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[发明专利]选择性刻蚀方法-CN200580004648.5有效
发明人：哈瑞德·克劳斯;马汀·科莱斯 -专利权人： SEZ股份公司
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了一种选择性刻蚀方法，其通过将液体刻蚀剂以足够快的流速流经衬底表面以产生平行于衬底表面的最低平均速度v，来对衬底上第一材料进行选择性刻蚀，而且对第二材料具有高度选择性。
选择性刻蚀方法

[发明专利]超高纵横比电介质刻蚀-CN200880004170.X有效
发明人：池贞浩;埃里克·A·埃德尔伯格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种透过碳基掩模在电介质层中刻蚀超高纵横比特征的方法。相对于该碳基掩模选择性刻蚀该电介质层，其中该选择性刻蚀提供基于碳氟化合物的聚合物在该碳基掩模上的净沉积。停止该选择性刻蚀。使用修整，相对于该碳基掩模选择性除去该碳氟化合物的聚合物，以便该碳基掩模保留。停止该选择性除去该碳氟化合物的聚合物。再次相对于该碳基掩模选择性刻蚀该电介质层，其中该第二选择性刻蚀提供基于碳氟化合物的聚合物在该碳基掩模上的净沉积。
超高纵横电介质刻蚀

[发明专利]一种半导体器件的选择性刻蚀方法及BSI图像传感器制作方法-CN201310312586.0在审
发明人：王冲;吴秉寰;罗仕洲;奚民伟;常延武;史爽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种选择性刻蚀方法及BSI图像传感器的制作方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：用HNA溶液（HF-HNO₃-CH₃COOH）刻蚀掺杂型硅，反应预定时间后形成亚硝酸根离子浓度为C₁的刻蚀液；用该刻蚀液选择性刻蚀待刻蚀的半导体器件，其中，刻蚀待刻蚀半导体器件所需的亚硝酸根离子初始浓度为C₀，刻蚀液的C₁大于C₀，且HNA溶液为氢氟酸由于本申请提供的选择性刻蚀方法具有刻蚀速率均匀的优点，将其应用到半导体器件，尤其是BSI图像传感器的选择性刻蚀时，可实现刻蚀后半导体器件的厚度均匀性。
一种半导体器件选择性刻蚀方法 bsi 图像传感器制作方法

[发明专利]选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法-CN201910273149.X在审
发明人：李俊杰;王桂磊;李永亮;周娜;杨涛;傅剑宇;李俊峰;吴振华;殷华湘;朱慧珑;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：在衬底上顺序形成第一材料层和第二材料层，其中第一材料层对第二材料层的各向同性刻蚀选择比大于10，第一材料层含有掺杂元素，沿第一材料层的厚度方向掺杂元素的浓度呈线性递增；对第一材料层进行选择性各向同性刻蚀，选择性各向同性刻蚀的刻蚀速率与掺杂元素的浓度具有正线性关系，以完成对第一材料层的外壁的刻蚀。本申请利用刻蚀工艺中刻蚀速率与待刻蚀材料中掺杂元素浓度之间的正线性关系，得到与浓度递增的方向相反的倾斜侧壁，从而采用上述选择性刻蚀方法，能够得到锐利度较高的纳米针尖结构，还能够灵活调节针尖结构的尺寸、形貌以及角度
第一材料选择性刻蚀掺杂元素各向同性刻蚀纳米针尖刻蚀第二材料层正线制备形貌方向相反刻蚀材料刻蚀工艺浓度递增倾斜侧壁顺序形成线性递增针尖结构锐利度选择比衬底外壁灵活申请

[发明专利]选择性晶体硅刻蚀液、晶圆硅片的刻蚀方法及其应用-CN201210335557.1在审
发明人：史爽;常延武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明揭示了一种选择性晶体硅刻蚀液，该刻蚀液包括：体积百分比大于0vol％且小于等于80vol％的硝酸；体积百分比大于0vol％且小于等于20vol％氢氟酸；以及体积百分比大于0vol％且小于等于50vol同时提供一种晶圆硅片的刻蚀方法，包括：提供所述的选择性晶体硅刻蚀液；将若干晶圆硅片置于所述选择性晶体硅刻蚀液中；在密闭环境下，将包含若干晶圆硅片的选择性晶体硅刻蚀液加温至25℃～50℃，并在此温度下保持10sec～1800sec使所述若干晶圆硅片的表面得到刻蚀。该晶圆硅片的刻蚀方法可以用于晶圆背面的硅刻蚀。用该选择性晶体硅刻蚀液的晶圆硅片的刻蚀方法，解决了现有的晶圆背面的晶体硅的刻蚀的均一性和粗糙度差的问题。
选择性晶体刻蚀硅片方法及其应用

[发明专利]一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液-CN200410084265.0有效
发明人：张擎雪;荣毅;仓凌盛;刘须电;王明琪 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性氮氧化硅(SiON)湿法刻蚀液，属于集成电路生产制造领域，所述刻蚀液组成为：0.40－1.00vol％的氢氟酸，55.00－65.00vol％的双氧水，34.00－45.60vol本发明的氮氧化硅选择性刻蚀液，对SiON的刻蚀速率高，大于150/min；选择性好，SiON与SiO₂的选择比大于10∶1，SiON与Si₃N₄的选择比大于35∶1，SiON/POLY－Si的选择比大于30∶1。该刻蚀液对氧化硅，氮化硅及多晶硅均具有良好的刻蚀选择性，可广泛应用于集成电路制造工艺。
一种选择性氧化湿法刻蚀

[发明专利]选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用-CN201910520709.7在审
发明人：王溯;蒋闯;季峥;李成克 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明的选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物。本发明的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜层，其氧化物膜层没有出现过刻蚀或负刻蚀，且可多次使用，没有出现颗粒析出。
选择性刻蚀组合及其制备方法应用

[发明专利]沟槽的干法刻蚀方法-CN201110070102.7无效
发明人：吴智勇;刘继全;杨华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽的干法刻蚀方法，其为在干法刻蚀形成沟槽之后，采用选择性外延工艺修复沟槽侧壁的开口。本发明的方法，在沟槽刻蚀之后通过选择性外延工艺，修复了刻蚀带来的侧向开口。
沟槽刻蚀方法

[发明专利]一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用-CN201110234519.2有效
发明人：李涛;周春兰;宋洋;郜志华;罗运强;段野;李友忠;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所;中轻太阳能电池有限责任公司
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用。所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成。在激光刻蚀硅衬底之后，使用本发明选择性刻蚀溶液处理同时具有氧化硅和氮化硅的工作面，时间为5秒～120秒，处理之后能够在有效去除激光刻蚀区域氧化硅的同时，保留非激光刻蚀区域的氮化硅。
一种氧化选择性刻蚀溶液及其制备方法应用

[发明专利]形成用于亚分辨率衬底图案化的刻蚀掩模的方法-CN201680067753.1有效
发明人：安东·J·德维利耶 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：技术包括使用具有不同刻蚀特性的多种材料来选择性刻蚀特征并在指定的位置创建切口。使用一系列材料或材料线的重复图案，其提供基于不同的抗刻蚀性的选择性自对准。结合下面的转移层或记忆层，可以获得多种不同的刻蚀选择性。刻蚀掩模限定多种材料的线的哪些区域可以被刻蚀。
形成用于分辨率衬底图案刻蚀方法

[发明专利]3D NAND存储器的空洞检测方法-CN202110617443.5有效
发明人：韩烽;陈金星;马霏霏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供一种3D NAND存储器的空洞检测方法，包括以下步骤：刻蚀去除部分选择性外延生长层得到目标选择性外延生长层，所述目标选择性外延生长层的顶部低于或者齐平于绝缘层的顶部；形成覆盖于所述目标选择性外延生长层表面的第一保护层；对沟道孔进行退火处理；形成覆盖于衬底的侧壁和底部的第二保护层；使用湿法刻蚀工艺对所述3D NAND存储器进行处理并进行空洞检测。本申请提供的空洞检测方法，将所述选择性外延生长层刻蚀至其顶部低于或者齐平于所述绝缘层的顶部，再使用湿法刻蚀工艺刻蚀所述衬底，通过检测所述衬底是否存在刻蚀痕迹而确定所述3D NAND存储器是否存在空洞，从而提高生产效率以及产品良率
nand 存储器空洞检测方法

[发明专利]一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用-CN201811185568.X有效
发明人：王溯;蒋闯;季峥;李成克 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免氧化物膜层的过刻蚀或负刻蚀。
一种选择性刻蚀组合及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710072369.7有效
发明人：郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成多个栅极叠层结构；在所述半导体衬底和栅极叠层结构上形成层间介电层；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述层间介电层，以在所述栅极叠层结构之间形成接触孔，在所述干法刻蚀中刻蚀室内的压力随时间的变化而变化。采用本发明的方法，通过调节刻蚀参数中压力的变化，获得理想的刻蚀选择性，在高选择性和避免刻蚀停止之间找到合理的均衡方案，避免了现有技术中的刻蚀选择性难以控制的问题。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]碳化硅的等离子体刻蚀-CN02809053.5有效
发明人：李思义 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种以对上方和/或下方介电材料层的选择性等离子体刻蚀碳化硅的方法。介电材料可包含二氧化硅，氧氮化硅，氮化硅或各种低k介电材料包括有机低k材料。刻蚀气体包括含氯气体如Cl₂，含氧气体如O₂，和载体气体如Ar。为了实现对这些介电材料的所需选择性，选择等离子体刻蚀气体化学以实现所需的碳化硅刻蚀速率，同时介电材料在较慢的速率下被刻蚀。该工艺可用于选择性地刻蚀氢化碳化硅刻蚀光阑层或碳化硅基材。
碳化硅等离子体刻蚀

[发明专利]非晶氧化镓刻蚀方法及在三端器件和阵列成像系统的应用-CN201910245457.1在审
发明人：韩祖银;梅增霞;梁会力;杜小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：发明公开了一种非晶氧化镓刻蚀方法及在三端器件和阵列成像系统的应用，所述刻蚀方法包括：用浓度为0.04％到25％的四甲基氢氧化铵TMAH的溶液对非晶氧化镓进行选择性湿法刻蚀；所述选择性湿法刻蚀的温度在20
氧化刻蚀方法器件阵列成像系统应用

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