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[发明专利]用于先进互连应用的混合铜结构-CN201410768913.8有效
发明人：刘相玮;杨岱宜;庄正吉;林天禄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及形成BEOL金属化层的方法和相关联的装置，该方法使用不同的导电材料(例如，金属)来填充层间介电层中的不同尺寸的开口。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片，集成芯片具有设置在第一BEOL金属化层内并且包括第一导电材料的第一多个金属互连结构。集成芯片还具有在第一BEOL金属化层内的与第一多个金属互连结构横向分离的位置处设置的第二多个金属互连结构。第二多个金属互连结构具有与第一导电材料不同的第二导电材料。通过使用不同的导电材料在同一BEOL金属化层内形成不同的金属互连结构，可以缓解窄BEOL金属互连结构中的间隙填充问题，从而提高集成芯片的可靠性。
金属互连结构导电材料集成芯片金属化层方法使用横向分离间隙填充混合铜介电层填充层位置处互连开口关联金属缓解应用

[实用新型]半导体器件的互连线结构-CN201721602036.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件的互连线结构，介质层具有一凹槽，凹槽的侧壁和底壁之间的空隙夹角大于等于90°，金属互连线填充在凹槽中，金属互连线无空隙方式填满空隙夹角，避免了所形成的金属互连线侧处存在一定空洞的问题，提高了所形成的金属互连线及半导体器件的可靠性。
金属互连线半导体器件互连线结构本实用新型方式填满介质层无空隙侧壁底壁填充空洞

[发明专利]一种用于图像传感器的结构的制造方法-CN201310747025.3有效
发明人：顾学强;周伟;陈力山 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于图像传感器的结构的制造方法，其包括在衬底上形成多个像素单元的光电二极管、MOS晶体管和悬浮漏极；形成接触孔和第一层金属互连线，所述第一层金属互连线包括通过所述接触孔与所述MOS晶体管和所述悬浮漏极电连接的部分；可选择地形成第一通孔及第二层金属互连线，其中所述第二层金属互连线未和所述第一层金属互连线与所述悬浮漏极电连接的部分相连；以及形成第二通孔及第三层金属互连线，其中所述第二通孔位于所述第一层金属互连线与所述悬浮漏极电连接的部分的正上方，所述第三层金属互连线通过所述第二通孔与所述第二通孔下方的金属互连线电连接。
一种用于图像传感器结构制造方法

[发明专利]包括金属互连和金属电阻器的半导体器件及其制造方法-CN200410059562.X无效
发明人：郑武京;李京泰;安正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括金属互连和金属电阻器的半导体器件及其制造方法，使得金属电阻器可靠地电连接于金属互连。该制造方法包括步骤：在绝缘层中形成铜的下部互连，在绝缘层上形成帽盖层以覆盖并保护下部互连，在帽盖层中形成窗口以选择性地露出下部互连的上表面，并在帽盖层上形成通过窗口与下部互连的上表面接触的金属电阻器。可选择地，可以在电接触形成后在绝缘层上形成金属电阻器。
包括金属互连电阻器半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于高性能互连的可变节距和堆叠高度-CN202010342088.0在审
发明人：刘恩劭;J.朴;李呈光;W.M.哈菲斯;简嘉宏;J.徐 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及用于高性能互连的可变节距和堆叠高度。一种集成电路结构包括基部和在基部之上的多个金属级。第一金属级包括第一电介质材料。第一金属级还包括在第一电介质材料中的第一多个互连线，其中第一金属级中的第一多个互连线具有从相对较窄到相对较宽的可变宽度，并且其中第一多个互连线基于可变宽度而具有可变高度，使得第一多个互连线中的相对较宽的互连线具有比第一多个互连线中的相对较窄的互连线更高的距基板高度，并且具有更短的距第一金属级顶部的距离。
用于性能互连变节堆叠高度

[发明专利]金属互连结构的形成方法、金属互连结构及半导体器件-CN202211729832.8在审
发明人：刘文俊;颜天才;杨列勇 -专利权人：青岛物元技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及一种金属互连结构的形成方法、金属互连结构及半导体器件，其中，该形成方法包括：提供一层间介质层，用于形成所需金属互连结构；在所述层间介质层蚀刻形成金属互连所需的沟槽和通孔；在所述通孔内至少部分地沉积填充钨，形成无阻挡层的钨塞；沿所述沟槽内壁及所述钨塞的顶面在所述沟槽内依次沉积阻挡层、内里层；沿所述内里层内壁沉积填充铜，形成铜互连导线，所述铜互连导线与所述钨塞形成金属互连结构。通过本申请，以至少实现低阻值的后段互连导线，降低填洞难度，解决填洞不良或空泡缺陷等问题。
金属互连结构形成方法半导体器件

[发明专利]一种扇出封装结构及其形成方法-CN202210736031.8在审
发明人：徐成;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种扇出封装结构，包括：金属互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个所述金属重布线层之间电连接；金属层，其布置在所述金属互连结构的侧面，且与最上层的金属重布线层连接；第二绝缘层，其位于所述金属互连结构的正面；凸点下金属化层，其与所述金属重布线层电连接；芯片，其布置在所述凸点下金属化层上；底填胶，其布置在芯片与第二绝缘层之间；塑封层，其将金属互连结构至芯片塑封；以及焊球，其布置在金属互连结构的背面和所述金属层上。
一种封装结构及其形成方法

[发明专利]半导体互连结构及形成方法-CN201110454104.6有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体互连结构及形成方法，所述半导体互连结构包括：金属互连层，所述金属互连层包括金属层和与所述金属层边缘相连接的第一金属突出部；位于所述第一金属突出部表面的导电插塞，其中，所述导电插塞到第一金属突出部的端点的距离大于最小设计尺寸当半导体互连结构从较高的制造工艺温度降低到室温时，所述导电插塞到第一金属突出部的端点对应的部分第一金属突出部和所述导电插塞到金属层边缘对应的部分第一金属突出部都会发生收缩，产生的应力相互抵消，使得导电插塞和金属突出部的位置不会发生相对错位，所述导电插塞和金属突出部相接触的位置不会产生空洞。
半导体互连结构形成方法

[发明专利]互连衬底和制造这种衬底的方法-CN202310226859.3在审
发明人： F·拉波特;J·洛佩 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及互连衬底和制造这种衬底的方法。一种互连衬底包括由至少一个电互连孔穿过的热机械支撑件。第一互连网络在热机械支撑件的第一表面上形成，并且第二互连网络在热机械支撑件的第二表面上形成。每个互连网络包括由至少一个金属轨道形成的互连级，至少一个金属过孔从该至少一个金属轨道延伸。至少一个金属轨道和至少一个金属过孔被嵌入绝缘体层中，使得至少一个金属过孔与绝缘体层的距离热机械支撑件最远的表面齐平。至少一个金属轨道从最后一个互连级的绝缘体层突出。金属过孔被配置为将两个相邻级电耦合在一起和/或将最后一级与至少一个突出金属轨道电耦合在一起。
互连衬底制造这种方法

[发明专利]铜互连结构的制造方法-CN202310948928.1在审
发明人：何亚川;郭振强;黄鹏;姜慧琴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连结构的制造方法。所述铜互连结构的制造方法包括以下步骤：提供半导体互连介质结构，所述互连介质结构中形成互连线槽，所述互连线槽从所述互连介质结构的上表面向下延伸；在所述互连线槽中形成衬垫层；向带有所述衬垫层的互连线槽中沉积金属铜；通过化学机械研磨工艺平坦化所述金属铜的表层；向平坦化后的金属铜表面轰击还原性气体等离子体，去除位于平坦化后金属铜表面的氧化铜；在所述半导体互连介质结构上形成上层层间介质层。本申请能够去除金属铜表面的氧化铜，避免铜离子扩散进入介质层中，影响器件的TDDB性能。
互连结构制造方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置-CN202080016808.2在审
发明人：周雪梅;徐泽;肖琳 -专利权人：深圳市大疆创新科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器(100)，包括：半导体衬底(110)、像素阵列(120)、金属互连区(130)和光学组件(150)，像素阵列(120)包括光敏元件(121)，金属互连区(130)包括介质(131)和介质(131)中平行设置的多个金属互连层(132)；其中，金属互连区(130)中形成有金属‑介质‑金属电容(160)，以将光反射向光敏元件(121)。
图像传感器及其制作方法搭载成像装置

[发明专利]一种高可靠IGBT模块芯片互连方法-CN202111188897.1在审
发明人：孙晓峰;彭聪辉;陈滔;飞景明;向语嫣;李松玲;唐林江;陈雅容;张彬彬 -专利权人：北京卫星制造厂有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片微组装技术领域的一种高可靠IGBT模块芯片互连方法，包括：a、在IGBT模块的互连区域设计加工相适配的金属片状互连单元，对所述金属片状互连单元的焊接部分做搪锡处理，并进行清洗；b、根据所述互连区域的尺寸裁剪焊料片、压平，并做等离子清洗处理；c、将所述金属片状互连单元、所述焊料片和所述互连区域依次对准并固定；d、采用焊接设备将所述金属片状互连单元将所述互连区域相连。本发明克服IGBT模块中IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间通过粗铝丝键合互连方式的不足，以满足IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间的高可靠连接。
一种可靠 igbt 模块芯片互连方法

[发明专利]用于制造电路板的方法-CN200610146352.3无效
发明人：高野宪治;柴田宗量;荒井和也;金井淳一;杉本薫 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种用于制造电路板的方法，包括以下步骤：通过光蚀刻法将三层金属叠层件的第三金属层蚀刻成预定互连图案；通过积层法在该预定互连图案上形成叠层体，该叠层体包括多个互连图案，所述多个互连图案之间设有绝缘层，所述多个互连图案彼此电连接；将该第一金属层与该支承基板分开以剥离该叠层体；将该第二金属层作为阻隔层，通过蚀刻除去该三层金属叠层件的第一金属层；以及通过蚀刻除去所露出的第二金属层。
用于制造电路板方法

[发明专利]一种硅通孔结构及其制备方法-CN202011327453.7有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔结构及其制备方法，所述硅通孔结构包括：衬底结构；通孔结构，所述通孔结构贯穿所述衬底结构上下两端；沟槽结构，所述沟槽结构设置在所述通孔结构内壁；金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述沟槽结构内壁；其中，所述金属互连结构上下两端分别设置有顶部金属接触层和底部金属接触层，所述顶部金属接触层和底部金属接触层均与所述金属互连结构电连接，本发明的硅通孔结构不仅能够实现芯片之间的上下互连，而且具有良好的散热效果
一种硅通孔结构及其制备方法

[发明专利]金属互连结构的制造方法-CN200810204555.2有效
发明人：蔡明;赵简 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属互连结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有金属间介质层、金属间介质层中的双镶嵌开口、覆盖于所述金属间介质层上的阻挡层和阻挡层上的金属层，所述金属层填充于双镶嵌开口中；平坦化所述金属间介质层的表面以形成金属互连层；在所述金属互连层上形成第一刻蚀停止层；通过平坦化工艺去除所述第一刻蚀停止层；在通过平坦化工艺去除所述第一刻蚀停止层之后的金属互连层上形成第二刻蚀停止层、第二刻蚀停止层之上的钝化层、以及镶嵌在所述钝化层中的焊垫层，所述焊垫层位于所述金属互连层之上。所述方法能够避免由金属互连层的金属突起而引起的电路连接缺陷，提高半导体器件的可靠性。
金属互连结构制造方法

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