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- [发明专利]小型风力发电装置的叶片螺距控制装置-CN201410034805.8在审
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李钟来
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GU株式会社
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2014-01-24
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2015-04-15
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F03D7/04
- 本发明涉及小型风力发电装置的叶片螺距控制装置,更详细地涉及一种通过利用螺距调整片和螺距调整汽缸,而叶片螺距被自动控制,持续维持所需叶片旋转力,使进行持续的发电的小型风力发电装置的叶片螺距控制装置。由此,本发明的特征在于,由以下部分构成:多个移动装置,一体形成于前后移动部的外周面,中间具有移动槽,与前后移动部一起进行前后移动;螺距调整片,分别插入于所述移动槽的调整销形成于一侧末端,中间形成有供插入固定叶片轴的键槽,并且,在前后移动部进行前进或后退时,变换角度以使转化叶片的螺距角;螺距调整汽缸,通过铰链结合于在螺距调整片末端侧面形成的固定片上,以使位于所述调整销附近,并且,前后移动部后退时被压缩,被压缩之后,将螺距调整片恢复原状。
- 小型风力发电装置叶片螺距控制
- [发明专利]一种浮标筒式海浪发电机-CN201310467739.9在审
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王涛;王天泽;赵东哲;南璐;张浩源;高超
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无锡津天阳激光电子有限公司
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2013-09-30
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2015-04-15
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F03B13/16
- 一种浮标筒式海浪发电机,主要包括浮标筒,永磁发电机,整流器与逆变器等;浮筒体上部分依次设置:整流器、蓄电瓶与交流逆变器,两个永磁电机的轴通过连杆连接,形成发电单元,临近两个发电单元的永磁电机周外壳贴紧刚性连接,设置4对发电单元的轴线空间角度互为45度,相邻发电单元的连杆中间分别设置弹簧连接,从而形成摆动折叠弹簧结构,发电单元的末端设置球形平衡锤,它的周围匀布置3个拉簧,形成整体弹性平衡结构;海浪摇动起伏浮标筒体,破坏了整体弹性结构的力平衡,球形平衡锤依靠惯性带动发电单元连杆摆动,驱动永磁电机的轴转动发电,经整流器变直流电,通过蓄电瓶存储,再通过交流逆变器变成交流电,给浮标灯供电。
- 一种浮标海浪发电机
- [发明专利]半导体元件-CN201410515202.X在审
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高原良雄;三浦猛
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三菱电机株式会社
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2014-09-29
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2015-04-15
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H01L29/737
- 本发明提供一种半导体元件,其能够减小接合电容并且使半导体层的侧面稳定化。半导体元件(10)具有由高浓度N型半导体层形成的集电极接触层(16)。在集电极接触层(16)上层叠有N型的集电极层(15)、层叠在集电极层(15)上并具有上表面(14a)的高浓度P型半导体层即基极层(14)、层叠在上表面(14a)的一部分上的N型的发射极层(11)。在基极层(14)与集电极层(15)的接合面形成有基极集电极层接合部(18)。惰性部(19)在俯视观察时设置在上表面(14a)上的与基极电极(13)的外侧端部相比的外侧。惰性部(19)通过从由氦以及氩构成的群中选择出的1种元素对第1、2半导体层进行离子注入而形成。惰性部(19)从上表面(14a)延伸至与基极集电极层接合部(18)相比的下方。
- 半导体元件
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410386288.0在审
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渡边裕彦;斋藤俊介;小野真裕;渡边孝志;佐野真二;大西一永
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富士电机株式会社
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2014-08-07
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2015-04-15
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H01L21/60
- 提供半导体装置的制造方法,能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下,还原被接合构件及焊接材料,得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括:将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序;在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序;在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛,并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序;在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛,并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序;以及在加热工序之后保持于接合温度,并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]PMOS器件及其制作方法-CN201310464318.0在审
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林爱梅;吕瑞霖
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2013-09-30
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2015-04-15
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H01L21/336
- 一种PMOS器件的制作方法,包括提供衬底;在衬底中形成隔离结构、在衬底上方形成栅极和侧墙,并在所述衬底中形成源区以及漏区;在所述源区、漏区以及所述侧墙的表面形成硅层;使所述硅层转化为硅化物接触层;在所述硅化物接触层上形成导电插塞。本发明还提供一种PMOS器件,包括衬底;形成于所述衬底中的隔离结构、源区以及漏区;位于源区以及漏区之间衬底上的栅极以及侧墙;形成于所述源区、漏区和侧墙表面的硅化物接触层;形成于所述硅化物接触层上的导电插塞。本发明的有益效果在于,即使导电插塞位置偏离,也不会发生所述导电插塞与所述源区或者漏区断开的情况,源区、漏区的尺寸能够做得比较小,使得PMOS器件的性能得到提升。
- pmos器件及其制作方法
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