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[实用新型]一种笔记本电脑键帽组装用的新型自动压合装置-CN202122100121.1有效
发明人：唐俊 -专利权人：苏州市盛博亿特机电设备有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B29C65/56 文献下载
摘要：一种笔记本电脑键帽组装用的新型自动压合装置，工作台上设有移载模组，移载模组上设有并排的键盘面板治具和键帽中转治具；工作台的上方设有升降模组，升降模组上设有键帽压合治具；工作台的一侧设有与机械手相连的键帽取料治具，移载模组位于机械手行程范围的下方；键帽取料治具与键帽中转治具对应设置，键帽中转治具与键帽压合治具对应设置，键帽压合治具与键盘面板治具对应设置。本实用新型设计的自动压合机，能够全自动一体化压合笔记本键盘的整盘键帽，避免了采用人工压合键帽表面造成压伤及错料混料，解决了键帽压合受力均匀及错料混料压合技术难题；而且键帽的安装和承接可同步进行，大大提高了生产效率
一种笔记本电脑组装新型自动装置

[发明专利]一种晶圆键合方法及装置-CN202010956291.7在审
发明人：张凇铭;刘效岩 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆键合方法及装置。该方法通过先将第一晶圆与第三晶圆键合、第二晶圆与第四晶圆键合，使得第一晶圆和第二晶圆的翘曲度降低；再进行第一晶圆和第二晶圆的键合，使得两者的键合均一性大幅度提高。在第一晶圆与第三晶圆键合、第二晶圆与第四晶圆键合后，对第一晶圆和第二晶圆进行化学抛光，得到键合区，使得该键合区不受破坏，从而保证了第一晶圆和第二晶圆的键合。该装置能够通过实施上述晶圆键合方法，将第一晶圆和第二晶圆进行键合。
一种晶圆键合方法装置

[发明专利]片材键合对位系统-CN202110888264.5在审
发明人：王斌;萧俊龙;汪楷伦;蔡明达;詹蕊绮 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及一种片材键合对位系统，包括对位机构，对位机构包括支撑平台及至少一压合头；所述支撑平台包括支撑端面及旋转马达，所述支撑端面上设有若干第一真空吸附孔，所述旋转马达用于驱动所述支撑端面相对于所述压合头转动；所述压合头设有压合面，所述压合面面对所述支撑端面，所述压合面与所述支撑端面之间的距离可调；所述第一真空吸附孔用于预吸附需键合片材，所述旋转马达驱动所述支撑端面转动，所述压合头用于分别对若干第一真空吸附孔吸附的需键合片材进行压合第一真空吸附孔增加键合对位精度。压合头和支撑端面自动移动，提升了键合效率。
片材键合对位系统

[实用新型]一种LED芯片组合-CN201320185415.1有效
发明人：王友君 -专利权人：鹤山丽得电子实业有限公司
申请日： 2013-04-13 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种LED芯片组合，包括一个封装架以及至少两个的LED芯片；所述封装架包括阴极极耳、阳极极耳、金属散热基板以及绝缘结构，所述金属散热基板用于安装LED芯片的一侧设置有阴极键合区以及阳极键合区，所述阴极键合区和阴极极耳之间电连接，所述阳极键合区和阳极极耳之间电连接；所述阴极极耳、阳极极耳和金属散热基板镶嵌在绝缘结构内部，其中：金属散热基板用于安装LED芯片的一侧以及其对应的另一侧分别留置有用于安装LED芯片以及用于散热的绝缘材料未覆盖区；所述至少两个的LED芯片安装在所述金属散热基板上，LED芯片的阳极和阴极分别电连接到所述阳极键合区以及阴极键合区。
一种 led 芯片组合

[实用新型]中间引脚的引线框架结构-CN201120002305.8无效
发明人：蔡新福;田茂康 -专利权人：无锡市玉祁红光电子有限公司
申请日： 2011-01-06 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：中间引脚的引线框架结构，在中间引脚上部增加键合区域结构，将键合在框架底板上的内引线键合在中间引脚上，用管脚键合区替代了框架底板键合区。本实用新型的有益效果是，1.增加中间管脚键合区域结构可以提升产品质量和可靠性；2.增加中间管脚键合区域结构可以增强塑封体与框架的结合力；3.增加中间管脚键合区域结构可以提升该框架封装大芯片IC的能力从而达到降低成本提升效益的目的
中间引脚引线框架结构

[发明专利]一种反极性LED芯片及其制作方法-CN202110295582.0在审
发明人：王克来;徐培强;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种反极性LED芯片，自下而上依次是P面电极、硅衬底、键合层、P‑高反射膜层、P‑GaP层、P‑AlInP层、MQW有源层、N‑AlInP层、N‑AlGaInP层、N‑GaAs层和N面电极，反极性LED芯片具有第一键合区和第二键合区，通过双键合区共键合技术实现衬底转移，不需要在SiO2介质膜上制作精度要求如此之高的孔洞，极大的简化了制作流程，降低了制作难度，保证了产品的稳定性。双键合区共键合技术在进行衬底转移时不需要用到贵金属‑金，降低了LED芯片的制作成本。
一种极性 led 芯片及其制作方法

[实用新型]一种反极性LED芯片-CN202120571149.0有效
发明人：王克来;徐培强;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种反极性LED芯片，自下而上依次是P面电极、硅衬底、键合层、P‑高反射膜层、P‑GaP层、P‑AlInP层、MQW有源层、N‑AlInP层、N‑AlGaInP层、N‑GaAs层和N面电极，反极性LED芯片具有第一键合区和第二键合区，通过双键合区共键合技术实现衬底转移，不需要在SiO2介质膜上制作精度要求如此之高的孔洞，极大的简化了制作流程，降低了制作难度，保证了产品的稳定性。双键合区共键合技术在进行衬底转移时不需要用到贵金属‑金，降低了LED芯片的制作成本。
一种极性 led 芯片

[发明专利]芯片堆叠结构及其形成方法、芯片封装结构、电子设备-CN202310459144.2在审
发明人：赵柯臣;魏潇赟;邓抄军;杨勇;代兵 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：该芯片堆叠结构包括：至少两个堆叠设置的芯片，每个芯片包括布线层，布线层中设置有导电结构；其中，至少两个堆叠设置的芯片包括：堆叠设置的第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片之间通过键合层电连接；键合层包括第一区域、环绕第一区域的第二区域，以及除第一区域和第二区域以外的第三区域，键合层的第一区域在第一芯片中的布线层上的投影与第一芯片的布线层中的导电结构至少部分重合；键合层的第一区域和第三区域中设置有金属键合层。
芯片堆叠结构及其形成方法封装电子设备

[发明专利]一种小型化高隔离度陶瓷封装结构-CN201410684903.6在审
发明人：周平 -专利权人：成都振芯科技股份有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开一种小型化高隔离度陶瓷封装结构，它包括管壳(a)、芯片(b)、金属盖板(c)和键合丝(d)；所述的管壳(a)由陶瓷层(a1)、金属化层(a2)和互连盲孔(a3)组成；所述的金属化层(a2)由键合指层(a21)、密封区(a22)、连接区(a23)、粘芯区(a24)及印制线层(a25)组成；所述的管壳(a)中央设有放置芯片的粘芯区(a24)，粘芯区(a24)四周设置有键合指层(a21)，所述键合指层(a21)包括接地键合指(a211)和信号键合指(a212)。本发明的有益效果：采用地层隔离技术，对高隔离度键合指进行空间立体包裹，形成空间“三明治”结构，在保证封装高可靠性的前提下，显著降低信号通道的串扰及耦合效应，降低信号损耗，提高隔离度，降低封装对产品电性能的影响
一种小型化隔离陶瓷封装结构

[实用新型]一种小型化高隔离度陶瓷封装结构-CN201420714792.4有效
发明人：周平 -专利权人：成都振芯科技股份有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开一种小型化高隔离度陶瓷封装结构，它包括管壳(a)、芯片(b)、金属盖板(c)和键合丝(d)；所述的管壳(a)由陶瓷层(a1)、金属化层(a2)和互连盲孔(a3)组成；所述的金属化层(a2)由键合指层(a21)、密封区(a22)、连接区(a23)、粘芯区(a24)及印制线层(a25)组成；所述的管壳(a)中央设有放置芯片的粘芯区(a24)，粘芯区(a24)四周设置有键合指层(a21)，所述键合指层(a21)包括接地键合指(a211)和信号键合指(a212)。本实用新型的有益效果：采用地层隔离技术，对高隔离度键合指进行空间立体包裹，形成空间“三明治”结构，在保证封装高可靠性的前提下，显著降低信号通道的串扰及耦合效应，降低信号损耗，提高隔离度，降低封装对产品电性能的影响
一种小型化隔离陶瓷封装结构

[实用新型]晶圆键合设备-CN202220384802.7有效
发明人：李帅龙;白龙 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆键合设备。本实用新型的晶圆键合设备，包括：晶圆存储区和键合工作区，晶圆存储区包括第一晶圆仓和第二晶圆仓；键合工作区包括：晶圆取放单元、定位单元、检测单元、第一清洗单元、第二清洗单元和对准键合单元；其中，晶圆存储区设置在晶圆取放单元的第一侧；定位单元、检测单元和第一清洗单元设置在晶圆取放单元的第二侧；对准键合单元和第二清洗单元设置在晶圆取放单元的第三侧，第一清洗单元和第二清洗单元沿晶圆取放单元的第一水平方向的中线对称设置。本实用新型中，对晶圆键合设备内部的各个单元进行了合理的布局分布，提高设备运行的稳定性和可靠性，减小了设备的尺寸。
晶圆键合设备

[实用新型]一种整体平板热模式铂电阻-CN201120061659.X无效
发明人：徐振兴 -专利权人：项小东
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G01K7/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种空气质量检测传感器，具体涉及一种整体平板热模式铂电阻，包括无机载体、所述无机载体上设有补偿铂电阻、补偿电阻以及测温铂电阻，所述补偿铂电阻的一端连接在第一键合区，其另一端连接在银钯导体的一端，所述银钯导体的另一端连接在补偿电阻的一端，所述补偿电阻的另一端连接在第二键合区的一端，所述第二键合区的另一端连接在测温铂电阻的一端上，所述测温铂电阻的另一端连接在第三键合区的一端，所述无机载体的正面设有第四键合区和第五键合区，分别通过过孔与背面的发热铂电阻连接，所述第二键合区的两端相通连接，本实用新型采用过孔技术集恒温发热，温度检测，补偿于一体，具有环保无污染、成本低、使用方便的功能。
一种整体平板模式铂电阻

[发明专利]半导体器件的封装结构-CN201310336739.5在审
发明人：张浩;庞慰;逯遥;张代化 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的封装结构，其中，该封装结构包括：封装基板，封装基板具有基板键合区；多个管芯，多个管芯中的至少两个管芯以层叠的方式设置，并且多个管芯装载于封装基板上，每个管芯具有管芯键合区，其中，一个管芯的管芯键合区可以与另一个管芯的管芯键合区进行电连接，或者与所述封装基板的基板键合区进行电连接。
半导体器件封装结构

[发明专利]一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法-CN201810093230.5有效
发明人：张明亮;季安;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：本公开提供了一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法，该方法包括：在硅片上制作凸台型阳极键合用锚定区，并在硅片用于阳极键合的面上做掺杂；在玻璃片上制作金属功能电极，将硅片与玻璃片对准阳极键合；在硅片的面上制作出谐振子；制作封装盖板，将玻璃片带有谐振子的面与封装盖板对准键合，形成贴片元器件的功能电极；制作玻璃感压薄膜和带导压孔的硅保护盖板，并将二者对准键合，制成压力传感器芯片。
一种玻璃硅四层结构谐振 mems 压力传感器制备方法

[实用新型]一种引线键合夹具-CN202122562839.2有效
发明人：尹晓旭;王志;张晋 -专利权人：深圳康姆科技有限公司
申请日： 2021-10-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种引线键合夹具，用于与引线键合设备配合对引线框架上的芯片引线进行键合，包括底板以及与底板配合将引线框架夹紧固定的压板，所述压板包括压合部和夹持部，所述压合部设置有多个键合窗口，所述键合窗口横向多排设置，奇数排的所述键合窗口在纵向上排列整齐，偶数排的所述键合窗口在纵向上排列整齐，计数排的所述键合窗口与偶数排的键合窗口错开排列设置；所述夹持部对称设置在压合部的两侧；所述夹持部用于被引线键合设备夹持。本申请具有提高集成电路芯片引线键合的效率的效果。
一种引线夹具

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