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[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及包括该薄膜晶体管阵列基板的电子装置-CN202211348367.3在审
发明人： 任曙延;崔圣主;徐廷锡;朴在润;郑进元 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开内容实施方式涉及一种薄膜晶体管阵列基板及包括其的电子装置。具体地，可提供一种在较小面积中具有较高电流特性的薄膜晶体管阵列基板及包括其的电子装置，包括：第一电极；具有暴露第一电极的上表面的一部分的孔的第一绝缘膜；接触第一绝缘膜的上表面的一部分以及第一电极的上表面的一部分的有源层；设置在有源层上的第二绝缘膜；设置在第二绝缘膜上的栅极电极；设置在栅极电极上的第三绝缘膜；和设置在第三绝缘膜上、彼此间隔开并且电连接至有源层的第二电极和第三电极，其中有源层包括彼此间隔开的第一沟道区域和第二沟道区域，并且第一沟道区域和第二沟道区域的每一个包括位于第一绝缘膜的孔的侧表面上的区域。
薄膜晶体管阵列包括电子装置

[发明专利]薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置-CN202211348061.8在审
发明人：崔圣主;徐廷锡;高永贤;朴在润;任曙延;郑进元 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种薄膜晶体管以及包括薄膜晶体管的显示装置。所述薄膜晶体管包括：有源层；以及与所述有源层的一部分至少部分地交叠的栅极，其中所述有源层包括：沟道部；与所述沟道部的一侧接触的第一连接部；以及与所述沟道部的另一侧接触的第二连接部，其中所述沟道部包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的每一个从所述第一连接部延伸至所述第二连接部，其中所述薄膜晶体管还包括：与所述沟道部交叠的第一导电材料层；以及与所述沟道部交叠的第一间隔件，其中所述沟道部设置在所述第一导电材料层和所述栅极之间，所述第一导电材料层连接至所述第一连接部。
薄膜晶体管以及包括显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置-CN202210470554.2在审
发明人：金昇镇;李禧成;李昭珩;金敏澈;梁晸硕;朴志皓;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种能够应用于要求高速驱动的高分辨率平板显示装置的包括氧化物半导体层的薄膜晶体管(TFT)、包括该TFT的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置。TFT包括由氧化铟镓锌锡(IGZTO)组成的第一氧化物半导体层和具有氧化铟镓锌(IGZO)的第二氧化物半导体层。第二氧化物半导体层的镓(Ga)对铟(In)的含量比(Ga/In)高于第一氧化物半导体层的Ga对In的含量比(Ga/In)，并且第二氧化物半导体层的锌(Zn)对In的含量比(Zn/In)高于第一氧化物半导体层的Zn对In的含量比(Zn/In)。
薄膜晶体管包括栅极驱动器以及显示装置

[发明专利]具有氢阻挡层的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备-CN201810567638.1有效
发明人： 任曙延;李禧成;金昇鎭;金圣起 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：公开一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：设置在基板上的氧化物半导体层；在与氧化物半导体层隔离的状态下与氧化物半导体层的至少一部分重叠的栅极电极；连接至氧化物半导体层的源极电极；和以与源极电极间隔开的状态连接至氧化物半导体层的漏极电极，其中所述氧化物半导体层包括设置在基板上的第一子层、设置在第一子层上的第二子层和设置在第二子层上的第三子层，第二子层具有比第一子层和第三子层大的电阻以及比第一子层和第三子层低的载流子浓度，第一子层具有比第二子层和第三子层高的氢浓度，第一子层和第二子层的每一个具有结晶度。
具有阻挡薄膜晶体管包括显示设备

[发明专利]包括二维半导体的薄膜晶体管以及包括其的显示设备-CN201810753994.2有效
发明人：李禧成;任曙延;朴权植;金圣起 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及包括二维半导体的薄膜晶体管以及包括其的显示设备。该薄膜晶体管包括：设置在基底上的栅电极；半导体层，以与栅电极隔离的状态设置成与栅电极的至少一部分交叠；设置在栅电极与半导体层之间的栅极绝缘膜；连接至半导体层的源电极；以及漏电极，以与源电极间隔开的状态连接至半导体层，其中所述半导体层包括：第一层，包含氧化物半导体；以及被设置成在截面图中与第一层交叠的第二层，第二层包含二维半导体，以及第一层的能带隙大于第二层的能带隙。
包括二维半导体薄膜晶体管以及显示设备

[发明专利]薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置-CN201810509886.0有效
发明人：金昇镇;李禧成;李昭珩;金敏澈;梁晸硕;朴志皓;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种能够应用于要求高速驱动的高分辨率平板显示装置的包括氧化物半导体层的薄膜晶体管(TFT)、包括该TFT的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置。TFT包括由氧化铟镓锌锡(IGZTO)组成的第一氧化物半导体层和具有氧化铟镓锌(IGZO)的第二氧化物半导体层。第二氧化物半导体层的镓(Ga)对铟(In)的含量比(Ga/In)高于第一氧化物半导体层的Ga对In的含量比(Ga/In)，并且第二氧化物半导体层的锌(Zn)对In的含量比(Zn/In)高于第一氧化物半导体层的Zn对In的含量比(Zn/In)。
薄膜晶体管包括栅极驱动器以及显示装置

[发明专利]包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其制造方法和包括其的显示设备-CN201810567992.4有效
发明人：李禧成;金圣起;金敏澈;金昇鎭;朴志皓;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：栅极电极，设置在基板上；氧化物半导体层，设置为在与所述栅极电极隔离的状态下，与所述栅极电极的至少一部分重叠；栅极绝缘膜，设置在所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间；源极电极，连接至所述氧化物半导体层；和漏极电极，以与所述源极电极间隔开的状态连接至所述氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)和氧(O)，所述氧化物半导体层中的铟(In)含量大于镓(Ga)的含量，铟(In)的含量实质上等于锌(Zn)的含量，并且锡(Sn)与铟(In)的含量比(Sn/In)是0.1至0.25。
包括氧化物半导体薄膜晶体管制造方法显示设备

[发明专利]具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板-CN201711043946.6有效
发明人：李昭珩;金圣起;李永镇;金敏澈;梁晸硕;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板。本公开提供了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在所述基板上，其中，所述氧化物半导体层包括：具有铟、镓和锌的第一氧化物半导体层；和具有铟、镓和锌的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层层叠在所述第一氧化物半导体层上，其中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的任一层具有1:1:1的铟、镓和锌的第一组成比；并且其中，另一层具有铟比率高于锌比率的铟、镓和锌的第二组成比。
具有双层氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的栅极驱动器和显示装置-CN202011150337.2在审
发明人：金昇鎭;朴志皓;任曙延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种具有氧化物半导体层的薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的栅极驱动器以及包括该薄膜晶体管的显示装置，该薄膜晶体管可应用于由于超高清晰度而需要高速驱动的平板显示装置。薄膜晶体管包括由铁‑铟‑锌氧化物(FIZO)形成的第一氧化物半导体层和由铟‑镓‑锌氧化物(IGZO)形成的第二氧化物半导体层，因此能够表现出诸如高可靠性和高电子迁移率的效果。
薄膜晶体管包括栅极驱动器显示装置

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