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- [发明专利]封装方法-CN201810883152.9有效
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石虎;刘孟彬
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中芯集成电路（宁波）有限公司
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2018-08-06
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2021-10-19
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H01L21/56
- 一种封装方法，包括：提供基板，基板的待键合面为第一待键合面；提供若干个芯片，芯片的待键合面为第二待键合面；提供薄膜型封装材料；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层；在第一待键合面和第二待键合面中的至少一个面上形成键合层后，使第一待键合面和第二待键合面相对设置并将芯片置于基板上；将芯片置于基板上后，采用热压合工艺，使基板和若干个芯片通过所述键合层实现键合，并使封装材料填充于芯片和基板之间且覆盖芯片，热压合工艺后的封装材料作为封装层通过薄膜型封装材料，降低热压合工艺过程中芯片发生漂移的概率，提高了封装结构的良率和可靠性；而且热压合工艺同步实现了基板和芯片的键合，提高了封装效率。
- 封装方法
- [实用新型]一种保护型细线键合劈刀-CN202020458751.9有效
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张旭;刘星宇;谭和平
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成都冶恒电子有限公司
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2020-04-01
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2020-11-06
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H01L21/67
- 本实用新型公开了一种保护型细线键合劈刀，涉及半导体封装技术领域，包括刀柄和刀头，刀柄和刀头一体化成型，经整体加工而成；所述刀头侧面加工有入线孔槽，刀头前端内部倾斜加工有引线通孔；刀头前端端面由键合面和非键合面构成，非键合面高于键合面0.02‑0.10mm，非键合面呈外凸圆弧状，键合面与引线通孔的夹角为20度至75度，所述出线孔槽在非键合面内横向加工而成，出线孔槽紧邻引线通孔并与引线通孔连通。本实用新型出线孔槽加工在非键合面内，细线经入线孔槽引入劈刀，再经引线通孔、出线孔槽进入键合区域，避免了细线在键合过程中晃动的问题以及细线表面被划伤或划断的情形；非键合面加工为弧面，可避免在键合过程中损伤芯片表面钝化层或保护层
- 一种保护细线劈刀
- [发明专利]芯片键合装置及键合方法-CN202310561804.8在审
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王中琪;叶国梁;宋胜金
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武汉新芯集成电路制造有限公司
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2023-05-16
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2023-08-01
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H01L21/683
- 本发明涉及一种芯片键合装置及键合方法。所述芯片键合装置中，键合头的下表面采用柔性材料形成，并且在键合头内设置有用于控制所述柔性材料变形的驱动结构，利用所述驱动结构，键合头的下表面在平面状态下与芯片键合，并在与芯片键合之后键合头的下表面转变为弧面，在使芯片与键合对象表面键合时，芯片在下表面为弧面状态下与键合对象表面接触，便于使得芯片的下表面与键合对象通过点接触和键合波扩散的方式完成键合，可降低键合面形成封闭气泡以及错位的风险，提高键合质量。所述驱动结构可根据芯片的具体厚度使键合头形成相应的变形量，所述芯片键合装置对要键合的芯片的厚度要求较低，可用于键合不同厚度的芯片。
- 芯片装置方法
- [发明专利]一种片上单晶材料的制备方法-CN201911278691.0在审
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殷华湘;林翔;罗彦娜;刘占峰
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中国科学院微电子研究所
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2019-12-13
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2020-05-12
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H01L21/762
- 本发明公开了一种片上单晶材料的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，其具有第一键合互连面；于第一键合互连面，对半导体衬底进行热氧化处理，在半导体衬底上形成热氧化层；提供芯片；其中，芯片具有第二键合互连面；对半导体衬底的热氧化层与芯片的第二键合互连面进行低温键合处理；对半导体衬底的另一面进行减薄处理，以在芯片上保留预设厚度的半导体衬底。本发明提供的片上单晶材料的制备方法，在进行键合互连前，于第一键合互连面，对后续与芯片进行键合的半导体衬底进行热氧化处理，在半导体衬底的上表面形成热氧化层，这样在后续进行热氧化层与芯片的第二键合互连面进行低温键合处理时，可以大幅度的提升氢键成键比例、提升键合强度。
- 一种片上单晶材料制备方法
- [发明专利]硅与硅真空键合装置及键合方法-CN03104016.0无效
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冯勇建;吴青海
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厦门大学
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2003-02-11
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2004-08-18
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H01L21/02
- 涉及一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置及键合方法。设有上盖、底座和密封圈，密封圈设于上盖与底座之间，在上盖和底座中设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。键合方法为在键合装置的密封真空键合腔体中灌入氧气或氮气，在腔体内形成正压，将硅片清洗，甩干后放入键合装置的上盖的下方和底座的上方，打开阀门，抽真空。可实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合。预键合强度极强，广泛应用在SOI硅片的生产，微机电器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。制作成本低，键合成功率高，容易成批量生产。
- 真空装置方法
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