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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通孔填充结构以及通孔填充方法-CN201310524371.5在审
发明人：康晓春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通孔填充结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中具有通孔；钨层，所述钨层位于所述半导体基底上，并覆盖所述通孔；阻挡层，所述阻挡层位于所述钨层上，并覆盖所述通孔；金属层，所述金属层位于所述阻挡层上，并填充所述通孔。本发明还提供一种通孔填充方法。由于所述钨层的填隙能力较强，在所述钨层上制备所述阻挡层时，较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述通孔，并且所述阻挡层的厚度均匀；当在所述阻挡层上再制备金属层时，所述金属层能很好的填充到所述通孔中；另外，所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力，并且所述阻挡层较薄，有利于提高通孔的导电能力。
填充结构以及方法

[发明专利]通孔填充方法及通孔填充装置-CN202210319015.9在审
发明人：陈蓉;李易诚;曹坤;单斌;张净铭;严谨;齐子廉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种通孔填充方法及通孔填充装置，该通孔填充方法包括以下步骤：在基体上刻蚀通孔，通孔的底壁为第一表面，通孔的侧壁为第二表面；使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层；使用CVD工艺将第二前驱体导向所述通孔内以形成第二填充层。上述通孔填充方法中，采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充通孔，能同时兼顾填充质量和填充效率，能更好地满足通孔尤其是高深宽比的通孔的填充需要。
填充方法装置

[发明专利]填充通孔-CN201510657197.0在审
发明人： N·嘉雅拉朱;L·R·巴尔斯特;E·H·法赫德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：包括正向脉冲但无反向脉冲的脉冲镀覆方法在铜电镀如印刷电路板的衬底中的通孔期间抑制或减少凹陷和空隙。所述脉冲镀覆方法可用以用铜填充通孔，其中所述通孔涂布有非电镀铜或闪镀铜。
填充

[发明专利]通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法-CN200710044634.7有效
发明人：靳永刚;毛剑宏;王孝远 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-05 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔填充方法，包括，提供表面具有通孔的衬底，在所述衬底表面形成干膜，对所述干膜曝光、显影形成干膜开口，在所述干膜开口处对所述通孔进行填充。本发明还公开了一种通孔填充结构以及通孔制作方法。本发明通孔填充方法、通孔填充结构及通孔制作方法由于解决了现有技术光刻胶填入高深宽比的通孔困难以及曝光能量消耗较大的问题，从而通孔填充的效率得到了提高。
填充方法结构制作方法

[发明专利]通孔填充方法-CN201310661878.5在审
发明人：刘超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通孔填充方法，包括提供前端结构，所述前端结构中形成有通孔；按照第一比例通入第一气体与第二气体进行第一次反应；通入缓冲气体；按照第二比例通入第一气体与第二气体进行第二次反应，以形成金属膜。通过在进行第一次反应和第二次反应之间，通入缓冲气体，能够防止在第二次反应时，反应气体对第一次反应所形成的膜层造成损坏，确保填充的质量，提升了良率。
填充方法

[发明专利]通孔填充方法-CN03122606.X无效
发明人：土田秀树;日下大 -专利权人：希普雷公司
申请日： 2003-01-15 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种通孔填充方法，其中在薄镀后，施加1－50毫秒的正向电解时间和0.2－5毫秒的反向电解时间为一个周期的PPR电流，直到表示正向电解电流密度与反向电解电流密度的比值的F/R比值为至少1/0.2
填充方法

[发明专利]硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法-CN201310438705.7有效
发明人：李广宁;沈哲敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法。所述硅通孔填充结构包括：半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔；第一金属层，填充在所述硅通孔内；塑性材料层，位于所述第一金属层的侧壁上；第二金属层，填充于塑性材料层内。本发明提供的硅通孔填充结构以及硅通孔的填充方法中，通过设置具有塑性变形能力的塑性材料层，从而可以同时吸收第一金属层和第二金属层的应力，以在保证硅通孔导电能力的同时，提高硅通孔中第一金属层与半导体衬底的粘附性
硅通孔填充结构以及方法

[发明专利]填充通孔的方法-CN201410200948.1在审
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种填充通孔的方法。在为基板，例如印刷电路板中的具有通闪镀铜层的孔进行铜电镀的过程中，所述方法抑制或减少了凹陷或孔隙将包含二硫化物化合物的酸溶液施加到基板中的通孔，随后采用包含添加剂，如光亮剂和流平剂的酸性铜电镀浴，用铜填充通孔
填充方法

[发明专利]填充通孔的方法-CN201910388584.7在审
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种填充通孔的方法。在为基板，例如印刷电路板中的具有通闪镀铜层的孔进行铜电镀的过程中，所述方法抑制或减少了凹陷或孔隙将包含二硫化物化合物的酸溶液施加到基板中的通孔，随后采用包含添加剂，如光亮剂和流平剂的酸性铜电镀浴，用铜填充通孔
通孔铜电镀基板填充二硫化物化合物印刷电路板光亮剂流平剂酸溶液铜填充凹陷闪镀铜层添加剂施加

[发明专利]通孔填充用糊料-CN201980020720.5在审
发明人：大山秀树;田中孝幸;林荣一 -专利权人：味之素株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明提供可得到镀覆密合性优异的固化物的通孔填充用糊料等。一种通孔填充用糊料，其是包含（A）磁性粉体、（B）环氧树脂及（C）固化剂的通孔填充用糊料，其中，（A）磁性粉体利用包含选自Si、Al及Ti中的至少1种元素的表面处理剂进行了表面处理。
填充糊料

[发明专利]填充通孔的方法-CN201410200977.8有效
发明人： N·贾亚拉珠;E·H·纳贾尔;L·R·巴尔斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明涉及填充通孔的方法。该方法抑制或减少在对基板例如印刷电路板的具有闪镀铜层的通孔进行电镀铜的过程中的凹痕和孔隙。将包含由芳族杂环氮环化合物和含环氧化物的化合物的反应产物的酸性溶液施加到基板的通孔上，随后用包含添加剂例如光亮剂和流平剂的铜电镀浴对通孔进行填充。
填充方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110152715.5无效
发明人：彭虎;肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：硅片上淀积二氧化硅，形成深沟槽；在深沟槽中淀积一层钛或氮化钛；在深沟槽中淀积钨；进行化学机械研磨表面的钨去除；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片的背面进行减薄，将形成于深沟槽的底部的空洞露出；从硅片的背面对深沟槽底部的空洞进行金属填充，并制作背面金属图形。本发明通过正面刻蚀、正面金属填充和背面金属填充结合，能够便于与现有集成电路工艺集成、并能利用现有生产设备进行加工，能降低工艺难度和成本。
硅通孔填充方法

[发明专利]硅通孔填充方法-CN201110226264.5无效
发明人：彭虎;程晓华;郁新举 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔填充方法，包括步骤：形成深沟槽或孔；在深沟槽或孔侧壁和底部淀积一层氧化层；淀积钛和氮化钛；淀积第一层钨；对第一层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第一层钨去除；淀积一层氮化钛；淀积第二层钨；对第二层钨进行回刻，将深沟槽或孔外部的第二层钨去除；当深沟槽或孔未填满时，重复第二层钨的淀积和回刻，直至深沟槽或孔被填满；制作正面金属互连线及正面后段工艺；对硅片背面进行减薄；形成背面金属并制作背面金属图形本发明钨填充工艺和钨刻蚀工艺的结合，能实现高深宽比硅通孔的填充，且能够便于与现有集成电路工艺集成、并能利用现有生产设备进行加工，能降低工艺难度和成本。
硅通孔填充方法

[实用新型]通孔注射填充机-CN201120042589.3有效
发明人：福德·伽俐俐 -专利权人：大连保税区新时代国际工贸有限公司
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供一种通孔注射填充机，包括：手动调节工作台；陶瓷片；汽缸；汽缸驱动工作台，陶瓷片设置在手动调节工作台和汽缸驱动工作台之间，并且手动调节工作台、陶瓷片、汽缸驱动工作台在竖直方向上对准，手动调节工作台包含滑块导轨机构，其中，滑板平放在基板上，导轨通过螺栓螺孔配合固定在基板上，滑块与导轨相互之间可滑动地配合，滑块在与导轨相对的一侧上固定连接到连接板，连接板在与滑块相对的一侧上通过螺栓固定到弹簧钢片的中段，弹簧钢片的两端分别通过螺栓固定到滑板
注射填充

[发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
发明人：侯珏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺，用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，工作步骤如下：步骤A1，向磁控溅射设备中通入工艺气体；步骤A2，用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积；步骤A3，用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积，重复步骤A2和A3，直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀，且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺，工艺设计简单合理，通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积，提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，可以完美的支持后续的电镀工艺，提高产能。
硅通孔深孔填充工艺

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