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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202110656086.3有效
发明人：王喜瑜;张煜;张濛;刘海军;芦浩;代云飞;司泽艳;孙保全;蔡小龙 -专利权人：中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件包括外延基片和复合钝化层，外延基片包括势垒层，势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层的上层，复合钝化层设置于源电极和漏电极之间，栅电极设置于复合钝化层，第一钝化层含有负离子，在栅电极和漏电极之间的第一钝化层设置有至少一个开孔，以形成负离子孤岛阵列。本发明采用复合钝化层，在沉积第一钝化层时直接加入负离子，然后在栅电极和漏电极之间的第一钝化层选区开孔，形成负离子钝化孤岛，达到类浮空场板技术效果。此外，由于未引入场板结构，避免密勒负反馈电容的产生，提升了器件的频率特性和增益。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法-CN202011627341.3在审
发明人：马晓华;芦浩;侯斌;杨凌;司泽艳;杜佳乐;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取外延基片并进行清洗，外延基片自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层和势垒层；在外延基片有源区边缘刻蚀台面至缓冲层，形成有源区域隔离；在势垒层上刻蚀图形化阵列凹槽，并在图形化阵列凹槽中沉积合金欧姆金属形成欧姆预沉积层；在势垒层上形成源电极和漏电极，源电极和漏电极位于欧姆预沉积层上方；在势垒层、源电极和漏电极上形成钝化层；在源电极与漏电极之间的势垒层上形成梯形形状的栅电极；制作背通孔，并在背通孔中形成完成源电极互联层和钝化层。该功率器件采用欧姆预沉积层和带有倾斜场板的栅极，减小接触电阻，改善沟道电场分布。
基于金工氮化功率射频器件及其制备方法

[发明专利]采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法-CN202011638648.3在审
发明人：马晓华;侯斌;司泽艳;芦浩;杨凌;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法，方法包括选取外延基片；刻蚀外延基片的有源区两端至第一预设厚度的缓冲层，以形成电隔离区域；刻蚀第二预设厚度的势垒层，以形成两组图形化阵列区域；在两组图形化阵列区域内淀积合金预沉积层；在位于势垒层和合金预沉积层上的源电极图形区和漏电极图形区上分别淀积欧姆金属，以形成源电极和漏电极；在势垒层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层至势垒层表面以形成栅槽；在栅槽内淀积栅电极金属，以形成栅电极。本发明减小了无金欧姆接触退火温度和接触电阻，降低了器件膝点电压，提升了功率附加效率；提升了欧姆接触表面平整度，改善了源、漏电极边缘金属外扩。
采用局部刻蚀欧姆工艺 gan hemt 及其制备方法

[发明专利]基于栅源漏一体化沉积的氮化镓器件及其制作方法-CN202110982639.4在审
发明人：马晓华;司泽艳;芦浩;侯斌;杨凌;鲁微;武玫;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于栅源漏一体化沉积的氮化镓器件，氮化镓器件包括：衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、以及位于AlGaN势垒层远离衬底一侧的SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极；AlGaN势垒层的第一表面包括两个图形区，每个图形区包括多个阵列排布的第一开孔，源、漏电极相对设置于第一表面的两侧，且沿垂直于衬底所在平面的方向，漏电极的正投影与源电极的正投影分别覆盖两个图形区；SiN钝化层位于源电极和漏电极之间，SiN钝化层包括第二开孔，至少部分栅电极位于第二开孔内。本发明采用一体化沉积的设计方式制作氮化镓器件，能够避免源漏金属高温退火工艺，抑制金属外扩，并实现亚微米级源漏欧姆接触。
基于栅源漏一体化沉积氮化器件及其制作方法