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[实用新型]一种便于制作金属框架的金属板-CN202020396728.1有效
发明人：何勇;周道庆 -专利权人：广东优泰智造有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： F16B5/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种便于制作金属框架的金属板。所述便于制作金属框架的金属板，包括：两个金属板；梯形槽，所述梯形槽开设于所述金属板的正面；矩形槽，所述矩形槽连通于所梯形槽内表面的底部；转角衬条，所述转角衬条设置于所述矩形槽的内表面上。本实用新型提供一种便于制作金属框架的金属板，通过在金属板上分别开设有梯形槽和矩形槽，在制作圆转角金属框架的时候，可在梯形槽的部分将金属板弯曲成一个对称的U形，此时在梯形槽和矩形槽的作用下，使得金属板在弯曲时自动形成圆角形状，不必再使用独立的转角部件，简化了原有大量的焊接操作，降低了整个金属框架的制作难度，使得金属框架可以很轻松的被制作出来。
一种便于制作金属框架金属板

[发明专利]金属外壳及其制作方法-CN200610064627.9无效
发明人：林知本;李泓璋;刘闯;陈玉川;位会峰;禹建鹏 -专利权人：深圳富泰宏精密工业有限公司
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H05K5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种金属外壳及其制作方法，该金属外壳表面形成有滚花纹。该金属外壳制作方法包括以下步骤：金属板材经冲压后形成一金属外壳；对该金属外壳表面进行研磨处理、抛光处理；应用钻石雕刻技术于所述金属外壳表面形成滚花纹。该金属外壳经过该制作方法的加工，使得其表面形成滚花纹，使产品美观，且具有防滑作用。该金属外壳制作方法加工简单，便于操作。
金属外壳及其制作方法

[发明专利]一种金属网格及其制作方法-CN201810780059.5有效
发明人：周小红;基亮亮;陈林森 -专利权人：苏州维业达触控科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：一种金属网格的制作方法，金属网格的制作方法的步骤包括在透明基底上设置压印胶层；加热至压印胶层软化，并在压印胶层上制作图案化的凹槽；在凹槽内设置金属导电材料，并固化形成金属网格；加热至压印胶层软化，并剥离压印胶层或者用溶剂溶解压印胶层本发明的金属网格的制作方法制作的金属网格质量好，性能稳定，适合工业化生产。本发明还涉及一种金属网格。
一种金属网格及其制作方法

[发明专利]半导体芯片的制作方法-CN202011244274.7在审
发明人：邱文瑞;刘兵;方华斌;田峻瑜;王德信;陈岭;孟晗;赵紫雲 -专利权人：歌尔微电子有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体芯片的制作方法。所述半导体芯片的制作方法包括以下步骤：在基底的表面制作第一金属层，并制作金属走线结构；在所述金属走线结构背向所述基底的表面制作绝缘层，所述绝缘层包括多层子绝缘层；在所述绝缘层背向所述金属走线结构的表面制作第二金属层
半导体芯片制作方法

[发明专利]CMOS工艺中的同轴互连的制作方法-CN00804360.4无效
发明人： M·维林;S·波斯拉;C·T·加布里尔;M·米舍洛夫 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 2000-08-16 - 公布日： 2002-03-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种在介电层中制作同轴互连线的方法。此方法包括在介电层中确定沟槽,然后在沟槽中制作屏蔽金属化层。在制作屏蔽金属化层之后,在屏蔽金属化层中淀积共形氧化物层。然后在共形氧化物层中制作中心导体。一旦制作了中心导体,就在中心导体上淀积填充氧化物层。然后在填充氧化物层上制作与屏蔽金属化层接触的帽金属化层。
cmos 工艺中的同轴互连制作方法

[发明专利]一种In-cell触控基板及制作方法-CN202010867145.7在审
发明人：陈伟;黄志杰;苏智昱 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公布一种In‑cell触控基板及制作方法，其中制作方法包括，在基板上制作薄膜晶体管层；制作有机平坦层，并在有机平坦层上制作第一孔；在第一孔中的第一绝缘层上制作第二孔；制作搭接金属层和触控金属层；制作第二绝缘层；制作公共电极，所述公共电极通过第二绝缘层上的孔连接触控金属层；制作第三绝缘层，并在搭接金属层区域的第三绝缘层上制作第三孔，第三孔的孔底为搭接金属层；制作像素电极，所述像素电极通过第三孔连接所述搭接金属层
一种 in cell 触控基板制作方法

[发明专利]一种金属柱制作方法及半导体器件-CN201910259350.2在审
发明人：黄光伟;李立中;林伟铭;马跃辉;吴靖;庄永淳 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种金属柱制作方法及半导体器件，其中方法包括如下步骤：在具有连接金属的半导体器件表面制作第一层光阻，所述连接金属用于与金属柱连接；在第一层光阻上面制作耐蚀刻缓冲层；在耐蚀刻缓冲层上面制作第二层光阻；在第二层光阻上曝光显影，去除待制作金属柱位置的第二层光阻；去除待制作金属柱位置的耐蚀刻缓冲层；采用非等向性蚀刻对待制作金属柱位置进行蚀刻，去除待制作金属柱位置的第一层光阻，露出连接金属。本方案通过耐蚀刻缓冲层的遮挡，使用非等向性蚀刻对第一层光阻进行蚀刻，可以实现蚀刻后的第一层光阻形成通孔内壁垂直，而后在通孔内形成金属柱侧壁垂直，保证每个铜柱的间距一致，便于后续缩小铜柱间距工艺的进行。
光阻金属柱制作第一层缓冲层耐蚀蚀刻连接金属去除非等向性蚀刻半导体器件铜柱半导体器件表面金属柱连接侧壁垂直间距一致曝光显影通孔内壁通孔遮挡垂直保证

[发明专利]一种TFT阵列基板结构及制作方法-CN202011011455.5在审
发明人：温质康;苏智昱;乔小平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种TFT阵列基板结构及制作方法，沉积遮光层于基板上，制作缓冲层；制作第一有源层，制作第二有源层；图形化第一有源层和第二有源层；于第一有源层上制作栅极绝缘层，并于栅极绝缘层上制作金属栅极层；制作钝化层；第一通孔、第二通孔和第三通孔；第二通孔和第三通孔分别置于金属栅极层的两侧；制作金属源极和金属漏极，金属源极通过第一通孔与遮光层连接，金属源极通过第二通孔与第一有源层连接，金属漏极通过第三通孔与第一有源层连接；制作平坦层，并制作第四通孔；制作电极层，并与金属漏极连接。
一种 tft 阵列板结制作方法

[发明专利]触摸屏及其制作方法-CN201910744668.X有效
发明人：谢铭 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：触摸屏包括阵列基板，所述阵列基板包括薄膜封装层、绝缘层、第一金属层、钝化层、第二金属层和平坦层。所述钝化层上设有过孔，所述第一金属层对应所述过孔的位置设有一凹陷，所述第二金属层延伸并穿过所述过孔且进一步延伸至所述第一金属层的凹陷内并于第一金属层电连接。触摸屏的制作方法包括步骤：提供一阵列基板、制作绝缘层、制作第一金属层、制作钝化层、制作第二金属层和制作平坦层。本发明利用挖孔蚀刻，加大了两层金属层的接触面积，降低了方块电阻，使连接强度增加且改善了弯折性能。
触摸屏及其制作方法

[发明专利]一种孔槽式的电容结构及制作方法-CN201910366425.7有效
发明人：庄永淳;吴靖;马跃辉;黄光伟;李立中;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种孔槽式的电容结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在半导体器件上制作绝缘区域；在绝缘区域的位置制作孔；在孔内壁制作第一金属层；在孔内壁的第一金属层上制作覆盖第一金属层介质层；在孔内壁的介质层上制作第二金属层
一种孔槽式电容结构制作方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201710338196.9有效
发明人：邓竹明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法，包括：制作阵列基板的第二金属层，第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成；在第二金属层上覆盖透明电极层。上述阵列基板制作方法及阵列基板，在阵列基板的第二金属层上直接制作透明电极层，通过第二金属层与透明电极层的直接接触实现导通，以减少现有技术中钝化层过孔的制作，从而减少一道黄光制程，以节省成本，提高生产效率
阵列及其制作方法

[发明专利]一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备-CN202010147555.4有效
发明人：周娜;李俊杰;高建峰;刘耀东;李永亮;罗军;赵超;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种金属纳米结构及其制作方法、电子器件、电子设备，涉及纳米结构制作技术领域，以有效地解决常规图案化工艺不适用于金属纳米结构制作的问题。金属纳米结构的制作方法包括，提供衬底；在衬底上形成图案化纳米结构；在图案化纳米结构背离衬底的表面形成金属纳米结构。所述金属纳米结构采用本发明提供的制作方法制成，本发明提供的金属纳米结构应用于电子器件和电子设备中。
一种金属纳米结构及其制作方法电子器件电子设备

[发明专利]树脂金属复合型弹性磨块及其制作模具和制作方法-CN201310486126.X有效
发明人：周华 -专利权人：广东奔朗新材料股份有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： B24D15/04 文献下载
摘要：一种树脂金属复合型弹性磨块及其制作模具和制作方法，包括磨料层、弹性层以及夹持头，磨料层及弹性层依次设置于夹持头上，磨料层及弹性层表面呈圆弧形结构，磨料层通过尼龙搭扣带（钩面）连接有若干的磨块，磨块为金属结合金刚石节块，其外周包裹有树脂材料；制作树脂金属复合型弹性磨块的模具分别包括制作上述金属结合金刚石节块的节块制作模具以及制作上述磨料层的磨料层制作模具；金属结合金刚石节块通过节块制作模具制作成型后放入隧道窑炉流水线烧结成型，再利用磨料层制作模具将金属结合金刚石节块制作出磨料层，最后采用强力极速胶水将磨料层、弹性层及夹持头粘接成一体。本发明磨块具有弹性仿形磨抛光，还内含金属结合金刚石节块，磨削寿命长，磨削效率高。
树脂金属复合型弹性及其制作模具制作方法

[发明专利]高出光率倒装结构LED的制作方法-CN201210548494.8有效
发明人：刘娜;谢海忠;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种高出光率倒装结构LED的制作方法，包括：在衬底上依次制作氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓电子注入层、多量子阱层、p型GaN空穴注入层、电流扩展层；用树脂将一临时基板与电流扩展层粘接；将衬底剥离；去掉临时基板，形成基片；对基片进行粗化处理；刻蚀，形成台面；在台面上制作N型金属电极，在电流扩展层上制作P型金属电极，形成芯片；在一基板上依次制作一绝缘层和电路层；在电路层上面的一侧植金属球，在另一侧植金属球，其分别与N型金属电极和P型金属电极对应；在暴露的电路层制作一层反光层；采用倒装焊或者键合的方法，将芯片上的N型金属电极和P型金属电极倒装在电路层上的金属球和金属球上，完成LED的制作。
高出光率倒装结构 led 制作方法

[发明专利]一种环柱电容结构及制作方法-CN201910705421.7有效
发明人：黄光伟;李立中;林伟铭;马跃辉;陈智广;吴淑芳;吴靖;庄永淳 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种环柱电容结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在半导体器件上制作绝缘区域；在绝缘区域的位置制作环形槽，环形槽的中心具有中心圆柱；在环形槽内制作第一金属层；在环形槽的第一金属层上制作覆盖第一金属层的第一介电层；在环形槽的第一介电层上制作第二金属层；在环形槽的第二金属层上制作覆盖第二金属层的第二介电层。
一种电容结构制作方法