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[发明专利]一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片-CN202210541264.2在审
发明人：王森民;白胜清 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片，涉及半导体工艺技术领域。首先基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属，再将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在连接金属的侧壁形成保护层，其中，保护层用于抑制在焊接时焊接金属向连接金属扩散本申请提供的芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片具有焊接后性能更好的优点。
一种芯片制作方法连接方法以及

[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN202111141900.4有效
发明人：吴勐;郭昊鑫;杨旭;孙传帮;麻建国 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，所述二极管包括：衬底；制作于所述衬底一侧的外延层；制作于所述外延层一侧的P型保护环；制作于所述外延层一侧的氧化层，从器件边缘延伸到引线窗口边缘位置；制作于所述引线窗口一侧的势垒金属；制作于所述氧化层和势垒金属上的多层金属结构一，从P型保护环外侧向内侧覆盖；制作于所述多层金属结构一外侧的多层金属结构二，从多层金属结构一外层向内侧覆盖，中心区域露出多层金属结构一窗口；制作于所述多层金属结构二外侧钝化薄膜，从多层金属结构二外层向内覆盖，止于向内侧100um距离，本发明的肖特基二极管能够解决贴片烧结封装的肖特基二极管存在的PCT、金属迁移和焊料偏移导致的失效风险。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201410561454.6有效
发明人：吕信谊;王镇和 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其制作方法包括：首先提供一基底，且基底具有一介电层，然后形成一铝金属层于介电层上，形成一铂金属层于铝金属层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分铂金属层及部分铝金属层以形成一图案化的铂金属层，之后再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分由图案化的铂金属层所暴露出的铝金属层及部分介电层
半导体元件及其制作方法

[发明专利]电子器件、薄膜晶体管、以及阵列基板及其制作方法-CN201610365811.0有效
发明人：王美丽 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种电子器件及其制作方法、薄膜晶体管的制作方法、以及阵列基板及其制作方法。该电子器件的制作方法，包括在衬底基板上形成金属结构；在金属结构和衬底基板上形成无氧绝缘层；以及在无氧绝缘层上形成绝缘保护层。该电子器件的制作方法通过在金属结构上形成不含氧元素的无氧绝缘层，从而保护金属结构，防止金属结构被氧化。
电子器件薄膜晶体管以及阵列及其制作方法

[发明专利]一种蜂窝板材金属条封边挤压成型装置-CN202210075482.1有效
发明人：李敦明 -专利权人：艾博特镭射科技徐州有限公司
申请日： 2022-01-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B21C23/21 文献下载
摘要：本发明涉及一种蜂窝板材金属条封边挤压成型装置，通过设有的工作台、上料装置、挤压装置、成型装置和收集框协同完成金属封边条的成型工作。本发明提供的一种蜂窝板材金属条封边挤压成型装置，可以解决人工加工金属封边条时，先通过人工将金属封边条放置在成型模具之间，再通过人工按压成型模具将金属封边条挤压成型，最后再通过人工将成型后的金属封边条取下收集，人工制作金属封边条过程繁琐，制作效率低以及现有蜂窝板材制作设备在制作金属封边条时,先对金属封边条进行上料，再通过成型模具对其进行挤压成型，现有设备难以对金属封边条进行连续上料，使得金属封边条制作效率低等问题
一种蜂窝板材金属条封边挤压成型装置

[发明专利]金属硅化物纳米线及其制作方法-CN200510127904.1无效
发明人：顾长志;岳双林;罗强;金爱子 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属硅化物纳米线，具有的线宽最小为7纳米。该金属硅化物纳米线的制作方法，包括在单晶硅衬底上生长一层绝缘膜，利用纳米尺度的加工技术刻蚀出用于制作金属硅化物纳米线的沟槽，采用金属溅射和蒸镀方法，在制作有纳米沟槽的硅衬底2上，沉积金属膜层4，进行高温退火使金属与沟槽底部暴露的单晶硅反应，生成金属硅化物，再采用化学腐蚀方法，腐蚀掉表面未反应的金属，在纳米沟槽内制作出分立的金属硅化物纳米线。本发明的金属硅化物纳米线具有位置、形状和线宽可控的特点，所以制备的金属硅化物纳米线可以应用于集成电路作为金属互连线，源漏和栅电极，完全可以根据实际需要进行制作。
金属硅纳米及其制作方法

[发明专利]一种BN型离子门及其制作方法-CN201710375396.1在审
发明人：董璨;刘建鑫;赵龙 -专利权人：深圳市天和时代电子设备有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明公开一种BN型离子门及其制作方法。所述的BN型离子门的主体是由两片金属网以及中间的绝缘片组成。两片金属网的金属线交替平行排列，相邻金属线相互绝缘，形成平行平面。由本发明提供的BN型离子门，制作方法工艺简单，制作效率高，对制作人员要求不高，适合批量制作，制作出来的离子门，能够保证各金属丝平行等间距且张紧状态一致，达到离子门径向电场均匀、稳定的有益效果。
离子门制作金属网相邻金属线电场批量制作平行平面人员要求张紧状态金属丝金属线绝缘片绝缘离子平行保证

[发明专利]一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法-CN202210338723.7在审
发明人：何先良;魏鸿基;王浩 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成静电防护的HEMT结构及其制作方法，是在HEMT外延结构上形成ESD外延结构，其中ESD外延结构顶部具有附加层，通过蚀刻和隔离形成HEMT器件区域和ESD器件区域后，同步沉积金属于HEMT区域制作源极金属、漏极金属，于ESD区域制作第一电极；然后同步蚀刻附加层和HEMT外延结构的帽层形成开口，同步沉积金属于附加层的开口制作第二电极，于帽层的开口制作栅极金属。本发明减少了需要光刻制程的电极制作工序，降低产能占用，缩短生产周期。
一种集成静电防护 hemt 结构及其制作方法

[发明专利]石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法-CN201410593915.8在审
发明人：任正良;阚强;袁丽君;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法，包括如下步骤：在SOI片的顶层硅上制作硅波导；在制作完硅波导的SOI片上制作石墨烯选区光栅，形成基片；进行金属剥离，得到键合前的SOI部分；在一衬底上依次外延生长下分离限制层、有源区和上分离限制层，形成外延片；刻蚀脊形波导；蒸镀一层金属，金属剥离，得到光耦合窗口和金属电极；减薄衬底，制作背金属电极；利用选区金属键合，完成制作。
石墨增益耦合分布反馈式硅基混合激光器制作方法

[发明专利]一种利用电流变体实现材料投放控制的金属模具制作设备-CN202210661411.X在审
发明人：陈雯雯 -专利权人：陈雯雯
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B22C9/06 文献下载
摘要：本发明涉及金属模具制作技术领域，提供一种利用电流变体实现材料投放控制的金属模具制作设备，包括金属模具制作设备，调控架构，所述金属模具制作设备的中央活动连接有输送转轮，所述金属模具制作设备的中央通过输送转轮活动连接有中枢轴，所述金属模具制作设备的上下两侧均通过中枢轴活动连接有搅拌螺纹杆，该利用电流变体实现材料投放控制的金属模具制作设备，通过材料通入输出管的表面，则扭矩弹簧柱挤压挤压气囊移动，根据滑动摩擦力带动下压块挤压挤压块向下侧移动
一种利用电流变体实现材料投放控制金属模具制作设备

[发明专利]贵金属多级变径通道及其制作方法-CN202210323354.4有效
发明人：孙阳;罗蓉雪;石映奔;陈彧颋;皮江;陈鹏 -专利权人：成都光明派特贵金属有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明属于贵金属制品加工领域，具体公开了一种贵金属多级变径通道及其制作方法，旨在解决现有制作方法贵金属损耗较大，且制作的贵金属多级变径通道的同轴度精度等级不高的问题。该制作方法通过设计加工同轴度精度较高的通道模具，并下料制作锥台形筒结构的通道初坯，再利用通道模具和旋压工具将通道初坯旋压制作为通道精坯，最后制得所需的贵金属多级变径通道；整个过程，操作简便，仅有一条沿通道侧部边缘的焊缝，相较于现有制作方法形成的焊缝长度更短，焊缝更易打磨，且损耗贵金属更少；另外，通过有效控制旋压加工转速、下压距离、各工序尺寸等工艺参数，能够使制作的贵金属多级变径通道同轴度在±0.1mm范围内，并保证了通道壁厚的均匀性
贵金属多级通道及其制作方法

[发明专利]一种用于不规则金属工件的电镀工艺-CN202110901113.9在审
发明人：俞青青 -专利权人：湖州金久金属表面处理有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C25D5/34 文献下载
摘要：一种用于不规则金属工件的电镀工艺，其特征在于：包括以下步骤，除油步骤，利用除油装置对金属工件进行去油污，然后进行清洗以完成初级金属工件的制作；活化步骤，将所述初级金属工件放入活化槽内浸泡，然后进行水洗以完成活化金属工件的制作；电镀步骤，将所述活化金属工件进行电镀以完成电镀金属工件的制作；干燥步骤，对所述电镀金属工件进行钝化处理，然后进行水洗以及干燥处理以完成成品的制作；本发明可进一步提升对金属工件的前处理效果，进而达到提高金属工件电镀加工质量的效果
一种用于不规则金属工件电镀工艺

[发明专利]一种微波高频金属基电路板的制作方法-CN201010120357.5无效
发明人：施吉连 -专利权人：施吉连
申请日： 2010-03-09 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波高频金属基电路板的制作方法，它包括以下步骤：步骤一，进行光绘模板制作；步骤二，对开料、钻孔的制作；步骤三，对金属基覆铜板的组合板表面图形的制作；步骤四，电镀、蚀刻的制作；步骤五，成型制作本发明不但制作精度高，有效提高了产品质量和工作效率，而且制得的微波高频金属基电路板性能稳定。
一种微波高频金属电路板制作方法

[发明专利]一种无焊料双面镶嵌宝石首饰的制作工艺-CN201710303081.6有效
发明人：徐少云 -专利权人：徐少云
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： A44C27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无焊料双面镶嵌宝石首饰的制作工艺，包括以下步骤：雕刻首饰模型、打磨宝石、制作冲压模具、制作金属包片、焊接金属框架、清洗、抛光。本发明制作工艺简单、方便、易操作；将宝石镶嵌在两面开设镶嵌孔的中空金属框架内，宝石镶嵌稳定性高，不易脱落，并且通过内部镶嵌的宝石支撑了金属框架的整体架构，使得金属框架更为稳定，不易变形。
一种焊料双面镶嵌宝石首饰制作工艺

[发明专利]使用球透镜的光耦合系统装置及光耦合系统的制作方法-CN96112442.3无效
发明人：卢钟雄;金映周;安建俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1996-10-16 - 公布日： 2001-05-16 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：一种使用球透镜的光耦合系统装置及光耦合系统的制作方法。包括金属套、球透镜、以及对金属套和球透镜进行定位的罩。制作方法包括制作金属套的第一工序；将一根光导纤维插入金属套的中心部并固定的第二工序；对金属套的断面进行研磨的第三工序；制作经过抗反射涂层处理的球透镜的第四工序；计算移动距离D-d、并制作罩子的第五工序；将金属套固定在罩上的第六工序；将球透镜压入上述罩内、并固定的第七工序。
使用透镜耦合系统装置制作方法