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[发明专利]可固化的有机基聚硅氧烷组合物-CN200680021517.2有效
发明人：潮嘉人;三谷修 -专利权人：陶氏康宁东丽株式会社
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：可固化的有机基聚硅氧烷组合物，包括：(A)一个分子中含有至少一个与硅键合的含烷氧基甲硅烷基的基团和平均至少0.5个链烯基的有机基聚硅氧烷(a1)；或者所述有机基聚硅氧烷(a1)与一个分子中含有至少两个链烯基且不具有含烷氧基甲硅烷基的基团的有机基聚硅氧烷(a2)的混合物；(B)一个分子中含有至少两个与硅键合的氢原子的有机基聚硅氧烷；(C)一个分子中含有至少一个与硅键合的烷氧基且不具有含烷氧基甲硅烷基的基团的有机基硅化合物；和(D)氢化硅烷化反应催化剂。
固化有机基聚硅氧烷组合

[发明专利]异构单芯片单向注入锁定半导体激光器及其制备方法-CN202210141450.7在审
发明人：冯琛;周帅;廖苗苗;彭芳草;张靖;段利华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及异构单芯片单向注入锁定半导体激光器及其制备方法，包括：在硅晶圆上制备硅直波导和微环，形成硅基微环芯片；并在硅基微环芯片与光放大芯片键合的部位制备锁模结构；反向生长光放大芯片的外延结构并同硅基微环芯片键合；对光放大芯片进行减薄；制作光放大芯片的宽脊波导；制备绝热耦合器；制作共面电极；在硅基微环芯片的微环上方集成磁光晶体并制作磁光芯片电极。本发明中，将磷化铟基、硅基以及钇铁石榴石三种材料通过晶圆键合方式得到异构单芯片单向注入锁定半导体激光器，单芯片实现光、电隔离的同时，实现高效率光耦合；为单向注入锁定激光器平面集成化制造提供了一种可行的制备方法
异构单芯片单向注入锁定半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种金刚石基GaN‑HEMTs制备方法-CN201711076958.9在审
发明人：戴家赟;吴立枢;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基GaN‑HEMTs制备方法，其步骤为清洗GaN圆片和临时载片表面；制备键合中间层；在临时载片表面注入氢离子；将GaN圆片和临时载片表面进行活化；将GaN圆片和临时载片进行键合；将GaNGaN外延层背面并清洗；在GaN外延层背面生长一层介质层及金刚石衬底；将GaN外延层和金刚石在高温下退火，使得临时载片在注入损伤处发生剥离；去除剩余的临时载片衬底；去除GaN外延层表面的介质层，得到金刚石基GaN外延层圆片；在金刚石基GaN外延层圆片上制备GaN‑HEMTs。本发明通过氧化物直接键合技术，实现耐高温的临时键合，满足高质量金刚石外延生长工艺高温要求。
一种金刚石 gan hemts 制备方法

[发明专利]离子交换填料的表面修饰方法-CN202211046467.0在审
发明人：陈德君;管晨曦;徐新东;孙鹏 -专利权人：赛分科技扬州有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B01J20/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子交换填料的表面修饰方法，其特征在于，包括如下步骤：基球修饰：在修饰釜中加入纯化水以及氢氧化钠固体，搅拌均匀；向修饰釜内加入聚丙烯酸酯基球，搅拌均匀；向修饰釜内滴加入丙三醇缩水甘油醚，进行搅拌反应至少3小时；反应结束，将物料转移入离心机，甩滤；键合反应：在键合釜中加入纯化水以及硝酸，搅拌均匀；向键合釜内加入基球修饰后的得到的修饰物料、甲基丙烯酸缩水甘油酯以及1,4‑二氧六环，进行第一次搅拌反应；反应结束后，向键合釜内加入三甲胺水溶液，进行第二次搅拌反应；反应结束后，将物料转移入离心机，甩滤。
离子交换填料表面修饰方法

[发明专利]基于三阳离子液体的液相色谱固定相及其制备方法和应用-CN201510066780.4有效
发明人：许国旺;乔利珍;石先哲 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明涉及三阳离子液体键合硅胶液相色谱固定相。本发明还提供了上述液相色谱固定相的制备方法，首先制备了端烯基的三阳离子液体以及在硅球表面接枝了3‑巯基丙基基团，然后利用“巯基‑烯基”点击化学反应将端烯基的三阳离子液体键合至3‑巯基丙基修饰的硅球表面。该三阳离子液体键合硅胶液相色谱固定相具有反相疏水保留机理，对典型疏水物质苯系物、稠环类物质均显示一定的保留和选择性，且柱效理想，最高可达80,000/m。另外，该三阳离子液体键合硅胶液相色谱固定相还显示典型的亲水保留模式，对亲水化合物如核苷、核酸碱基和黄酮类物质均显示很好的保留和分离选择性，作为亲水作用色谱固定相显示良好的应用前景。
基于阳离子液体色谱固定及其制备方法应用

[发明专利]扇出型模块负压封装工艺、结构以及设备-CN201910576050.7有效
发明人：杨冠南;徐广东;崔成强 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了扇出型模块负压封装工艺、设备以及结构，其中扇出型模块负压封装工艺包括如下步骤：沿封装体堆叠方向，在基台的顶面平铺有临时键合层，在所述临时键合层顶面间隙放置多个模块，从所述模块顶部注塑以形成包围所述模块的注塑层，且使所述注塑层的底面与所述临时键合层相粘结；在所述注塑层固化前，对设置在所述基台上且连通至所述临时键合层底面的开孔抽吸成负压，其中多个开孔呈阵列分布在所述基台上表面。
扇出型模块封装工艺结构以及设备

[发明专利]一种基于可逆键合材料的蛋白质N-端富集方法-CN201410748966.3在审
发明人：张丽华;陈玲凡;单亦初;杨开广;张玉奎 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C07K1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于可逆键合材料的蛋白质N-端富集方法，包括：蛋白质胍基化标记，蛋白质固载，N端肽段的还原释放。首先将蛋白侧链氨基进行选择性的胍基化标记封闭侧链氨基，然后通过剩余的末端氨基将蛋白固载于固体材料上，酶解蛋白以游离中间肽段保留N端肽段于固体材料上，最后对键合链进行断裂从而得到蛋白N端的释放。本发明的优点是可逆键合材料与氨基的化学键合活性高，富集效率高，且可避免非特异性吸附，使得蛋白N端的富集具有优异的富集效率与选择性。可用于复杂生物样品中蛋白质组N端肽段的富集和鉴定。
一种基于可逆材料蛋白质富集方法

[发明专利]半导体结构键合的方法、键合设备、存储器、存储系统-CN202211447354.1在审
发明人：陈国良;刘孟勇;刘洋;何俊青 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构键合的方法、键合设备、存储器、存储系统。半导体结构包括第一半导体结构和第二半导体结构。半导体结构键合的方法包括：基于第一气体和第二气体，对所述第一半导体结构的第一表面和所述第二半导体结构的第二表面进行表面处理，其中，所述第一气体激发所述第一表面和/或所述第二表面生成游离基；以及所述第二气体被激发生成等离子体气体，所述等离子体气体中的游离负离子与所述游离基结合；以及对所述第一表面和所述第二表面进行面对面键合。
半导体结构方法设备存储器存储系统

[发明专利]氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法-CN201410105481.2有效
发明人：李磊;王怀义 -专利权人：李磊;王怀义
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明属于覆铜板制造技术领域，具体涉及一种氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法。无氧紫铜箔前处理后，再放入熔融的硝酸钠中进行中温化学氧化处理；氮化铝基板前处理后，再经过高温氧化处理；对高温氧化后的氮化铝基板磁控溅射处理，通过将处理后的无氧紫铜箔预压成圆弧形，与氮化铝基板叠装在一起放置在链式键合炉内进行高温动态连续键合，键合后采用循序温差交替降温法处理，即得。本发明生产效率高、质量稳定、成本低，制备的氮化铝基陶瓷覆铜板具有空洞率低、热膨胀系数低、应力低、热导率高、剥离强度高、键合面积大的特点。
氮化陶瓷铜板制备方法

[发明专利]一种具有防氧化功能的铜基键合丝-CN201110317109.4无效
发明人：赵碎孟;周钢;薛子夜 -专利权人：广东佳博电子科技有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种具有防氧化功能的铜基键合丝，该键合丝以铜作为基础材料，添加微量金属元素构成母合金材料，制备成微细金属丝，并于铜丝表面包裹的金层组成，键合丝各成分重量组分为：Cu为88-97％，微量金属元素该铜基键合丝具有良好抗氧化性、导电性以及低弧度特点，改善了单一铜材的硬度，价格低等优点，铜丝采用普通包装，在常温下可以长期保存，能够适应电子封装低成本、高性能、多功能等发展的需求。
一种具有氧化功能铜基键合丝

[发明专利]印刷电路板用树脂组合物、预浸料、覆金属箔层叠板、树脂复合片、和印刷电路板-CN201580007108.6有效
发明人：有井健治;小林宇志;十龟政伸;马渕義則;平松宗大郎 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C08G59/40 文献下载
摘要：(式中，Ar1表示芳基，Ar2分别独立地表示选自由亚苯基、亚萘基和亚联苯基组成的组中的二价取代基，Ar3分别独立地表示选自由p+1价的苯基、p+1价的萘基和p+1价的联苯基组成的组中的p+1价取代基，R1分别独立地表示选自由氢原子、烷基和芳基组成的组中的一价取代基，R2分别独立地表示选自由氢原子、烷基、芳基和氰氧基组成的组中的一价取代基，n表示与Ar1键合的氰氧基的数量且为1～3的整数，m表示与Ar1键合的R1的数量，n+m+2为Ar1能够键合的数量以下，p表示与Ar3键合的R2的数量且为1～9的整数。
印刷电路板树脂组合预浸料金属层叠复合

[发明专利]基于QoS工艺的加速度计芯片及加工工艺和加速度计-CN201811626393.1有效
发明人：李村;韩超;赵玉龙;李波;张全伟;白冰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本发明提供基于QoS工艺的加速度计芯片及加工工艺和加速度计，芯片包括键合在硅基结构两侧的第一、第二石英结构，石英结构包括石英框架、双端固定石英音叉、石英支撑梁和石英质量块，硅基结构包括硅基框架和硅质量块；在石英框架和硅基框架处，以及石英质量块和硅质量块处完全键合，形成第一石英结构、硅基结构、第二石英结构的三明治形式；加工工艺是先进行硅基初加工，再进行硅基和两个石英片双面键合，两个石英片减薄和抛光，然后进行石英振梁电极及石英结构的制作，最后进行硅基结构的释放。
基于 qos 工艺加速度计芯片加工

[实用新型]控制模具开合模顺序的扣基机构-CN201520331406.8有效
发明人：何勇江;廖高仕;林富聪 -专利权人：深圳新旋塑胶五金制品有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B29C33/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种控制模具开合模顺序的扣基机构，该机构包括面板、A板、B板、前模拉杆和后模拉杆；面板与前模拉杆固定连接，且后模拉杆的底端与B板固定连接，且A板与B板之间连接有控制A板和B板开合模的标准件扣基；后模拉杆的上端内设有挡块，且该A板的上端内设有扣键，挡块与扣键相适配扣合时，A板与B板之间合模；挡块与扣键分开时，A板与B板之间开模；A板的中部安设有弹块，且该弹块弹出前抵持在A板与后模拉杆之间。本实用新型模具通过挡块与扣键的分开与否、弹块的弹性作用及标准件扣基来对面板、A板与B板之间进行开合模动作，使得开合模动作准确快速，且过程安全操作便捷，以确保了模具的安全可靠及生产的稳定性。
控制模具开合模顺序机构

[发明专利]一种高性能金基银钯合金键合材料-CN201911286701.5在审
发明人：田鹏 -专利权人：深圳晶辉应用材料有限公司
申请日： 2019-12-14 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C22C5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能金基银钯合金键合材料，属于合金材料技术领域，包括如下按重量份组成的原料：金70‑90份、银60‑80份、钯10‑20份、铜3‑8份、锌1‑2份、铬0.3‑1.6份和钌0.5‑1.4本发明金银占金基银钯合金键合材料的比例比较大，从而占据价值优势，在这个比例的金银的基础上添加其他成分，使得合金的力学性能得到明显性地提高，且不影响金基银钯合金键合材料的成色，经等离子清洗机清洗之后在银合金材料表面形成一层保护膜
一种性能金基银钯合金材料

[发明专利]键合贴片机-CN202210707181.6在审
发明人：陈兴 -专利权人：深圳市鸿芯微组科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合贴片机，包括加工基台以及拾取机构，加工基台包括底座以及浮动平台，浮动平台具有用于放置待结合件的放置工位，浮动平台能够相对底座在水平方向移动；拾取机构包括吸嘴、用于安装吸嘴的基座以及用于转动基座的转动组件，吸嘴用于吸取待与结合件键合的加工件，转动组件可驱动基座环绕第一轴线转动并至少能够转动至对位状态和键合状态；在对位状态时，第一轴线位于吸嘴吸附加工件的平面内，移动浮动平台能够使放置工位与吸嘴吸附加工件的平面位置对应以完成对位；完成对位后转动基座至键合状态，此时，吸嘴吸附加工件的平面与放置工位所在的平面重合，且吸嘴抵接在放置工位上。该键合贴片机的制造成本更低，生产效率更高。
键合贴片机