接若干行热变阻层，所述栅极散出的热量通过所述虚拟栅极传递至所述热变阻层上，所述热变阻层在温度变化后电阻也会发生变化，通过对热变阻层电阻的测量实现对所述FinFET器件中自加热的检测。
一种 finfet 器件加热测量结构测量方法电子装置

[发明专利]一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用-CN202111638833.7在审
发明人：陈子洋;秦琦;张缪城;陈星宇;韩翱泽;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电材料的忆阻器件及其制备方法和应用，通过布设底电极、阻变层、顶电极，并对其厚度、材质进行限定，能够提高阻变层及整个忆阻器件的导电性和稳定性。其中，所述阻变层为铁电材料，通过对该忆阻器件进行不同的限流测试，可得到不同阻态，使得忆阻器件阻态更稳定且可用于三值存储和三值逻辑计算。本发明提供的忆阻器件，基于忆阻器内部导通的不可预测性，该忆阻器件的导通电压较为分散，表现出良好的随机性，且导通时阻值急剧减少，便于检测，可用于发生随机数，能够应用于构造随机数发生器，其应用前景广阔。
一种基于材料器件及其制备方法应用

[发明专利]阻变器件及其制作方法、显示基板的制作方法、显示装置-CN201710434611.0有效
发明人：邢伟强;邓金阳;赵德友;毛振华;李默;陈勋;李松 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变器件及其制作方法、显示基板的制作方法、显示装置，属于电子制造领域。所述阻变器件的制作方法包括：形成第一电极层；在所述第一电极层上形成表面相互接触的碳单质层和过渡金属氧化物层；对所述表面相互接触的碳单质层和过渡金属氧化物层进行退火，以使碳单质层至少部分地通过与所述过渡金属氧化物层之间发生的氧化还原反应以气体的形式挥发，并使所述过渡金属氧化物层由其内部产生的氧空位而向阻变材料转变；形成第二电极层。本发明能够解决阻变器件的阻变特性在制作工艺中难以调整的问题，实现高品质而低成本的阻变器件的制作工艺。
器件及其制作方法显示显示装置

[发明专利]忆阻器及其制备方法-CN202010679453.7有效
发明人：何南;堵大伟;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，所述阻变层包括介质层和旋涂在介质层上方的量子点材料膜，所述量子点材料膜由AgInZnS材料制备而成，所述介质层的底部与所述底电极的顶部接触，所述量子点材料膜的底部与所述介质层的顶部相接触、所述量子点材料膜的顶部与所述顶电极的底部相接触相较于现有技术，本发明引入量子点材料制备形成的忆阻器，具有稳定性好、均一性高和功耗低等优点，更好地满足了类脑系统对忆阻器的性能要求；同时本发明的制备方法简便高效，且材料成本低。
忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种具有阻变性质的金属氮化物及其应用-CN201010175147.6无效
发明人：吴晓京;卢茜;张昕;朱玮;周永宁 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体涉及一种具有阻变性质的金属氮化物材料及其应用。本发明所述的金属氮化物为MxN，M为Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Si、Ga、In、Sc或Y，或者上述金属材料中任意两种或两种以上元素的合金，0.2≤x≤4，可以通过多种常规薄膜制备方法制备该材料能够作为中间阻变层应用于RRAM元器件中。所述RRAM元器件由下电极层、在下电极上的阻变金属氮化物层以及在阻变层上的上电极层构成。这种三明治结构与传统集成电路工艺高度兼容。本发明为阻变材料的选择提出了一个新的方向，有利于RRAM存储器向低成本、高性能方向发展。
一种具有性质金属氮化物及其应用

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202111582275.7在审
发明人：邱泰玮;康赐俊;张雅君;刘宇 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在半导体衬底上沉积第一介质层材料，对所述第一介质层材料进行刻蚀，使得第一介质层中形成与所述半导体衬底中每个通孔对应的沟槽；所述通孔由金属材料填充；在所述沟槽中沉积底电极材料，对所述底电极材料进行刻蚀，形成覆盖在所述沟槽底部的底电极；沉积阻变层材料，形成覆盖在所述底电极上表面和所述沟槽侧壁的阻变层；在所述阻变层的凹槽中沉积顶电极材料，以使所述顶电极材料填满所述凹槽，形成位于所述凹槽中
一种半导体器件及其制造方法

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