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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]摄像元件、层叠式摄像元件和固态摄像装置-CN201880025131.1有效
发明人：森胁俊贵;兼田有希央 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的摄像元件设置有光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极21、光电转换层23A和第二电极22；并且在第一电极21与光电转换层23A之间形成有无机氧化物半导体材料层23B。在该摄像元件中，无机氧化物半导体材料层23B包含选自由铟、钨、锡和锌组成的群组中的至少两种元素。或者，用于构成位于无机氧化物半导体材料层23B附近的光电转换层23A的部分的材料的LUMO值E1和用于构成无机氧化物半导体材料层23B的材料的LUMO值E2满足E1‑E20.2eV。或者，用于构成无机氧化物半导体材料层23B的材料的迁移率在10cm2/V·s以上。
摄像元件层叠固态装置

[发明专利]固态成像器件和电子装置-CN202080075661.4在审
发明人： 兼田有希央;富樫秀晃;古闲史彦;定荣正大;村田贤一;平田晋太郎;河合信宏 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种能够实现进一步提高图像质量的固态成像器件。固态成像器件包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上方且将光转换为电荷；和第二光电转换单元，设置在第一光电转换单元上方且将光转换为电荷。第一光电转换单元和第二光电转换单元均至少包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的光电转换膜。第二光电转换单元的第一电极和形成在半导体基板中的电荷积累单元经由至少穿过第一光电转换单元的导电部彼此电连接。导电部的外周的至少一部分布置有绝缘膜部。绝缘膜部包括至少一层的绝缘膜，并且该至少一层的绝缘膜具有与电荷累积单元中累积的电荷相同类型的固定电荷。
固态成像器件电子装置

[发明专利]固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法和电子装置-CN202110417230.8在审
发明人： 兼田有希央 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及可以通过使用光电转换膜来形成更好的用于检测焦点的像素的固态摄像元件、该摄像元件的制造方法和电子装置。所述固态摄像元件包括：第一像素，其包括由光电转换膜以及上下夹持所述光电转换膜的第一电极和第二电极形成的光电转换单元，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一者是针对每个像素分离的分离电极；以及第二像素，其包括所述光电转换单元，其中，所述第二像素的所述分离电极形成为具有比所述第一像素的所述分离电极的平面尺寸更小的平面尺寸，且至少延伸至像素边界的第三电极形成在由于更小的平面尺寸而空出的区域中。本发明可例如应用于固态摄像元件等。
固态摄像元件制造方法电子装置

[发明专利]固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法和电子装置-CN201580057669.7有效
发明人： 兼田有希央 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及可以通过使用光电转换膜来形成更好的用于检测焦点的像素的固态摄像元件、该摄像元件的制造方法和电子装置。所述固态摄像元件包括：第一像素，其包括由光电转换膜以及上下夹持所述光电转换膜的第一电极和第二电极形成的光电转换单元，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一者是针对每个像素分离的分离电极；以及第二像素，其包括所述光电转换单元，其中，所述第二像素的所述分离电极形成为具有比所述第一像素的所述分离电极的平面尺寸更小的平面尺寸，且至少延伸至像素边界的第三电极形成在由于更小的平面尺寸而空出的区域中。本发明可例如应用于固态摄像元件等。
固态摄像元件制造方法电子装置

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN201980048599.7在审
发明人：齐藤阳介;坂东雅史;兼田有希央;平野英孝;森胁俊贵 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的摄像元件设置有：第一电极，其由多个电极构成；第二电极，其与所述第一电极相对配置；光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间并包含有机材料；第一半导体层，其设置在所述第一电极与所述光电转换层之间，并且包含n型半导体材料；和第二半导体层，其设置在所述第二电极与所述光电转换层之间，并且包括电子亲和力大于所述第一电极的功函数的含碳化合物和功函数大于所述第一电极的功函数的无机化合物中的至少一者。
摄像元件装置

[发明专利]成像元件和固态成像装置-CN201980042585.4在审
发明人： 兼田有希央;古闲史彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-07 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种成像元件，包括：第一电极21；电荷累积用电极24，所述电荷累积用电极与所述第一电极21隔开配置；分离电极，所述分离电极与所述第一电极21和所述电荷累积用电极24隔开配置，以围绕所述电荷累积用电极24；光电转换层，所述光电转换层与所述第一电极21接触并且形成在所述电荷累积用电极的上方，绝缘层夹设在所述光电转换层和所述电荷累积用电极之间；和第二电极，所述第二电极形成在所述光电转换层上。所述分离电极包括第一分离电极31A和与所述第一分离电极31A隔开配置的第二分离电极31B。所述第一分离电极31A位于所述第一电极21和所述第二分离电极31B之间。
成像元件固态装置

[发明专利]固态成像元件和固态成像装置-CN201980010675.5在审
发明人：平田晋太郎;富樫秀晃;兼田有希央 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态成像元件，其包括光电转换层；经由其间的所述光电转换层彼此相对的第一电极和第二电极；设置在第一电极和所述光电转换层之间的半导体层；经由其间的所述半导体层与所述光电转换层相对的累积电极；设置在所述累积电极和所述半导体层之间的绝缘膜；和设置在所述半导体层和所述光电转换层之间的阻挡层。
固态成像元件装置

[发明专利]摄像元件、层叠式摄像元件和固态摄像装置-CN201880051681.0在审
发明人：森胁俊贵;山崎雄介;兼田有希央 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种摄像元件，包括光电转换单元，所述光电转换单元是通过把第一电极21、光电转换层23A和第二电极22层叠起来而形成的。在第一电极21与光电转换层23A之间，形成有无机氧化物半导体材料层23B，其与光电转换层23A接触。所述光电转换单元还包括绝缘层82和电荷累积电极24，电荷累积电极24与第一电极21分开设置着，并且电荷累积电极24隔着绝缘层82面对着无机氧化物半导体材料层23B。构成无机氧化物半导体材料层23B的材料的功函数值在4.5eV以下。通过从构成第二电极22的材料的功函数值减去构成无机氧化物半导体材料层23B的材料的功函数值而获得的值超过0.2eV。
摄像元件层叠固态装置

[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置-CN201880051512.7在审
发明人：小野秀树;兼田有希央 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：摄像元件(光电转换元件)设置有光电转换单元，该光电转换单元是通过层叠第一电极21、光电转换层23A和第二电极22而形成的。在第一电极21与光电转换层23A之间，形成有包含铟‑镓‑锌复合氧化物的复合氧化物层23B。复合氧化物层23B包括与第一电极21相邻的第一层23B1和与光电转换层23A相邻的第二层23B2。第一层23B1中的铟含量高于第二层23B2中的铟含量，或者第一层23B1中的镓含量低于第二层23B2中的镓‑铟含量，或者第一层23B1中的锌含量高于第二层23B2中的锌含量。
摄像元件层叠固态装置

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