[发明专利]阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201710338196.9 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN106971976B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 邓竹明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法，包括：制作阵列基板的第二金属层，第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成；在第二金属层上覆盖透明电极层。上述阵列基板制作方法及阵列基板，在阵列基板的第二金属层上直接制作透明电极层，通过第二金属层与透明电极层的直接接触实现导通，以减少现有技术中钝化层过孔的制作，从而减少一道黄光制程，以节省成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：制作阵列基板的第二金属层，所述第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成；在所述第二金属层上覆盖透明电极层，对所述透明电极层采用第二黄光工艺处理，所述第二黄光工艺处理所采用的第二掩膜板的图形包括对所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理时所采用的第一掩膜板的图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710338196.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的制造方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
