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- [发明专利]一种钳位系统和方法-CN202011400016.3在审
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黄浩;李全任
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南京宏泰半导体科技有限公司
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2020-12-04
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2022-06-10
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H02H9/04
- 本发明提供一种钳位系统和方法，提高钳位精度。本发明钳位系统，包括差动运算放大器、补偿运算放大器、单项导通二极管、主回路输出电路和采集电路，差动运算放大器与补偿运算放大器连接，补偿运算放大器与单项导通二极管连接，单项导通二极管与主回路输出电路连接，本实施例的钳位系统，在差动运算放大器和单项导通二极管之间设置补偿运算放大器，可以补偿二极管的导通压差，减小输出的固定偏差，提高钳位精度。本实施例的钳位方法，根据理论输出值和实际输出值建立修正模型，利用修正模型修正第一预设值和第二预设值，减小系统输出偏差，提高钳位精度。
- 一种系统方法
- [实用新型]一种开关电源电路-CN202320092672.4有效
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尹增鹤;袁源
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广州金升阳科技有限公司
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2023-01-31
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2023-10-20
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H02M3/335
- 一种开关电源电路，包括：原边电路、变压器、副边电路和第三绕组钳位电路；原边电路开关管Q1漏极和钳位二极管D1阴极连接为开关电源电路输入端，开关管Q1源极和钳位二极管D2阴极连接原边绕组一端，钳位二极管D1阳极和开关管Q2漏极连接原边绕组另一端，钳位二极管D2阳极和开关管Q2源极连接为开关电源电路原边接地端；副边电路与原边电路形成正激结构；第三绕组钳位电路开关管Q3漏极连接第三绕组一端、源极和钳位电容C3一端连接为第三绕组钳位电路接地端，第三绕组另一端和钳位电容C3另一端连接为第三绕组钳位电路输出端；第三绕组钳位电路与原边电路反激式连接。
- 一种开关电源电路
- [发明专利]IGBT器件-CN202210400718.4在审
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吴小利;王海军
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上海擎茂微电子科技有限公司
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2022-04-17
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2022-08-09
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H01L27/06
- 本发明公开了一种IGBT器件，包括：在终端区中设置有由多个齐纳二极管原胞并联连接形成的齐纳二极管阵列。齐纳二极管原胞由多个齐纳二极管背靠背串联而成。齐纳二极管原胞连接在栅极导电材料层和场截止区之间。齐纳二极管由形成在多晶硅条的交替排列的第一和第二导电类型掺杂区组成。多晶硅条宽度小于等于齐纳二极管原胞宽度并使齐纳二极管原胞宽度小于终端区宽度，使齐纳二极管原胞完全设置在终端区中。多晶硅条的总长度设置为使原胞钳位电压满足目标值需要的串联二极管数目。各齐纳二极管原胞的并联数量使阵列钳位电阻满足目标值。本发明齐纳二极管不会占用有源区的面积，能提升有源区的实际面积以及有源区的IGBT原胞的均匀性，改善钳位能耗。
- igbt器件
- [实用新型]一种新型的集成电路测试设备-CN202221396852.3有效
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彭增金
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彭增金
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2021-10-28
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2023-03-28
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G01R31/28
- 所述集成电路测试设备的线路板上设有MCU，所述MCU的管脚经过过压、限流接口保护电路、目标板电源泄放电路及目标板电源供给电路经目标板接口连接到目标板，所述过压、限流接口保护电路具体包括：对于每一条目标板接口线，经过TVS_ESD二极管、串联限流电阻、ESD保护二极管、ESD保护二极管、串联限流电阻后，接到MCU601的管脚，ESD保护二极管朝向地线，ESD保护二极管朝向一个VCCT_F钳位电压的电压节点,电容器接在节点上用于提供ESD保护作用；限流电阻、ESD保护二极管、VCCT_F钳位电压结合起来，实现限流电阻_二极管钳位电平匹配结构。
- 一种新型集成电路测试设备
- [发明专利]钳位二极管及其版图结构和其制造方法-CN201210441977.8在审
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仲志华;祝奕琳
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2012-11-07
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2014-05-21
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H01L29/861
- 本发明公开了一种钳位二极管，包括：P型衬底上的N型阱区，N型阱区上部的P型高阻区，P型高阻区之间具有P型低阻区，P型高阻区的外侧具有绝缘区，位于P型高阻区同侧的两个绝缘区之间具有N+掺杂区，与P型高阻区相邻的绝缘区上具有多晶硅层，P型低阻区和N+掺杂区上具有金属硅化物；P型高阻区和P型低阻区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阳极；N+掺杂区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阴极；多晶硅层与阳极引出端短接。本发明还提供了所述钳位二极管的版图结构和所述钳位二极管的制造方法。本发明钳位二极管能代替BGR电路在高精度电压要求应用中的作用，同时能降低成电路制造成本，缩小集成芯片面积，有利于集成电路的小型化。
- 二极管及其版图结构制造方法
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