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[发明专利]晶圆键合方法及其键合装置-CN201610908069.3有效
发明人：三重野文健 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法及其键合装置，所述键合方法包括：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火；所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。
晶圆键合方法及其装置

[发明专利]一种GaN基复合衬底的制备方法-CN201611184509.1有效
发明人：汪青;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种GaN基复合衬底的制备方法，该GaN基复合衬底由下往上依次包括导热导电转移衬底、键合介质层及GaN基外延薄膜，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延薄膜得到蓝宝石GaN基复合衬底；然后在GaN基外延薄膜表面和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，接着将GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合在一起；再去除蓝宝石衬底后得到GaN基复合衬底，在GaN基外延薄膜转移前、转移过程中和转移后选择性进行表面处理
一种 gan 复合衬底制备方法

[发明专利]一种铜面键合溶液-CN202110045852.2在审
发明人：朱欢欢 -专利权人：苏州创嘉力电子科技有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜面键合溶液，该铜面键合溶液包括以下各组分，且各组分重量百分含量为：无机酸12‑18％、疏烃基硅氧烷10‑20％、酰亚胺15‑25％、络合剂3‑6％、有机溶剂10‑20％、表面活性剂3‑本发明中，疏烃基硅氧烷中含有有机疏烃基和Si‑O‑Si键，Si‑0‑Si键的空间位阻效应强烈影响并弱化缔合羟基峰的振动，巯烃基硅烷在铜表面可能以化学吸附方式强烈吸附到铜表面，同时在表面自我交联形成了线性低聚物
一种铜面键合溶液

[发明专利]作为PPAR受体配体的二芳基酸衍生物-CN200710112173.2无效
发明人： Z·加约西;G·M·麦克吉汉;M·F·凯利;R·F·拉巴迪尼尔;L·张;R·D·格罗恩伯格;D·G·麦克加利;T·J·考菲尔德;A·明尼克;M·鲍勃科 -专利权人：萨诺费－阿文蒂斯德国有限公司
申请日： 2000-04-28 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明的PPAR配体受体结合剂用作PPAR受体的激动剂或拮抗剂，其中：(a)和(b)独立地为芳基，稠合芳基环烯基，稠合芳基环烷基，稠合芳基杂环烯基，稠合芳基杂环基，杂芳基，稠合杂芳基环烯基，稠合杂芳基环烷基，稠合杂芳基杂环烯基，或稠合杂芳基杂环基；A为－O－，－S－，－SO－，－SO₂－，－NR₁₃－，－C(O)－，－N(R₁₄)C(O)－C(O)N(R₁₅)－，－N(R₁₄)C(O)N(R₁₅)－，－C(R₁₄)＝N－，(c)，(d)，(e)，化学键，(f)或(g)，B为－O－，－S－，－NR₁₉－，化学键，－C(O)－，－N(R₂₀)C(O)－，或－C(O)N(R₂₀)－；Z为R基。
作为 ppar 受体二芳基酸衍生物

[发明专利]电子照相感光构件的制造方法-CN201510437851.7有效
发明人：村上健;杉山和道;川口大辅;田中大介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G03G5/05 文献下载
摘要：提供一种包括底涂层的电子照相感光构件的制造方法，所述方法包括制备包含以下的底涂层用涂布液：氧化钛颗粒；多元醇树脂；其中由式(1)或式(2)表示的结构键合至异氰酸酯基的封端异氰酸酯化合物；和由式(3)表示的一元醇portrait" inline="no" />其中R11和R12各自独立地表示具有1‑4个碳原子的烷基，和*表示能够键合至异氰酸酯基的键合位点portrait" inline="no" />其中R21和R22各自独立地表示具有1‑4个碳原子的烷基，和*表示能够键合至异氰酸酯基的键合位点
电子照相感光构件制造方法

[发明专利]蒽衍生物和使用该蒽衍生物的有机电致发光元件-CN201480043140.5有效
发明人：河村昌宏;水木由美子;伊藤裕胜;羽山友治;羽毛田匡 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C07C13/66 文献下载
摘要：式(1)中，R₁₁～R₂₀中的任一者用于与L₁的键合，不用于与L₁键合者各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、取代或未取代的碳数L₁为单键、取代或未取代的成环碳数6～50的二价芳香族烃基等。Z为下述式(2)所示的结构。式(2)中，R₁、R₃及R₄中的任一者用于与L₁的键合，不用于与L₁键合者、R₂、以及R₅～R₁₀各自独立地为氢原子、卤原子、氰基、取代或未取代的碳数1～20的烷基等。其中，R₅～R₈中相邻的2个基团组成的组中至少1组相互键合而形成饱和或不饱和的烃环。
衍生物使用有机电致发光元件

[发明专利]酞菁作为液体标记物的用途-CN200580003046.8无效
发明人： S·艾伯特;T·格斯讷;R·森斯;C·瓦姆瓦卡瑞斯 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 2005-01-14 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明涉及在酞菁骨架结构上带有经由亚甲基键合的取代基的特殊酞菁作为液体，尤其是矿物油的标记物的用途，涉及包含至少一种该类酞菁作为标记物的液体，尤其是矿物油。本发明还涉及在酞菁骨架结构上带有经由亚甲基键合的取代基的新型特殊酞菁。
作为液体标记用途

[发明专利]可满足大规模集成电路高精密度蚀刻封装方法-CN202210480996.5有效
发明人：周建军;陈高利;许兴波 -专利权人：盐城芯丰微电子有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体蚀刻封装技术领域，具体提供了一种可满足大规模集成电路高精密度蚀刻封装方法，包括：制作带散热片式基岛的引线框架；采用贴片胶将以高精密度蚀刻制作的含有大规模集成电路的芯片贴装于引线框架中的基岛上；在设定温度下采用金钯合金丝进行键合；采用封装材料进行封装处理。本发明采用带散热片式基岛的引线框架对含有大规模集成电路的芯片进行封装，提高芯片使用时的散热效果，可以有效保障芯片的工作温度在适宜范围内；采用金钯合金丝进行键合，在金丝适宜高精密度的线径情况下，可以保障金丝的强度；键合在限定的设定温度，可以在适宜高精密度的线径情况下，降低键合不良或者发生断裂的几率，提高键合质量、合格率和寿命。
满足大规模集成电路精密度蚀刻封装方法

[发明专利]一种半导体芯片贴片装置-CN201711419623.2有效
发明人：叶乐志;水立鹤;王军帅;刘子阳;周启舟 -专利权人：北京中电科电子装备有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片贴片装置，包括：基料相机反射镜设在键合运动机构上，基料相机反射镜相对于水平方向朝向基料载台倾斜延伸以获取并反射基料的画面；基料相机设在基料载台上方且与键合运动机构间隔开，基料相机与基料相机反射镜配合以通过基料相机反射镜反射的画面获取基料所在位置根据本发明实施例的半导体芯片贴片装置，通过将基料相机设在基料载台上方且与键合运动机构间隔开来，基料相机反射镜固定在键合运动机构上且与基料相机相对应，键合运动机构下方对应地设置第一芯片相机反射镜、第二芯片相机反射镜、第三芯片相机反射镜和芯片相机，不仅可以减轻键合运动机构的承重，而且可以降低键合高度，提高装片精度和效率。
一种半导体芯片装置

[发明专利]干燥剂、密封结构体及有机EL元件-CN202110318532.X在审
发明人：白神崇生;小川一道;真野亚香音 -专利权人：双叶电子工业株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B01J20/04 文献下载
摘要：改性氟树脂具有包含氟化烃基的含氟链、与含氟链键合的硅氧烷基、及具有选自由乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及环氧基组成的组中的至少一种官能基且与硅氧烷基键合的有机基团。
干燥剂密封结构有机 el 元件

[发明专利]感光性树脂组合物及使用该组合物的图案形成方法-CN200480026212.1有效
发明人：前田浩辉;高桥亨;胜又直也 -专利权人：东京応化工业株式会社
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G03F7/029 文献下载
摘要：(式中，X₁和X₂表示氢原子、卤素原子、可以含有氧原子或卤素原子的烃基、或者是可以与取代基键合的烷氧基，它们之间可以相同或不同；Y表示氢原子、卤素原子、可以含有氧原子或卤素原子的烃基、或者是可以与取代基键合的烷氧基)。
感光性树脂组合使用图案形成方法

[发明专利]利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法-CN201310651999.1有效
发明人：杨少延;张恒;魏鸿源;焦春美;赵桂娟;汪连山;刘祥林;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化发光二极管方法

[发明专利]以乙烯基吡咯烷酮－二乙烯基苯为涂层的固相萃取搅拌棒的制备方法-CN200810071400.6无效
发明人：黄晓佳;邱宁宁;袁东星 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-07-12 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： B01J20/30 文献下载
摘要：以乙烯基吡咯烷酮－二乙烯基苯为涂层的固相萃取搅拌棒的制备方法，涉及一种搅拌棒。提供一种以乙烯基吡咯烷酮－二乙烯基苯为涂层的固相萃取搅拌棒的制备方法。将铁条清洗干燥，放入玻璃管内，密封得搅拌磁子；配制γ－甲基丙烯酸氧丙基三甲氧基硅烷与甲醇的混合溶液，加入有机碱得预键合溶液，将搅拌磁子浸入预键合溶液，在搅拌磁子的玻璃管外壁键合一层带烯基的硅烷化物质；将反应单体混合剂和致孔剂混合溶液混匀后倒入容器中，将预键合后的搅拌磁子放入容器，密封后置于水浴中，反应后除去容器，取出涂有聚合物的搅拌磁子，置于提取器中，以溶剂提取，或将搅拌棒置于溶剂中浸泡至溶剂中无杂质检出，得产物。
乙烯基吡咯烷酮涂层萃取搅拌制备方法

[发明专利]镀金银铕合金键合丝及其制造方法-CN201410235082.8在审
发明人：徐云管;李湘平;彭庶瑶;梁建华;涂海情 -专利权人：江西蓝微电子科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀金银铕合金键合丝及其制造方法，该键合丝是以高纯银为主体材料，包括金和铕金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：银含量为：95%-96.5%、金含量为1.5%-2%、铕含量为2%-3%；其制造方法包括：提取纯度大于99.9999%的高纯银，制备成银合金铸锭，再制成铸态银铕合金母线，将母线拉制成1mm左右的银铕合金键合丝，经热处理后在其表面电镀纯金保护层，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的镀金银铕合金键合丝。本发明的技术效果是以高纯银为主体材料的镀金银铕合金键合丝既有银基类键合丝的优点又兼顾黄金类键合丝的优点，是一种价格相对低廉且性能又稳定可靠的一种新型键合丝。
镀金合金键合丝及其制造方法

[发明专利]光致变色的茚并稠合的萘并吡喃-CN200680048424.9有效
发明人： A·卓普拉 -专利权人：光学转变公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C07D311/92 文献下载
摘要：公开了包含茚并稠合的萘并吡喃的光致变色材料，其中茚并稠合的萘并吡喃具有取代基，该取代基包括与茚并稠合的萘并吡喃的3－位键合的4－氟苯基和4－氨基苯基。同不含与茚并稠合的萘并吡喃的3－位键合的4－氟苯基和4－氨基苯基取代基的类似茚并稠合萘并吡喃相比较，该光致变色材料可以显示出更快的褪色速度。本文披露了用于合成本文公开的茚并稠合的萘并吡喃的取代的2－丙炔－1－醇。本文也披露了引入了本文公开的光致变色材料的光致变色组合物和制品，例如光学元件。
变色