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[实用新型]铜铟镓硒太阳能电池吸收层及太阳能电池-CN201821656699.7有效
发明人：叶亚宽;郭逦达;赵树利 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请涉及一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层，其包括铜镓硒层、铟硒层和第三铜铟镓硒层。所述铟硒层叠层设置于所述铜镓硒层。所述第三铜铟镓硒层叠层设置于所述铟硒层。其中，所述第三铜铟镓硒层的镓含量大于所述铟硒层的镓含量，所述第三铜铟镓硒层的铟含量大于所述铟硒层的铟含量。本申请提供的所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层的表面贫铜，富含镓和铟，从而使得所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层为OVC相，所述铜铟镓硒太阳能电池吸收层与缓冲层结合，更利于获得掩埋PN结，提高了铜铟镓硒太阳能电池的转换效率
铜铟镓硒太阳能电池吸收层铟硒铜铟镓硒层层叠层硒层太阳能电池铜铟镓硒转换效率缓冲层富含贫铜申请掩埋

[发明专利]包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其制造方法和包括其的显示设备-CN201810567992.4有效
发明人：李禧成;金圣起;金敏澈;金昇鎭;朴志皓;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：与所述栅极电极的至少一部分重叠；栅极绝缘膜，设置在所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间；源极电极，连接至所述氧化物半导体层；和漏极电极，以与所述源极电极间隔开的状态连接至所述氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)和氧(O)，所述氧化物半导体层中的铟(In)含量大于镓(Ga)的含量，铟(In)的含量实质上等于锌(Zn)的含量，并且锡(Sn)与铟(In)的含量比(Sn/In
包括氧化物半导体薄膜晶体管制造方法显示设备

[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置-CN201880051512.7在审
发明人：小野秀树;兼田有希央 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在第一电极21与光电转换层23A之间，形成有包含铟‑镓‑锌复合氧化物的复合氧化物层23B。第一层23B1中的铟含量高于第二层23B2中的铟含量，或者第一层23B1中的镓含量低于第二层23B2中的镓‑铟含量，或者第一层23B1中的锌含量高于第二层23B2中的锌含量
摄像元件层叠固态装置

[发明专利]铜铟镓硒薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
发明人：杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法-CN201810401318.9在审
发明人：赵树利;杨立红;叶亚宽;王磊 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，包括：在基板上依次形成钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜；通过热压印转移的方法，将石墨烯基复合薄膜转移到EVA薄膜表面，其中，石墨烯基复合薄膜包括石墨烯薄膜和设置在石墨烯薄膜上的纳米线利用带有石墨烯复合薄膜的EVA薄膜封装所述钼层镀膜、铜铟镓硒薄膜、硫化镉薄膜和本征氧化锌薄膜。本发明实施例所涉及的铜铟镓硒太阳能电池组件的制作方法，石墨烯基复合薄膜的厚度≤200nm，比起现有技术中的AZO薄膜约为800～1200nm的厚度，厚度明显变薄，石墨烯基复合薄膜的透光率可高达94％，同时电阻率低于
石墨烯基复合薄膜铜铟镓硒太阳能电池本征氧化锌薄膜铜铟镓硒薄膜硫化镉薄膜石墨烯薄膜制作透光率镀膜钼层石墨烯复合薄膜低电阻率工艺难度电阻率纳米线热压印变薄基板喷涂旋涂封装

[发明专利]有机发光二极管背板的制作方法-CN201910143946.6在审
发明人：唐甲;任章淳 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：所述有机发光二极管背板的制作方法包括提供基板，在所述基板上形成发光层，在所述基板及所述发光层上形成缓冲层，在所述缓冲层上依次形成铟镓锌氧化物层、栅极绝缘层和第一金属层，通过同一光罩依次图案化所述第一金属层、所述栅极绝缘层和所述铟镓锌氧化物层。
有机发光二极管背板基板铟镓锌氧化物第一金属层栅极绝缘层发光层缓冲层制程制作图案化光罩节拍

[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、阵列基板及液晶显示面板-CN201811344322.2有效
发明人：王帅毅 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/445 文献下载
摘要：薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：在栅极层上形成β型聚偏氟乙烯的第一绝缘层；在所述β型聚偏氟乙烯的第一绝缘层上形成铟镓锌氧化物半导体层；在所述铟镓锌氧化物半导体层上形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成绝缘保护层
薄膜晶体管制备绝缘层液晶显示面板铟镓锌氧化物聚偏氟乙烯半导体层阵列基板漏极源极绝缘保护层栅极层

[发明专利]感温液体及其制备方法和体温计-CN201210209297.3有效
发明人：徐学海 -专利权人：徐学海
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01K5/22 文献下载
摘要：一种体温计，包括体温计主体，其包括感温泡和显示柱，所述感温泡中容纳感温液体，所述感温液体的成分包括镓、铟、锡和锌，以重量份数计：所述镓的含量为60份-68份，所述铟的含量为19份-25份，所述锡的含量为11份-17份，所述锌的含量为0.5份-2份。
液体及其制备方法体温计

[发明专利]一种利用岛状银纳米颗粒增强铜铟镓硒太阳能电池效率的方法-CN201810857463.8在审
发明人：朱圣清;王欣;朱云峰;黄海莲;居沐媛 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种利用岛状银纳米颗粒增强铜铟镓硒太阳能电池效率的方法，所述制备方法包括：钼层制备步骤，采用磁控溅的方法在基底表面制备钼层；银纳米薄膜制备步骤，在得到的钼层表面制备一层银纳米薄膜；岛状银纳米颗粒单层结构制作步骤，采用退火工艺使银纳米薄膜退火为岛状银纳米颗粒单层结构；制备太阳能电池其它结构步骤，在包含基底、钼层和岛状银纳米颗粒单层结构的多层材料表面依次制备纳米钼层、铜铟镓硒层、硫化镉层、本征氧化锌层、掺铝氧化锌层制备工艺简单且易于工业化生产，本方法可以有效提高铜铟镓硒太阳能电池的效率。
银纳米颗粒制备岛状铜铟镓硒太阳能电池钼层银纳米薄膜单层结构太阳能电池退火本征氧化锌层掺铝氧化锌铜铟镓硒层表面制备多层材料基底表面结构步骤硫化镉层退火工艺制备工艺高效率纳米钼磁控基底制作

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110234318.6在审
发明人：宋丹丹;朱成皖;刘武;徐征;赵谡玲;乔泊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、钙钛矿层、铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上沉积铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在铜铟镓硒层后，在80℃～150℃条件下加热10min～60min，获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在钙钛矿层上制备氧化锌层；其中，氧化锌层为电子传输层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备的AZO层；其中，AZO层为透明前电极。
一种异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088979.3无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为沟道层。
铟镓磷增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]液晶显示器-CN200710162624.3有效
发明人：盛姿华;罗瑞良 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明是关于一种液晶显示器，所述的液晶显示器包括一彩色滤光片基板、复数个彩色滤光片图案与一双层电极结构设置于彩色滤光片图案上；双层电极结构包括一第一电极层与一第二电极层；第一电极层的材料包括铟锡氧化物、锌铝氧化物或镓锌氧化物，而第二电极层的材料包括铟锡氧化物、锌铝氧化物或镓锌氧化物，且第一电极层与第二电极层的材料不同。本发明的液晶显示器利用双层电极结构或是使用锌铝氧化物的单层电极结构的作法，具有改善色偏，提升蓝光穿透率、增加色温与色域等优点。
液晶显示器

[发明专利]量子点、其制造方法及包括该量子点的复合物和显示装置-CN202110277216.2在审
发明人：金泰坤;李锺敏;安珠娫;杨惠渊;田信爱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置，其中，量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体，在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，在量子点的UV‑Vis吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。
量子制造方法包括复合物显示装置

[发明专利]铟镓氮薄膜的制备方法-CN202310897320.0在审
发明人：梁锋;赵德刚;刘宗顺;杨静 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括以下至少一项：升高温度至退火温度，对铟镓氮层进行保温退火处理；降低温度至铟镓氮层的生长温度；或者，在铟镓氮层通入目标气体，目标气体用于去除铟镓氮层中的富铟区；步骤D：重复执行步骤C，直至各所述铟镓氮层的总厚度达到预设阈值，或者各所述铟镓氮层的质量达到预设阈值，生成铟镓氮薄膜。通过上述方法，可有效降低铟镓氮薄膜表面V型缺陷的密度及大小，改善厚层铟镓氮薄膜质量。
铟镓氮薄膜制备方法

[发明专利]在锌浸出过程中回收稀有金属的方法-CN200680049634.X有效
发明人： M·拉赫蒂宁;M·罗纳拉;K·斯文斯;S－G·胡尔登;S·弗格莱伯格 -专利权人：奥图泰有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C22B19/20 文献下载
摘要：本发明涉及在锌浸出过程中回收稀有金属的方法。硫化锌精矿通常也含有少量稀有金属例如铟和镓。如果在原料中这些金属的含量足够高，那么它们回收在经济上是值得的。在根据本发明的方法中，在至少部分硫化物精矿直接进行浸出而无需焙烧的锌浸出过程中回收铟和其它希望的稀有金属。
浸出过程回收稀有金属方法

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