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[发明专利]具有温度稳定性的铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法-CN202310695999.5在审
发明人：沈波;徐礼辉;林锦锋;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有温度稳定性的铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法，该织构压电陶瓷化学通式为(1‑x)(K0.56Na0.44)NbO3‑0.03Bi0.5Na0.5ZrO3‑x(Bi0.5K0.5)HfO3+4wt.％NaNbO3，0.01≤x≤0.04；该方法包括固相合成法、两步熔盐法结合分离法、模板晶粒生长法、流延工艺、热压工艺、排胶工艺、两步法烧结工艺、烧银工艺和极化工艺。与现有技术相比，本发明通过固相合成法、模板晶粒生长法结合流延工艺、两步法烧结工艺，可以获得同时具备高居里温度以及高压电性能的无铅织构压电陶瓷，并且压电系数在宽温度范围内变化率小，具有优异温度稳定性。
具有温度稳定性铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种具备高压电能量收集性能的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法-CN202310628239.2在审
发明人： 翟继卫;林锦锋;李艳霞;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备高压电能量收集性能的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法，所述无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷的化学通式为97wt.％(K0.505Na0.5(0.99‑x％)Ca0.01Bi0.5·x％)(Nb0.965(0.99‑x％)Sb0.035(0.99‑x％)Zr0.01Hf0.98·x％Ti0.02·x％)+3wt.％NaNbO3，其中0≤x≤7。与现有技术相比，本发明通过结合组分设计、传统的织构化流延工艺以及两步烧结法所制得的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷具有超高的压电系数以及优异的机电耦合系数，从而可以产生高的能量收集性能，这对于安全、长寿命和环保能源供应材料的开发具有重大意义。
一种具备高压电能量收集性能无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高储能特性的钛酸铋钠-锆钛酸钡电介质薄膜及其制备方法与应用-CN202210503618.4有效
发明人： 翟继卫;钱进;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能特性的钛酸铋钠‑锆钛酸钡电介质薄膜及其制备方法与应用，该电介质薄膜的化学组成为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBa(Zr0.2Ti0.8)O3，其中x＝0.3‑0.9；其制备方法为化学溶液法，首先按照化学计量比配置前驱体溶液，将溶液滴至Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片上进行旋涂后，在快速退火炉中进行高温退火结晶，重复上述旋涂‑退火工艺，直至膜厚达到300‑400nm，并在薄膜上使用溅射工艺制备金属顶电极，制得薄膜电容器。与现有技术相比，本发明通过溶液法实现了钛酸铋钠‑锆钛酸钡电介质薄膜的制备，制备的薄膜电容器具有优异的储能性能，其储能密度为82J/cm‑3，储能效率为81％，同时具有优异的温度稳定性、抗疲劳特性。
一种高储能特性钛酸铋钠钛酸钡电介质薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种可低温共烧的高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202110788455.4有效
发明人：沈波;葛广龙;杨静;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁电陶瓷材料的低温烧结方法，其目的在于通过降低烧结温度优化反铁电材料的储能性能。该反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb0.98‑1.5xSr0.02Bix)(Zr0.6Sn0.4)O3，本发明用部分Bi3+替代基体中A位的Pb2+，该体系烧结温度低至1125±25℃，制备的瓷体成瓷性较好，通过小离子半径的Bi3+替代Pb2+，提高了反铁电的稳定性。本发明所制备的介质材料具有储能密度高(10±1J/cm3)、储能效率较高(＞85％)、烧结温度低(降低了～150℃)等优点，对于开发高储能密度、可低温烧制的脉冲功率电容器具有非常重要的意义。
一种低温高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202310468918.8在审
发明人： 翟继卫;陈楚凯;葛广龙;杨静 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，反铁电陶瓷材料的化学通式为(Pb1‑xSrx)(Yb0.47Fe0.03Nb0.5)O3，其中0≤x≤0.12。与现有技术相比，本发明同时采用A、B位共掺的组分设计以及工艺优化，能够制得室温下具有优异储能密度(13.39J/cm3)和高储能效率(76.17％)的铌镱酸铅基反铁电陶瓷，同时，该陶瓷在150℃下仍然可以保持超高储能密度(9.52J/cm3)和极好的储能效率(86.39％)。对进一步开发高储能性能的新型反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值。
一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钨酸铋-钒酸铋复合催化剂及其制备方法与应用-CN202310285482.9在审
发明人： 翟继卫;刘劲周 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨酸铋‑钒酸铋复合催化剂及其制备方法与应用，催化剂是由单层片状的钨酸铋和纳米量子钒酸铋通过水热法合成，结合了压电材料和光催化剂的优点，具有成本低、易制备，结构独特，比表面积大，暴露更多边缘活性位点，载流子运输距离短等优势。制备的单层片状结构的Bi2WO6表面由于Br‑的存在使其带负电荷，增加了催化剂对正电荷染料RhB的吸附，进而对其有更好的降解性。将催化剂分散在乙醇‑水溶液或罗丹明B溶液中，在模拟太阳光和超声振动条件下可高效催化合成H2O2或降解罗丹明B。与现有技术相比，该催化剂合成程序简单，有利于规模化制备；材料成本低且绿色环保，有效拓展工业量产H2O2的合成工艺路线和低成本净化罗丹明B污染废水。
一种钨酸铋钒酸铋复合催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种有效降低反铁电陶瓷材料烧结温度的制备方法-CN202111340472.8有效
发明人： 翟继卫;杨静;葛广龙;陈楚凯 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效降低反铁电陶瓷材料烧结温度的制备方法，通过加入烧结助剂在降低反铁电陶瓷的烧结温度的同时显著优化其储能性能。该烧结助剂为CuO，反铁电陶瓷基体材料为(Pb0.95Ca0.02Bi0.02)(Zr0.75Sn0.25)O3。本发明通过加入微量金属氧化物CuO结合传统的固相烧结法，借助液相烧结过程在低温下改善陶瓷材料的致密性，细化晶粒尺寸使得击穿场强提升，仅在1000℃的烧结温度下就得到同时具有储能密度高达10.2J/cm3及储能效率高达85.5％的反铁电陶瓷。与现有技术相比，显著降低陶瓷基料的烧结温度并提高了储能密度、储能效率，具有极高的实用性、经济性以及普适性。
一种有效降低反铁电陶瓷材料烧结温度制备方法

[发明专利]一种铌酸钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN202310236575.2在审
发明人：沈波;曹英博;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法，该无铅压电织构陶瓷的化学通式为(90‑x)NaNbO3‑10Ba(Ti0.7Sn0.3)O3‑xNaSbO3+2‑6wt.％NaNbO3，0≤x≤2.0。与现有技术相比，本发明通过传统的固相合成法结合模板晶粒生长法，可以得到同时具备高压电性能(400pC/N)以及温度稳定性好的转导系数(室温至60℃，转导系数10000×10‑15m2/N，变化率25％)的铌酸钠基无铅压电织构陶瓷，对于开发环境友好型的无铅压电材料具有非常重要的意义，在低、中温换能器和驱动器等领域具有较高的实用价值。
一种铌酸钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法-CN202211726940.X在审
发明人：沈波;朱坤;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜，化学通式为：0.9212(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.0588BaTiO3‑0.02La0.7Sr0.3MnO3。本发明还提供了一种高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取硝酸铋、乙酸钠、乙酸钡、乙酸镧、乙酸锶溶于乙酸，制得第一溶液；步骤S2，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取乙酰丙酮、钛酸四丁酯、四水合乙酸锰溶于乙二醇甲醚，制得第二溶液；步骤S3，将第一溶液和第二溶液混合得到混合溶液，调整混合溶液的浓度和酸碱度，制得前驱体溶液；步骤S4，清洗基片，并将基片吹干；步骤S5，将前驱体溶液涂覆在基片上，制备得到高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜。
高电致应变钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202310048455.X在审
发明人： 翟继卫;陈楚凯;葛广龙;杨静 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/497 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，该反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb1‑xBaxYb0.5Nb0.5O3，其中0.01≤x≤0.04。与现有技术相比，本发明在组分设计上，A位掺入Ba2+降低铌镱酸铅基反铁电陶瓷的相变电场，在制备工艺上，采用热压烧结改善陶瓷材料的显微结构以提升击穿场强，解决了铌镱酸铅反铁电陶瓷相变电场与击穿电场不匹配的难题，最终制得了优异储能密度(10.1J/cm3)和高储能效率(70.09％)的铌镱酸铅基反铁电陶瓷，对进一步开发高储能性能的新型反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值。
一种铌镱酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种窄带隙硫化铋纳米铁电半导体及其制备和应用-CN202211603709.1在审
发明人： 翟继卫;周小风;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种窄带隙硫化铋纳米铁电半导体及其制备和应用，所述的硫化铋纳米铁电半导体采用低温水热反应合成，其中，包括两种形貌结构，分别为无规则的纳米颗粒聚集体和纳米棒集合体。本发明制备的窄带隙硫化铋纳米铁电半导体在超声作用下对废水中的有机染料降解效率高。与现有技术相比，本发明通过温和廉价的方法制备合成了富含硫缺陷的硫化铋纳米铁电半导体，该半导体在超声作用下表现出了较高的降解废水中有机染料的催化活性，在材料层面丰富了纳米铁电研究内容，在技术层面拓展了水处理技术途径，并且该降解废水中有机染料的净水工艺易于大规模推广应用。
一种窄带硫化纳米半导体及其制备应用

[发明专利]具有宽温区高压电性能的铌酸钾钠基透明陶瓷材料及其制备方法-CN202111009907.0有效
发明人： 翟继卫;林锦锋 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有宽温区高压电性能的铌酸钾钠基透明陶瓷材料及其制备方法，所述无铅压电透明陶瓷的化学通式为0.99K0.5Na0.5Nb1‑xTax‑0.01Bi(Ni2/3Nb1/3)O3，0.02≤x≤0.09。本发明通过传统的电子陶瓷制备工艺并结合两步烧结法，可以得到具有高居里温度(～347℃)、高压电性能(～185pC/N)以及透光性好(～58％)的铌酸钠基透明陶瓷，对于开发高居里温度无铅压电透明材料具有非常重要的意义。
具有宽温区高压电性能铌酸钾钠基透明陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种In-Se纳米相变薄膜及其制备方法和应用-CN202211261894.0在审
发明人： 翟继卫;许哲昊;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种In‑Se纳米相变薄膜及其制备方法和应用，该In‑Se纳米相变薄膜的化学通式为In2Se3，厚度为40‑200nm。该相变薄膜通过单靶位磁控溅射方法制备，可应用于相变存储器。与现有技术相比，本发明具有更高的结晶温度和结晶激活能，更大的晶态电阻，可在更长的时间尺度保持数据状态，且作为单层薄膜在升温过程中发生多次结晶过程，可形成多个电阻态，有利于实现高稳定性多级相变存储用的相变存储器，提高单元存储容量。
一种 in se 纳米相变薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法与应用-CN202211261934.1在审
发明人： 翟继卫;袁宇康;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法和应用，该纳米复合堆叠相变薄膜由Ta5Sb95薄膜和GeSb6Te薄膜交替排列成堆叠薄膜单元，堆叠薄膜单元为一层，其结构符合下列通式：[Ta5Sb95(a)/GeSb6Te(b)]1，其中10≤a≤20nm，20≤b≤40nm。与现有技术相比，本发明采用室温磁控溅射的方法制备的纳米堆叠薄膜，结构相较于目前纳米复合多层薄膜更加简单，有利于简化薄膜制备工艺，且具有两次稳定的相变过程，能够实现多级存储从而提高存储密度，还综合了Ta5Sb95和GeSb6Te的优势，可以通过控制结构参数对相变性能进行调控，在相变存储器应用方面具有充足的潜力。
一种纳米复合堆叠相变薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用-CN202211065993.1在审
发明人： 翟继卫;杨静;葛广龙;陈楚凯 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C04B35/486 文献下载
摘要：本发明涉及一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法与应用，该反铁电陶瓷材料的化学通式为Pb0.98‑1.5xNdxBa0.02Zr0.75Sn0.25O3，其中0.01≤x≤0.04。与现有技术相比，本发明首次提出了通过A位掺入Nd3+调控反铁电陶瓷材料的相变特征，即相变类型由反铁电‑铁电相变逐渐转变为反铁电‑铁电I‑铁电II相变，显著地提升了陶瓷的击穿场强，制备出同时具有优异储能密度(11.4J/cm3)和高储能效率(84.1％)的反铁电陶瓷材料，对进一步开发高储能性能的反铁电陶瓷电容器具有重要的极高的借鉴意义和实用价值。
一种锆锡酸铅基反铁电陶瓷材料及其制备方法应用

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