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[发明专利]空气间隙形成工艺-CN201980012762.4在审
发明人：阿希什·派欧;高拉夫·塔雷贾;林圣奎;王安川;徐清梅;妮琴·英吉;阿杰·巴哈特纳瓜 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：可以执行处理方法，以在半导体基板上形成空气间隙间隔件。所述方法可以包括以下步骤：形成间隔件结构，间隔件结构包括第一材料和与第一材料不同的第二材料。所述方法可以包括以下步骤：形成源/漏结构。所述方法还可以包括以下步骤：从间隔件结构蚀刻第二材料，以形成空气间隙。在蚀刻期间，源/漏结构可以是未暴露于蚀刻剂材料的。
空气间隙形成工艺

[发明专利]形成空气间隙的方法-CN201910399070.1在审
发明人：何炳奎;曹秀亮;邹永金;吴继科 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种形成空气间隙的方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底中形成有栅极结构、功能层及第一插塞；在所述功能层上形成一互连线；接着形成一掩膜层；刻蚀所述掩膜层及部分厚度的所述功能层以形成沟槽；执行灰化工艺；沉积介电层，其中，在所述沟槽内的介电层中形成空气间隙。对所述沟槽及所述互连线表面执行灰化工艺，可以有效去除刻蚀所述掩膜层及所述功能层时残留的高聚物杂质，避免了高聚物杂质对后续在所述沟槽中沉积介电层时形成的空气间隙的形貌产生影响，平衡了所述介电层与所述互连线间的压力
空气间隙功能层互连线掩膜层沉积介电层高聚物杂质介电层衬底灰化刻蚀形貌栅极结构插塞去除残留平衡

[发明专利]间隙的形成方法-CN201911213044.1有效
发明人：郑孟晟;洪海涵 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种间隙的形成方法，包括：步骤1，提供基底，所述基底上具有若干凸起的导电结构，相邻导电结构之间具有沟槽；步骤2，形成覆盖所述导电结构并填充所述沟槽的填充层；步骤3，刻蚀所述填充层，在所述沟槽中的填充层中形成开口；步骤4，在所述填充层上形成封闭所述开口的封闭层，在所述沟槽中的填充层中形成间隙。通过前述步骤的结合，在沟槽中的填充层中形成间隙时，能够较精确的控制形成的间隙位置和尺寸，从而能准确的减小特定位置的寄生电容，提高DRAM器件的性能。
间隙形成方法

[发明专利]间隙控制物形成用油墨-CN200480019078.2无效
发明人：寺西茂和;土井道雄;酒井豊 -专利权人：奈得可股份有限公司
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： C09D11/02 文献下载
摘要：本发明用于提高通过印刷方式形成间隙控制物的方法中的间隙控制物粒子和粘合剂树脂的粘合性。提供了被用于印刷法的间隙控制物形成用油墨，该油墨包含A：间隙控制物粒子及C：含有分散间隙控制物粒子的热固性或活性能量线固化性树脂的树脂组合物。
间隙控制形成油墨

[发明专利]通过SIP形成氧化钛间隙-CN201210125196.8在审
发明人：樊小武;石金贞;唐明仁;李东根;P·B·麦瑟史密斯 -专利权人：贝洱工艺公司;西北大学
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C09D7/12 文献下载
摘要：一种制造含氧化钛的涂层组合物的方法，其包括使引发剂附着到预处理氧化钛，从而形成引发剂/预处理氧化钛复合体。所述预处理氧化钛包括多个预处理氧化钛颗粒，所述预处理氧化钛颗粒是使用至少一种金属氧化物预处理的氧化钛颗粒所述引发剂/预处理氧化钛复合体与可聚合的不饱和单体接触这样便在引发剂/预处理氧化钛颗粒上形成聚合包覆物，从而形成聚合物包覆的氧化钛颗粒。将所述聚合物包覆的氧化钛颗粒与液体组合物结合，以形成所述涂层组合物。
通过 sip 形成氧化间隙

[发明专利]刻蚀牺牲层形成间隙的方法-CN200710125261.6有效
发明人：易里成荣;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀牺牲层形成间隙的方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底上沉积一第一材料层，在第一材料层上沉积一牺牲层；在牺牲层上形成图形化的第二材料层；干法刻蚀部分牺牲层；湿法刻蚀部分剩余牺牲层，在第一材料层和第二材料层之间形成间隙，使牺牲层在第二材料层上靠近第一材料层的一侧形成凸点。
刻蚀牺牲形成间隙方法

[发明专利]间隙调节装置及图像形成装置-CN200810109604.4有效
发明人：冈泽善行;竹下三四郎 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： B41J25/308 文献下载
摘要：本发明提供一种能够利用记录部的驱动力来调节记录部和目标体的间隙的间隙调节装置及图像形成装置。间隙调节装置具备：将支撑向记录纸张(P)喷射墨液的记录头(23)的滑架(19)在左右方向上引导的同时进行支撑的导向轴(14)；基于通过伴随滑架(19)的移动，使滑动接触部(31)和臂卡合而传递的动力转动的转动部件还有，利用凸轮(17)的转动，变更导向轴(14)的高度，由此调节支撑于滑架(19)的记录头(23)和记录纸张(P)的间隙(间隔)。
间隙调节装置图像形成

[发明专利]形成多种宽度间隙壁的方法-CN200310101949.2有效
发明人：雷明达;林义雄;刘埃森;林正忠;彭宝庆;林佳惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成多种宽度或形状的间隙壁的方法包括下列步骤。首先，提供一个基材，其上具有多个分布不同区域的结构，且这些结构需要在侧面形成间隙壁。然后，在此基材上形成多层具有不同蚀刻比的介电层。接着，依据间隙壁的规格需求，进行至少一次的微影蚀刻作业。此微影蚀刻作业包括形成图案化光阻以曝露一部分区域，对此曝露区域进行选择性蚀刻，以及在蚀刻后移除光阻。藉由不同区域的介电层受到不同的选择性蚀刻，以在不同区域产生形状或层数不同的介电层物质，而利用这些介电层物质便可组成不同宽度的间隙壁。
形成多种宽度间隙方法

[发明专利]图像形成装置以及间隙调整方法-CN201110085194.6无效
发明人：田中教雄 -专利权人：株式会社东芝;东芝泰格有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：一种图像形成装置以及间隙调整方法。该图像形成装置包括定影部件、剥离部件、驱动机构以及驱动机构控制部。定影部件旋转同时与薄片压力接触，从而加热薄片。剥离部件将薄片从所述定影部件剥离。驱动机构使所述剥离部件动作，以改变所述剥离部件的前端部与所述定影部件之间的间隙大小。驱动机构控制部控制所述驱动机构，以设定所述间隙的大小。
图像形成装置以及间隙调整方法

[发明专利]形成不同栅极间隙壁宽度的方法-CN03105172.3有效
发明人：彭宝庆;林义雄;雷明达;刘埃森;林佳惠;林正忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种形成不同栅极间隙壁宽度的方法，首先，提供一基底，其上具有第一、第二、及第三栅极，在第一、第二、及第三栅极的侧壁各依序形成第一及第二间隙壁，其中第二间隙壁底部覆盖部分的第一间隙壁；接着，在第一栅极上方形成第一遮蔽层并等向性蚀刻未被遮蔽的第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第一深度；去除第一遮蔽层后，在第一及第二栅极上方形成第二遮蔽层并等向性蚀刻未被遮蔽的第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第二深度；最后，依序去除第二遮蔽层及第二间隙壁，以分别在这些栅极的侧壁形成不同宽度的间隙壁；本发明仅需在栅极表面形成两绝缘层，就可形成不同宽度的栅极间隙壁，因此非常适用于嵌入式内存、混合信号电路甚至是系统芯片(SOC)；另，本发明以等向性蚀刻配合局部蚀刻的方式形成不同宽度的间隙壁，可有效简化制程及降低制造成本
形成不同栅极间隙宽度方法

[发明专利]在导线间形成空气间隙的方法-CN201410503278.0有效
发明人：陈品杉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种在导线间形成空气间隙的方法，包括在基板上的导线结构表面形成氮化硅衬层，再形成覆盖所述氮化硅衬层的多晶硅超薄衬层，然后在导线结构之间的沟道内形成顶面低于导线结构的顶面的光刻胶。接着，共形地形成覆盖光刻胶与多晶硅超薄衬层的表面的氧化层，并非等向性蚀刻所述氧化层，以于光刻胶上方的导线结构侧壁形成氧化物间隙壁。之后，移除所述光刻胶，以露出沟道内的多晶硅超薄衬层，并以所述氧化物间隙壁为罩幕，去除暴露出的多晶硅超薄衬层。然后，移除氧化物间隙壁，再氧化剩余多晶硅超薄衬层，使其转变为氧化硅层并封闭所述沟道的上部。
衬层导线结构多晶硅光刻胶氧化物间隙壁沟道氮化硅衬层空气间隙氧化层移除等向性蚀刻剩余多晶硅表面形成氧化硅层再氧化侧壁顶面覆盖共形基板去除封闭暴露

[发明专利]采用微结构间隙控制技术形成的结构及其形成方法-CN03152281.5无效
发明人：黄荣山;陈央嶙 -专利权人：华新丽华股份有限公司
申请日： 2003-07-28 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明为一种采用微结构间隙控制技术形成的结构及其形成方法，是利用硅的非等向性湿蚀刻方式，将一硅芯片蚀刻为上下结构两部分且分开微加工，再利用阳极接合的技术，将上下结构两部分与一玻璃基材接合，即可制作出一可精确控制上下结构高度的微结构
采用微结构间隙控制技术形成结构及其方法

[发明专利]感光树脂组合物及其形成的间隙物-CN201410512779.5在审
发明人：陈宇仲;郑楹霓;邱启峰 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明感光树脂组合物经照光固化后，可形成近似柱状的间隙物，能在应用于液晶显示器时维持良好的出光效益。
感光树脂组合及其形成间隙

[发明专利]用于形成金属间隙填充物的方法-CN202080027926.3在审
发明人：岑羲;马飞越;吴凯;雷雨;大东和也;徐翼;维卡什·班西埃;张镁;任河;雷蒙德·霍曼·洪;姚雅宽;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;戴维·T·奥;周静;蹇国强;林志周;赖一鸣;叶佳;王振宇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
用于形成金属间隙填充物方法

[发明专利]一种空气间隙的形成方法-CN202111436024.8在审
发明人：刘涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明提供了一种空气间隙的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有所述字线结构，字线结构的侧面和顶部依次形成有氧化层和冗余氮化硅层；去除所述字线结构顶部的的氧化层和冗余氮化硅层，且保留字线结构侧壁的氧化层和冗余氮化硅层；去除部分冗余氮化硅层；去除剩余的冗余氮化硅层，以在相邻的字线结构之间形成空气间隙；以及，在所述字线结构上形成自对准金属硅化物。自对准金属硅化物的高度比传统工艺中的自对准金属硅化物的高度高很多，因此，减小了自对准金属硅化物的电阻，相应的，所述字线结构之间的空气空隙的高度也比传统工艺中的空气间隙高很多，因此，减小了所述字线结构之间的电容，极大提高整个空气间隙的性能。
一种空气间隙形成方法

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