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[发明专利]在用于集成电路(IC)的互连结构中形成自对准垂直互连通道(VIA)-CN201780018285.3有效
发明人： J·J·徐;J·J·朱;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了在用于集成电路(IC)的互连结构中形成自对准垂直互连通道(via)。为了减少或避免via与下垫互连金属线的未对准，使在互连结构中的制造的via与下垫互连金属线自对准。就此而言，在介电层中形成下垫金属线。在层间电介质的顶表面下方在下垫金属线中形成凹槽。停止层被布置在层间电介质上方并位于下垫金属线的凹槽内。该停止层允许在下垫金属线的凹槽内向下形成(例如，蚀刻)via通道，以使via通道与下垫金属线自对准。随后在延伸至凹槽中的via通道中沉积导电材料，以形成互连至下垫金属线的自对准via。
用于集成电路 ic 互连结构形成对准垂直通道 via

[发明专利]宽带低轮廓背腔集成天线-CN201110024227.6无效
发明人：罗国清;胡志方;郑治昌;孙玲玲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明包括介质基片、涂覆在介质基片上表面的环型的金属条带和完整涂覆在介质基片下表面的金属地层、多个电互连单元顺序排列构成的电互连阵列、馈电单元和辐射单元。金属条带、金属地层和电互连阵列围合成腔体结构。构成电互连阵列的任意两个相邻电互连单元之间的占空比大于1。电互连单元为贯穿金属条带、介质基片和金属地层的金属化通孔或金属柱。
宽带轮廓集成天线

[实用新型]一种宽带低轮廓背腔集成天线-CN201120020321.X无效
发明人：罗国清;胡志方;郑治昌;孙玲玲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型包括介质基片、涂覆在介质基片上表面的环型的金属条带和完整涂覆在介质基片下表面的金属地层、多个电互连单元顺序排列构成的电互连阵列、馈电单元和辐射单元。金属条带、金属地层和电互连阵列围合成腔体结构。构成电互连阵列的任意两个相邻电互连单元之间的占空比大于1。电互连单元为贯穿金属条带、介质基片和金属地层的金属化通孔或金属柱。
一种宽带轮廓集成天线

[发明专利]一种自对准混合键合结构及其制作方法-CN201810808996.7有效
发明人：葛星晨 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准混合键合结构，包括具有梯形金属结构的自对准结构Ⅰ和具有倒梯形凹槽Ⅲ的自对准结构Ⅱ；所述自对准结构Ⅰ包括金属互连结构Ⅰ、位于金属互连结构Ⅰ上方的介质层以及梯形金属结构，自对准结构Ⅰ中的介质层包括位于金属互连层上方的凹槽Ⅰ，所述梯形金属结构位于所述凹槽的上方；所述自对准结构Ⅱ包括金属互连结构Ⅱ以及位于金属互连结构Ⅱ上的介质层，自对准结构Ⅱ中的介质层包括位于金属互连层上方的倒梯形凹槽Ⅲ，所述倒梯形凹槽Ⅲ贯穿上述介质层，且侧壁和底部依次沉积扩散阻挡层和金属层
一种对准混合结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110574709.2在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；介电层，位于基底上；多根金属互连线，位于介电层中，包括下层子互连线和上层子互连线，下层子互连线位于部分厚度的介电层中，上层子互连线位于下层子互连线顶部的剩余厚度的介电层中，下层子互连线和上层子互连线均沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，沿第一方向，在相邻金属互连线的断开位置处，下层子互连线和上层子互连线相邻设置。本发明下层子互连线与上层子互连线在基底表面的法线方向上位于不同高度位置处，因此，有利于减小工艺对金属互连线的头对头间距的限制，从而在确保工艺可靠性的同时，缩小金属互连线头对头的间距。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于单向M1的多高度顺序单元中的交叉耦合的时钟信号分发布局-CN201680029651.0有效
发明人： M·古普塔;陈向东;权武尚 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：MOS器件包括第一、第二、第三和第四互连。第一互连(402)在第一方向上在第一轨道上延伸。第一互连被配置在金属层中。第二互连(404)在第一方向上在第一轨道上延伸。第二互连被配置在金属层中。第三互连(408)在第一方向上在第二轨道上延伸。第三互连被配置在金属层中。第二轨道平行于第一轨道。第三互连耦合到第二互连。第二和第三互连(404，408)被配置为提供第一信号(Clk)。第四互连(410)在第一方向上在第二轨道上延伸。第四互连被配置在金属层中。第四互连耦合到第一互连。第一和第四互连(402，410)被配置为提供不同于第一信号的第二信号(Clk)。
用于单向 m1 高度顺序单元中的交叉耦合时钟信号分发布局

[发明专利]一种金属互连结构的制备工艺-CN201711208507.6在审
发明人：毛晓明;高晶;叶伟;耿静静;胡小龙;苏林 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构的制备工艺，包括以下步骤在层间介质层的表面依次沉积牺牲层、钝化层和光刻层；进行光刻以去除待刻蚀位置的光刻层，形成光刻沟道；进行刻蚀以形成金属互连层沟道，并随后去除光刻层；在金属互连层沟道先沉积一层金属籽晶层；沉积金属互连层以充满沟道；平坦化所述金属互连层，并露出牺牲层；去除牺牲层以形成空气隙(Air Gap)沉积阻挡层以覆盖金属互连层和空气隙。
一种金属互连结构制备工艺

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN201410239105.2有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属层；在所述金属层上形成介质层；在所述介质层中形成接触孔，所述接触孔的底部暴露所述金属层；对所述接触孔的侧壁进行修复处理，所述修复处理采用的温度范围为70℃～400℃；采用金属材料填充所述接触孔。所述形成方法形成的金属互连结构性能更好，降低金属互连结构的RC延迟，并且显著改善金属互连结构的电迁移问题。
金属互连结构形成方法

[实用新型]互连衬底-CN202320444895.2有效
发明人： F·拉波特;J·洛佩 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及互连衬底。一种互连衬底包括由至少一个电互连孔穿过的热机械支撑件。第一互连网络在热机械支撑件的第一表面上形成，并且第二互连网络在热机械支撑件的第二表面上形成。每个互连网络包括由至少一个金属轨道形成的互连级，至少一个金属过孔从该至少一个金属轨道延伸。至少一个金属轨道和至少一个金属过孔被嵌入绝缘体层中，使得至少一个金属过孔与绝缘体层的距离热机械支撑件最远的表面齐平。至少一个金属轨道从最后一个互连级的绝缘体层突出。金属过孔被配置为将两个相邻级电耦合在一起和/或将最后一级与至少一个突出金属轨道电耦合在一起。降低衬底变形和/或断裂的风险，同时在过孔、金属轨道等方面具有更大的灵活性。
互连衬底

[发明专利]具有再分布层中断的芯片级封装-CN202080094748.6在审
发明人： V·S·斯里达兰;E·通杰尔;C·D·马纳克;P·F·汤普森 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种半导体装置(150)，其包含具有电路系统(180)的半导体表面以及在所述半导体表面上方的金属互连层(122)，所述金属互连层(122)包含提供具有第一及第二端(171a、171b)的互连迹线(171)的选定金属互连层。顶部电介质层(119)在顶部金属互连层上。再分布层(RDL)(123)在所述顶部电介质层上。包含所述互连迹线的腐蚀中断结构(CIS)(170)桥接所述RDL的迹线中的中断间隙(123b)。
具有再分中断芯片级封装

[发明专利]半导体器件中的热管理结构及其制造方法-CN202210631065.0在审
发明人： C·帕瓦申;姜磊;C·朗登;D·潘图索;E·拉玛亚;J·希克斯;M·科克艾克尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种器件结构包括第一互连层、第二互连层、包括多个器件的器件层，其中器件层在第一互连层和第二互连层之间。所述器件结构还包括与第二互连层相邻的电介质层，其中电介质层包括金属掺杂剂或多个金属结构中的一者或多者，其中多个金属结构与互连结构电隔离但是与第二互连层的电介质材料接触，并且其中，多个金属结构中的各个金属结构在包括多个器件中的至少一些器件的区域上方
半导体器件中的管理结构及其制造方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN202210942510.5在审
发明人：何彩蓉;施伯铮;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文公开了互连结构及其制造方法。示例性方法包括：在第一层间电介质(ILD)层中形成第一互连开口，该第一互连开口暴露下面的导电特征(例如，源极/漏极、栅极、接触件、过孔或导线)。该方法包括在第一互连开口中形成第一金属接触件之前，对由第一ILD层形成的第一互连开口的侧壁进行氮化。该氮化将第一ILD层的一部分转化为含氮壳。第一金属接触件可以包括金属插塞和金属插塞与第一ILD层的含氮壳之间的电介质间隔件。该方法可以包括在第二ILD层中形成暴露第一金属接触件的第二互连开口以及在第二互连开口中形成第二金属接触件。
互连结构及其制造方法

[发明专利]用导电胶作为信号返回平面的转接板结构及制备方法-CN201310038716.6有效
发明人：任晓黎;于大全;王志 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种用导电胶作为信号返回平面的转接板结构，包括衬底，贯穿衬底的通孔，在衬底的正面和/或背面形成绝缘介质层，金属互连结构分布在绝缘介质层中，金属互连结构包括至少一层水平方向的互连结构，金属互连结构与通孔内的导电材料连接,在绝缘介质层中设置至少一层导电胶层，导电胶层上设置有一次过孔，供金属互联结构穿过导电胶层并且与导电胶层不接触；导电胶层与金属互连结构的水平方向的互连结构不同层；导电胶层与金属互连结构电绝缘。
导电作为信号返回平面转接板结制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111239904.6在审
发明人：刘洋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；第一介质层，位于所述基底上，所述第一介质层包括第一互连孔；第一阻挡层，覆盖所述第一互连孔的内壁和底部；第一金属层，位于所述第一互连孔内；第二阻挡层，覆盖第一金属层的顶部表面的边缘区域；第二介质层，位于所述第一介质层上，所述第二介质层包括第二互连孔，第二互连孔暴露出所述第一金属层部分顶部表面，且所述第二互连孔底部的尺寸小于所述第一互连孔顶部的尺寸；第三阻挡层，覆盖所述第二互连孔的侧壁，且所述第三阻挡层与所述第二阻挡层接触；第二金属层，位于所述第二互连孔内，且所述第二金属层与所述第一金属层直接接触。所述半导体结构的金属层之间的接触电阻减小。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]无孔隙金属互连结构及其形成方法-CN200410055814.1有效
发明人：安正勋;李孝钟;李京泰;李敬雨;李守根;徐锋锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。
孔隙金属互连结构及其形成方法