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[发明专利]具有金属垂直互连结构的转接板及其制作方法-CN201110362333.5有效
发明人：于大全;戴风伟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属垂直互连结构的转接板及其制作方法，该转接板包括基板、钝化层、金属凸点结构和金属互连线，其中钝化层形成在该基板的下表面，金属凸点结构成在该钝化层的下表面。金属凸点结构包括一个焊盘和一个金属凸点，焊盘埋于钝化层的内部，在焊盘的下表面上形成该金属凸点，金属凸点的一部分埋于钝化层的内部，另一部分露出于钝化层的下表面；金属互连线从基板的上表面延伸到下表面，贯穿整个基板，并穿过钝化层和焊盘，直至金属凸点的内部，以便所述金属凸点通过该金属互连线与基板上方的器件进行电性互连。本发明的工艺简单，成本低，具有非常高的制孔良率，从而解决了金属垂直互连结构填孔成本高和工艺复杂等问题。
具有金属垂直互连结构转接及其制作方法

[发明专利]用于体内使用的电子和光电设备的柔性的气密性电互连件-CN201680073255.8有效
发明人： M·A·齐尔克;M·F·马特斯 -专利权人：爱尔康公司
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： A61F2/16 文献下载
摘要：一种电子设备，所述电子设备可以包括：第一电子模块；第二电子模块；以及用于对它们进行气密性耦合的气密性电互连件。所述气密性电互连件可以包括：底部金属层；底部绝缘层，所述底部绝缘层沉积在所述底部金属层上以使所述底部金属层绝缘；互连金属层，所述互连金属层沉积在底部绝缘层上并且沉积以形成底部密封环；并且所述互连金属层被图案化以形成接触垫之间的电气连接件并形成中间密封环；图案化的顶部绝缘层，所述图案化的顶部绝缘层沉积在所述互连金属层上以使所述互连金属层绝缘；并且所述图案化的顶部绝缘层被图案化以形成馈通孔；以及顶部金属层，所述顶部金属层沉积在所述顶部绝缘层上以通过填充所述馈通孔而开始形成触点；并且所述顶部金属层被图案化以通过所述馈通孔完成触点的形成、形成单独的阻挡层、并且完成所述顶部密封环的形成。
用于体内使用电子光电设备柔性气密性互连

[发明专利]半导体器件的形成方法、MIM电容的形成方法-CN201310261434.2有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体器件的形成方法包括提供基底；在基底上形成包括第一金属互连层和第二金属互连层的第一层间介质层；在第一层间介质层、第一金属互连层和第二金属互连层上形成包括第一金属插塞和第二金属插塞的第二层间介质层；在第二层间介质层、第一金属插塞和第二金属插塞上形成第一导电材料层；在第一金属互连层上方的第一导电材料层上形成电容介电层；在电容介电层和第一导电材料层上形成第二导电材料层；对位于第一金属互连层和第二金属互连层之间第一层间介质层上方的第二导电材料层和第一导电材料层进行刻蚀
半导体器件形成方法 mim 电容

[发明专利]功率芯片互连结构及其互连方法-CN201410615601.3有效
发明人：王腾;郑静;常永嘉;董晓伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构及其互连方法，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带的焊接互联本发明采用梯度焊接的方式进行互联，可以在实现混合集成电路的功率芯片低功耗互连的同时，采用铜结构互连提高了互连可靠性，且结构简单，组装容易。 1
功率芯片互连焊接互连结构混合集成电路过渡金属铜带互联互连可靠性低功耗金属片铜结构铜框架基板三维组装

[发明专利]晶圆键合结构以及晶圆键合结构的制作方法-CN201910428133.1在审
发明人：沈新林;王海宽;洪波;郭松辉;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述晶圆键合结构包括：第一晶圆；第一介质层，位于所述第一晶圆上；金属互连结构，位于所述第一介质层中，且所述金属互连结构被分隔成至少两个局部连通的子金属互连结构。所述的晶圆键合结构以及形成方法，将所述金属互连结构的表面分隔为至少两个局部连通的子金属互连结构，不仅实现了个子金属互连结构之间的电连接，还减小了进行键合时键合面的表面积，提高了晶圆之间的电连接质量。
金属互连结构晶圆键合晶圆局部连通电连接介质层分隔减小键合圆键种晶制作申请

[发明专利]互连结构的形成方法-CN201310299375.8有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构的形成方法，包括提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层；在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述半导体基底表面；在所述开口内形成填充满开口的金属层，所述金属层表面与介质层顶部平齐；向所述金属层和介质层表面通入含甲基的锗烷气体，对金属层表面进行锗化处理，形成金属帽层；在所述金属帽层和所述介质层表面形成介质帽层。本发明提供的互连结构的形成方法，在提高互连结构抗电迁移能力的同时，能有效减少互连结构介质层受到的损伤，减小互连结构的RC延迟，提高互连结构的可靠性。
互连结构形成方法

[发明专利]利用牺牲材料的半导体构造的制造方法-CN200910006730.1有效
发明人：耶海尔·哥特基斯;戴维·魏;罗德尼·基斯特勒 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2002-03-26 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：形成复数个晶体管结构于基板上；形成复数个交互连接金属化结构于复数个阶层中，复数个交互连接金属化结构的形成包括沉积牺牲层、进行双重镶嵌工艺以蚀刻复数个渠沟与复数个通孔，及填满且平坦化复数个渠沟与复数个通孔；对复数个交互连接金属化结构的复数个阶层从头到尾地蚀刻掉牺牲层，该蚀刻留下空隙的交互连接金属化结构；以及藉着低K介电材料填满空隙的交互连接金属化结构，该填满用以界定低K介电质的交互连接金属化结构。
利用牺牲材料半导体构造制造方法

[发明专利]图像传感器的制造方法-CN200910262538.9无效
发明人：郑冲耕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种方法可以包括如下步骤：在电路区上和/或上方形成金属互连层，该金属互连层可包括位于层间电介质层上和/或上方的金属互连件；在像素区的金属互连层上方形成沟槽；在包括沟槽的金属互连层上和/或上方执行清洗工艺；以及在金属互连层的沟槽的底面上和/或上方形成微透镜。
图像传感器制造方法

[发明专利]金属互连，制造金属互连的方法，半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201811167057.5在审
发明人： I.埃舍尔-珀佩尔;K.霍赛尼;J.洛德迈尔;J.马勒;T.迈尔;G.迈尔-贝格;I.尼基廷;R.普法尔;E.里德尔;K.施密特;M.施内甘斯;P.施瓦茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：公开了金属互连，制造金属互连的方法，半导体装置和制造半导体装置的方法。一种金属互连和包括该金属互连的半导体装置，其中制造半导体装置的方法可以包括：提供包括第一金属层的第一结构，第一金属层具有突出的第一微结构；提供包括第二金属层的第二结构，第二金属层具有突出的第二微结构；使第一微结构和第二微结构接触以在各结构之间形成机械连接，其中机械连接被配置为允许流体穿透；利用穿透机械连接并且与一种或多种非金属化合物反应的还原剂来去除在第一金属层和第二金属层上的一种或多种非金属化合物；以及在引起第一金属层和第二金属层相互扩散的温度下加热第一金属层和第二金属层，以在各结构之间形成金属互连。
金属互连半导体装置第二金属层第一金属层微结构机械连接制造非金属化合物穿透还原剂流体加热去除扩散配置

[发明专利]晶圆接受测试结构及其测试方法-CN202211682699.5在审
发明人：姚业旺;黄灿阳;彭雄;田野 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆接受测试结构及其测试方法，该晶圆接受测试结构包括基底和金属互连层，其中，金属互连层设置于基底上，金属互连层包括至少两个由下至上依次层叠设置的金属互连结构，金属互连结构包括介质层、连接插塞和金属层，连接插塞位于介质层内且贯穿介质层，金属层位于介质层上，金属层包括间隔设置的第一金属结构、第二金属结构和第三金属结构，连接插塞包括第一子连接插塞和第二子连接插塞，第一金属结构与第一子连接插塞连接，第三金属结构与第二子连接插塞连接，第二金属结构与第一金属结构或第三金属结构连接，两个相邻的第二金属结构之间断路。
接受测试结构及其方法

[发明专利]互连结构的设计方法、装置及制造方法-CN201711316382.9有效
发明人：卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种互连结构的设计方法、装置及制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：根据芯片设计图的电路区域中金属互连层的数量设计n种虚拟互连单元，第i种虚拟互连单元包括i层金属互连层，第j种虚拟互连单元中相邻的金属互连层通过通孔连接，其中，n≥2，1≤i≤n，2≤j≤n；在芯片设计图中除电路区域之外的区域中填充虚拟互连单元，其中，优先填充第j种虚拟互连单元，在所述区域中没有空间用于填充第j种虚拟互连单元的情况下，才填充第j‑1种虚拟互连单元。
互连结构设计方法装置制造

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201610620762.0有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；在所述衬底上的第一电介质层；和在所述衬底上贯穿所述第一电介质层的金属互连线；去除金属互连线两侧的第一电介质层以形成凹陷；在金属互连线暴露的表面上形成石墨烯层本发明能够阻挡金属互连线中的金属向电介质层扩散。
互连结构及其制造方法

[发明专利]金属化叠层及其制造方法及包括金属化叠层的电子设备-CN201911254611.8有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种金属化叠层及其制造方法及包括这种金属化叠层的电子设备。根据实施例，金属化叠层可以包括在衬底上交替设置的至少一个互连线层和至少一个过孔层。金属化叠层中至少一对相邻的互连线层和过孔层包括互连线层中的互连线以及过孔层中的过孔。互连线层比过孔层更靠近衬底。互连线的至少一部分上的过孔的外周侧壁不超出互连线的所述至少一部分的外周侧壁。
金属化及其制造方法包括电子设备

[发明专利]具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置-CN201811215891.7在审
发明人：崔珉准;权杜原;金宽植;宋泰荣;尹惺铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：公开了一种具有在金属互连下形成绝缘层的结构的半导体装置。所述半导体装置包括形成在衬底上的通孔插塞和形成在通孔插塞的一端处的用于互连的金属层，其中绝缘结构位于用于互连的金属层下方，并且绝缘结构根据与用于互连的金属层的位置关系具有不同的分层结构。
半导体装置金属层互连绝缘层金属互连绝缘结构插塞通孔分层结构衬底

[发明专利]互连结构及互连结构的制造方法-CN201710374681.1有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构及其制造方法，在金属互连结构表面上的非金属化合物层和未掺杂的第二金属化合物层之间增加一掺杂的第一金属化合物层，例如掺硅的氮化铝层，以此增强非金属化合物层和未掺杂的金属化合物层之间粘附力，进而阻挡互连结构中的金属扩散现象，避免在形成所述各个层的过程中出现位于所述金属互连结构层顶部的小丘状凸起，获得较低的线电阻和良好的电迁移性能，提高互连结构的可靠性，进而提高整个集成电路可靠性。
互连结构制造方法