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- [实用新型]一种场功放封装电路-CN201520860127.0有效
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袁宏承;吴铭
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无锡市宏湖微电子有限公司
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2015-10-30
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2016-02-24
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H01L23/495
- 本实用新型公开了一种场功放封装电路，包括引线框架和塑封体，引线框架包括散热片，散热片上开设有固定孔，塑封体套设在载片区上，载片区一端与散热片连接，载片区另一端与中间管脚连接，中间管脚上设有中筋键合部。散热片与载片区连接处的两侧设有缺口，载片区上套设有塑封体。中间管脚上设有中筋键合部，中筋键合部的表面为平面，中间管脚与侧边管脚的端部设有管脚切筋截断区。中筋键合部的表面为平面设置可以加大键合区域，可键合更多数量的铜丝，同时降低了铜丝在后续的塑封过程中出现断丝的风险，从而延长产品的使用寿命。
- 一种功放封装电路
- [发明专利]基板键合系统和方法-CN202110888271.5在审
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王斌;萧俊龙;汪楷伦;蔡明达;詹蕊绮
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重庆康佳光电技术研究院有限公司
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2021-08-03
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2023-02-17
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H01L21/67
- 本发明涉及一种基板键合系统和方法，基板键合系统包括工作平台、喷涂工位、加热工位、粘接工位和压合工位；工作平台包括一支撑件和与支撑件转动连接的转台，喷涂工位、加热工位、粘接工位和压合工位沿转台的周向依序布置；其中，转台用以放置待键合基板，待键合基板包括相对设置的键合面和基底面，基底面与转台接触；喷涂工位被配置为在键合面上喷涂一胶层；加热工位被配置为对胶层进行加热；粘接工位被配置为将一转接基板的待键合面与胶层进行粘接；压合工位被配置为从背离待键合面的一侧施加压力以使转接基板和待键合基板压合。实现自动化操作，能够连续作业，提高制造工作效率，能提高制程的精度和键合质量，能提高发光芯片的良率。
- 基板键合系统方法
- [发明专利]金属键合硅基激光器的制备方法-CN200810226036.6无效
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秦国刚;洪涛;陈挺;冉广照;陈娓兮
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北京大学
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2008-11-04
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2010-06-16
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H01S5/00
- 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。
- 金属键合硅基激光器制备方法
- [发明专利]一种单芯片和晶圆的键合设备及键合方法-CN201110220990.6有效
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陈涛;陈立国;孙立宁;潘明强;刘曰涛;刘吉柱;高健
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苏州大学
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2011-08-03
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2011-12-14
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B81C3/00
- 一种单芯片和晶圆的键合设备及键合方法，该键合设备包括晶圆台、存储组件、操作手、显微系统以及控制系统，所述晶圆台具有X-Y向和旋转三个自由度，所述操作手具有X-Y-Z向三个自由度，所述显微系统包括第一显微系统和第二显微系统，所述第一显微系统很第二显微系统分别检测单芯片和晶圆的位姿后，向所述控制系统传输图形信号，所述控制区根据该单芯片位姿图形信号和晶圆键合区位姿图形信号，控制操作手或者晶圆台调节单芯片或者晶圆键合区的位姿。此种结构的键合设备具有操作简单、器件适应性强，键合精度高、运动及功能灵活，可有效保护晶圆区可动结构的特点，所以此种结构的键合设备的应用会越来越广泛。
- 一种芯片设备方法
- [发明专利]按键结构及键盘-CN201410016358.3有效
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陈飞雅
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苏州达方电子有限公司;达方电子股份有限公司
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2014-01-14
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2014-04-23
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H01H13/705
- 本发明关于一种按键结构及键盘，该按键结构包含支撑板、键帽、框架及一对第二磁性区。支撑板具有沿Z轴方向延伸的第一套合部。键帽具有沿Z轴方向延伸并可移动地套接第一套合部的第二套合部。施加按压力于键帽时，键帽朝支撑板移动，第一套合部与第二套合部沿Z轴方向相对移动。框架具有空间以及一对第一磁性区位于空间的相对侧，键帽在空间中进行上下运动。该对第二磁性区设置于键帽的相对侧并分别对应该对第一磁性区，按压力释放时，键帽藉由该对第二磁性区与该对第一磁性区相互作用提供的磁力沿Z轴方向朝远离支撑板移动。本发明藉由磁化程序形成具有第一磁性区的框架，有效减少第二磁性区的数目，简化组装复杂度以增加组装效率。
- 按键结构键盘
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