|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 429个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路-CN202210935791.1有效
-
孙磊;羊林
-
佛山市南海区赛德声电子有限公司
-
2022-08-04
-
2023-10-24
-
H03K17/082
- 本发明公开了一种氮化镓MOSFET导通损耗功率限制电路，包括信号输入端、第一MOSFET管和第二MOSFET管，还包括与第一MOSFET管连接用于对第一MOSFET管进行工作电压实时取样的第一取样电路、与第二MOSFET管连接用于对第二MOSFET管进行工作电压实时取样的第二取样电路、分别与第一取样电路及第二取样电路连接用于将取样信号根据设定进行处理生产限制反馈信号的反馈处理模块和用于根据信号分别驱动第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的驱动模块，所述反馈处理模块和信号输入端分别与一用于生成控制信号输入到驱动模块控制第一MOSFET管及第二MOSFET管通断的控制信号处理模块连接从而形成自动损耗功率限制结构。通过本发明能够有效进行保护，提高工作稳定性和效率。
- 一种氮化mosfet损耗功率限制电路
- [发明专利]栅极电压控制-CN202010100661.7有效
-
肯尼思·钟·因·夸克;赖苏明;李学初;詹福春;卿健
-
恩智浦有限公司
-
2020-02-18
-
2023-10-24
-
H03K17/082
- 本公开的方面涉及一种用于控制栅极电压的电路系统。如可以根据一个或多个实施例实施的，对具有浮栅和目标工作电压的场效应晶体管(FET)的电压水平进行控制，当高于所述目标工作电压时，所述FET将被过度充电，并且当大约为所述目标工作电压时，所述FET具有标称工作范围。脉冲电路系统被配置成以脉冲形式向所述浮栅施加能量，在操作中，相对于所述栅极的目标工作电压将所施加的能量脉冲处理为低，并且然后通过调整连续脉冲改变所述所施加的能量，直到所述栅极达到所述目标工作电压为止。反馈电路对所述浮栅的电压水平进行采样并使所述脉冲电路系统能够向所述浮栅施加脉冲能量，以基于所述标称工作范围内的所述目标工作电压指导所述FET的操作。
- 栅极电压控制
- [发明专利]MOSFET并联过流保护电路-CN201710260603.9有效
-
朱利东;陈峰
-
天索（苏州）控制技术有限公司
-
2017-04-20
-
2023-10-13
-
H03K17/082
- 本发明揭示了一种MOSFET并联过流保护电路，包括一组并联的MOSFET及驱动MOSFET工作的驱动电路,还包括电压采样电路及电压比较电路，电压采样电路用于采集并联的MOSFET的源漏极电压并生成第一比较电压输出给所述电压比较电路，电压比较电路将第一比较电压与第二比较电压比较后发送低或高电平控制驱动电路关断或不关断MOSFET门极驱动信号的输出。本发明设计精巧，电路结构简单，通过设计采样电阻检测VDS反应漏极电流ID，省去了电流传感器的结构，有利于降低成本；由于没有软件介入，因此相应速度快，可靠性高，并且，第二比较电压采用温度补偿电压，相对于预设的固定过流保护门限电压，门限电压可调，与实际工况条件更契合，因而适用性更强，应用更灵活。
- mosfet并联保护电路
|
